Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 Vishay具有業(yè)內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 年 1 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT
2023-01-30 10:09:49529 
供產品運用的技術支持。阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。【***賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道 推薦：】HN3400
2021-03-18 14:21:33
“供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。【***賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道 MOS管HN3401
2021-03-30 14:33:48
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2021-03-18 14:16:53
30V 10A MOS管TO-252封裝HC005N03L，MOS原廠庫存現(xiàn)貨HC005N03L參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場效率管品牌：惠海
2020-11-14 14:33:47
惠海半導體 供應30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù)：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場效應管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
汽車級電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
MOSFET，也可以直接驅動。對于一個橋式電路的上下橋臂，上管使用P溝道的功率MOSFET，可以直接驅動，驅動電路設計簡單。如果上管選用N溝道的功率MOSFET，那么必須采用浮驅或自舉電路，驅動電路
2016-12-07 11:36:11
半橋功率放大電路以圖騰柱驅動Vmos功率管。。。Vmos只要漏極加電壓30V，立馬上管驅動信號大變樣，如圖所示，黃色是下管驅動信號，藍色是上管驅動信號，本來應該是互補的，結果上管的驅動信號低電平部分竟然維持不了。。。下圖是半橋的輸出信號
2014-07-25 09:49:56
的技術支持。阿里店鋪：阿里 “供應商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。【***賴,0755-85279055】【30V MOS N/P溝道 推薦：】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道
2020-11-05 16:48:43
溝道 MOS管HN2301GN：-20V -3A SOT-23 P溝道 MOS管【30V MOS N/P溝道】HN3400：30V5.8ASOT23N溝道 MOS管HN3401:-30V
2020-09-11 15:50:24
N8322 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。LN8322 內部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1158上單個輸入引腳的典型應用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
深圳市三佛科技有限公司 供應NCE3080K新潔能替代型號100N03 30V貼片MOS，原裝正品，庫存現(xiàn)貨熱銷NCE3080K為新潔能推出的30V，N溝道，大電流 MOS，TO-252封裝
2019-11-27 16:52:24
SL3042 30V88A 8.5毫歐DFN5x6A-8_EPSL3042 N溝道場效應管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半導體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗豐富，實力雄厚，技術支持。是您值得信賴
2020-06-20 10:05:27
AO7400SL3042N溝道DFN5*6-8 EP 30V88ASL2060N溝道TO-252 20V 85ASL8726N溝道TO-252 30V 85ASL484N溝道TO-252 30V 41A可替代
2020-08-01 10:10:37
溝道 TO-252 替代AOD403 功率MOS管SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道替代AOD403SL48430V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道替代
2020-06-04 13:53:48
、MOS管、LED/LEC驅動等等，廣泛應用于臺燈、鐘表、LCD顯示模塊、數(shù)碼伴侶、玩具、車燈、扭扭車、等各類工業(yè)和民用電器產品上。 可提供技術支持，DEMO測試及設計方案SL484 30V/41A N
2020-06-04 13:58:07
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2021-04-07 15:13:02
型號：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
： -20V -4A SOT-23 P溝道 MOS管HN2300： 20V 5.2ASOT-23 N溝道 MOS管HN2301GN：-20V -3A SOT-23 P溝道 MOS管【30V MOS N
2021-03-24 10:35:56
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
【中低壓MOS供應】VS3622DE，30V/35A，雙N溝道高級功率MOSFET 【中低壓MOS供應】VS4610AE，40V55A，N溝道高級功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場效應管品牌：惠海型號：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 16:02:10
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
安國半導體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領先地位，現(xiàn)在為擴大經(jīng)營范圍 特推出新款觸摸按鍵 價格比義隆合泰都更有優(yōu)勢 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過要是感興趣的話可以 聯(lián)系***
2013-10-08 15:48:39
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場效應管品牌：惠海型號：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 15:37:14
、隔離變壓器和整流電路，即可實現(xiàn) 6~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率1~2W 的隔離電源。VPS8701B 內部集成兩個 N 溝道功率 MOSFET 和兩個 P 溝道功率 MOSFET，并組成
2023-03-21 15:24:12
項目要做一個DC-DC車載電源，輸入300—1000V，輸出0—30V，功率大概2KW, 目前考慮到效率問題，想用兩級級聯(lián)的結構，前級和后級用什么拓撲比較好？
2024-03-19 14:13:37
30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統(tǒng)/負載開
2010-09-20 08:59:091077 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉換器應用的PowerPAIR?家族雙芯片不對稱功率MOSFET
2011-11-15 10:34:07648 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道
2014-04-29 16:30:44885 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551514 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內采用
2019-01-01 16:29:01380 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計算和通信應用功率轉換，在提高能效的同時，減少元器件數(shù)量并簡化設計。 日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時
2023-02-04 06:10:04502 
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術實現(xiàn)優(yōu)異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22257 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMX300UNE
2023-02-09 21:20:220 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PXP015-30QL
2023-02-14 18:53:170 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PXP012-30QL
2023-02-14 18:53:290 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PXP6R1-30QL
2023-02-15 19:41:520 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN5R4-30QL
2023-02-16 20:49:260 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
2023-02-16 20:49:460 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN018-30QL
2023-02-17 18:48:160 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN9R0-30QL
2023-02-17 18:48:350 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN8R3-30QL
2023-02-17 19:14:141 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R7-30QL
2023-02-17 19:14:460 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN017-30QL
2023-02-17 19:15:190 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN010-30QL
2023-02-17 19:15:340 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-山毛櫸4D60-30
2023-02-17 19:56:410 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y10-30P
2023-02-20 19:03:030 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y19-30P
2023-02-20 19:03:191 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D72-30E
2023-02-20 19:57:140 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D38-30E
2023-02-20 20:01:040 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D22-30E
2023-02-20 20:02:250 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、0.87 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-30YLD
2023-02-22 18:56:120 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.0 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-30YLD
2023-02-22 18:56:460 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:540 30V N 溝道溝槽 MOSFET-PMF250XNE
2023-02-27 19:15:060 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22320 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:10460 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:230
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