恢復(fù)二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個重要特性是反向恢復(fù)時間（trr）。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點在SiC肖特基勢壘二極管一文中也已說明過。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當(dāng)時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
?當(dāng)輸入與輸出電壓之間有正電壓時，運放肖特基二極管電路使MOSFET導(dǎo)通，如下式：VGATE=VOUT-(R2/R1)(VIN-VOUT)其中，肖特基二極管電路的VGATE是MOSFET的柵極驅(qū)動
2021-04-08 11:37:38
整流二極管用于微波爐逆變電路和高壓電路。汽車高壓整流二極管用于燃油噴射系統(tǒng)的點火線圈。4、緩沖二極管緩沖二極管是專為緩沖電路設(shè)計的輔助開關(guān)二極管，用于反激式開關(guān)電源的一次側(cè)。 它們降低了功率 MOSFET
2021-09-20 07:00:00
凌訊MBR系列肖特基勢壘整流器（標(biāo)準(zhǔn)肖特基）是基于硅肖特基二極管技術(shù)的最新器件。肖特基勢壘整流器是非常受設(shè)計人員歡迎的器件，因為其具有極快的開關(guān)速度、非常低的正向壓降、低泄漏和高結(jié)溫能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二極管分貼片和插件這兩種類別，一種是常見三個腳的肖特基二極管，印字是“例：MBR20100FCT”，符號是 “ ”；第二種是貼片肖特基二極管，貼片肖特基二極管的印字多數(shù)是用型號來做印字
2021-07-09 11:45:01
` 1、開關(guān)二極管是利用二極管的單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，在半導(dǎo)體PN結(jié)加上正向偏壓后，在導(dǎo)通狀態(tài)下，電阻很小（幾十到幾百歐）；加上反向偏壓后截止，其電阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用開關(guān)二極管的這一特性
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管是什么？ 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間可小到幾個納秒（2-10ns納秒），正向壓降
2016-04-19 14:29:35
肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?，只?.4V，反向在擊穿電壓之前不會導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀?b class="flag-6" style="color: red">二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
中比較常見肖特基二極管?！ ∫粋€典型的應(yīng)用，是在雙極型晶體管BJT的開關(guān)電路里面,通過在BJT上連接Shockley二極管來箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時其實處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開關(guān)速度
2019-02-20 12:01:29
1.肖特基二極管的正向壓降比快恢復(fù)二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。2.由于反向電荷恢復(fù)時間極短，所以適宜工作在高頻狀態(tài)下。3.能耐受高浪涌電流。4.以前的肖特基管反向耐壓一般在
2020-11-16 10:49:06
（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。 復(fù)二極管：有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了
2015-11-27 18:02:58
肖特基二極管和普通穩(wěn)壓二極管有什么區(qū)別
2020-04-13 17:11:31
時，流過二極管的電流，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。3.額定電流IF：指二極管長期運行時，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。4.最大浪涌電流IFSM：允許流過
2022-01-24 11:27:53
，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。三、額定電流IF：指肖特基二極管長期運行時，根據(jù)允許溫升折算出來的平均電流值。肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-05-31 17:17:19
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進電動機驅(qū)動電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時間短的特點，這樣大部分電流就流過外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
伏。開關(guān)節(jié)點處的這些陡峭的負電壓峰值會導(dǎo)致干擾，此干擾會被容性耦合到其他電路段。通過插入額外的肖特基二極管可以最大限度地減少這種干擾，如圖2所示。與低端MOSFET中的體二極管不同，它不會產(chǎn)生反向恢復(fù)
2020-12-16 16:57:38
電子系統(tǒng)的最佳性能，需要選擇最適合自己產(chǎn)品的肖特基二極管?！ ∈紫?，電子設(shè)備的核心是肖特基二極管。而為了提高電路的密度，肖特基二極管的特征尺寸始終朝著減小的趨勢發(fā)展，電場強度隨距離的減小而線性增加
2018-10-29 14:05:30
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性的非線性器件。[編輯本段]特點 SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面： 1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）?！ ?）由于
2017-10-19 11:33:48
` 一、肖特基二極管具有的優(yōu)勢 肖特基二極管MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時間使它們非常適合高頻應(yīng)用，并能最大程度降低開關(guān)損耗。肖特基二極管與普通的PN結(jié)二極管不同。是使用N型
2018-12-27 13:54:36
突破性的進展，150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機與活力。肖特基二極管缺點：肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電
2021-09-09 15:19:01
1.作用 肖特基二極管的主要特性是單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，也就是在正向電壓的作用下，導(dǎo)通電阻很小；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管按用途分為：晶體肖特基二極管、雙向觸發(fā)肖特基二極管
2018-11-21 13:51:35
MDD肖特基二極管的最高結(jié)溫。四、小于MDD肖特基二極管的正向額定電流IF。五、對于比較苛刻的環(huán)境，為了保證可靠性，MDD肖特基二極管應(yīng)降額使用。六、肖特基二極管的代換盡量選用原型號、因為不同的型號的肖特基正向壓降VF和反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR都不同。肖特基二極管規(guī)格書下載：?
2021-06-15 15:33:58
肖特基二極管的分類一：肖特基二極管的分類1、按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。2、根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管
2016-03-22 14:55:18
電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。通過的電流越大時，對肖特基二極管的芯片散熱要求和電性，選用時要全面考慮。
2021-04-17 14:10:23
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫成SR），也有人叫做：肖特基勢壘二極管
2021-06-30 17:04:44
較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、打電流整流（或續(xù)流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管
2020-10-27 06:31:18
-SBD后，提高效率，除了減少耗電，更重要的是降低器件溫度，減少散熱成本，提高了至關(guān)重要的系統(tǒng)可靠性。在新能源汽車興起之前，服務(wù)器電源PFC-度是肖特基二極管最主要的市場。這個應(yīng)用領(lǐng)域?qū)煽?b class="flag-6" style="color: red">性的要求較高，已經(jīng)
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
的一致性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管的功能著重體現(xiàn)是在雙極型晶體管BJT的開關(guān)電路里面，通過在BJT上連接Shockley二極管來箝位，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時其實處于很接近截止?fàn)顟B(tài)，從而提高晶體管的開關(guān)速度。這種
2019-02-18 11:27:52
都是根據(jù)這兩個工作點計算的。然而，肖特基二極管的快速開關(guān)也會引起功耗，其表現(xiàn)形式為在開關(guān)期間出現(xiàn)的電壓和電流?！ 》聪蚧謴?fù)也會引起功耗，這與SiC等新型半導(dǎo)體材料的技術(shù)發(fā)展有關(guān)。有許多不同類型的半導(dǎo)體
2019-02-21 13:39:32
除了型號，外形上一般沒什么區(qū)別，但可以測量正向壓降進行區(qū)別，直接用數(shù)字萬用表測（小電流）普通二極管在0.5V以上，肖特基二極管在0.3V以下，大電流時普通二極管在0.8V左右，肖特基二極管在0.5V
2019-06-12 04:20:33
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標(biāo)稱值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58
肖特基二極管結(jié)構(gòu)：肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與。PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬（金、銀、鋁、鉬、鉑等材料制造成阻擋層）、二氧化硅消除邊緣區(qū)域的電場（提高管子耐壓）、N一外延層、N型硅基片
2020-11-16 16:34:24
，以提高產(chǎn)品的可靠性。TO-220、TO-3P型的管子與散熱器之間要加導(dǎo)熱硅脂，使管子與散熱器之間接觸良好。3、肖特基二極管正確選擇的RC補償網(wǎng)絡(luò)-RC緩沖器。由于高頻變壓器的漏電感和管子的結(jié)電容在
2021-08-11 14:05:26
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點為反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
` 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別，通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管?！ ∈褂?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，只能用肖特基二極管代換?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管肖特基
2018-10-25 14:48:50
雪崩二極管的原理雪崩二極管的作用
2021-03-10 07:05:13
雪崩二極管如何幫助防止過電壓？雪崩二極管的噪聲是如何產(chǎn)生的？
2021-06-18 09:24:06
）?！ ‘?dāng)二極管受到高反向電壓時，它會經(jīng)歷雪崩擊穿?！ 『谋M層上的電場因反向偏置電壓而增加。 入射光進入p+區(qū)域，并在電阻性很強的p區(qū)被進一步吸收。這里形成了電子-空穴對。 這些夫婦的分離是由
2023-02-06 14:15:47
`編輯ZASEMI肖特基二極管MBR60200PT是肖特基二極管中非常常見的型號，TO-247封裝，正向整流60A，反向耐壓200V，正向壓降0.87V，正向峰值浪涌電流500A，反向漏電流為
2021-04-29 16:26:23
二極管的反向擊穿電壓Vrrm。3、應(yīng)用電路中肖特基二極管的實際工作溫升應(yīng)小于肖特基二極管的結(jié)溫Tjmax。4、對于更惡劣的環(huán)境，為保證可靠性，肖特基二極管應(yīng)降額使用。5、對于浪涌電壓或浪涌電流較大的應(yīng)用電
2021-07-28 14:40:10
和小信號檢測二極管。 肖特基二極管是功率整流應(yīng)用的最佳半導(dǎo)體器件，因為這些器件具有高電流密度和低正向壓降，這與普通的PN結(jié)器件不同。這些優(yōu)勢有助于降低熱量水平，減少設(shè)計中包含的散熱器數(shù)量，并提高電子系
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
的一幅圖是傳統(tǒng)的碳化硅肖特基二極管。中間的圖是帶PIN結(jié)構(gòu)的MPS二極管的結(jié)構(gòu)，它的特點是在肖特基接觸區(qū)增加了一些P型結(jié)構(gòu)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管來說，這些結(jié)構(gòu)有利于提高它的浪涌電流的抑制和雪崩
2019-01-02 13:57:40
反向恢復(fù)時間已能縮短到10ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流(或續(xù)流)電路的效率。 三、肖特基二極管
2019-03-11 11:24:39
二極管是作為單向開關(guān)的兩端設(shè)備。肖特基是一種金屬-半導(dǎo)體二極管，以極低的正向電壓著稱，其中金屬形成陽極，n 型半導(dǎo)體充當(dāng)陰極。這種二極管是以德國物理學(xué)家華特·蕭特基命名的。它也被稱為肖特基勢壘二極管
2022-03-19 22:39:23
什么是肖特基二極管？
2014-03-05 09:25:07
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
低壓降肖特基二極管是在肖特基二極管的基礎(chǔ)上研發(fā)的，最大的優(yōu)點就是低壓降二極管的VF值更低，滿足客戶對壓降的需求。MDD辰達行電子生產(chǎn)的20100的低壓降肖特基二極管（SBT20L100）與普通
2022-01-24 15:00:32
雪崩光電二極管放大器 APD 與 PIN光電二極管一樣，使用四通道跨阻放大器來提供低噪聲、高阻抗和低功耗。一些放大器提供溫度靈活性以及出色的可靠性。所有這些品質(zhì)使光電二極管有資格用于激光雷達
2023-02-06 14:19:01
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
二極管漏電流過大不僅使其自身溫升高,對于功率電路來說也會影響其效率，不同反向電壓下的漏電流是不同的，關(guān)系如圖4所示:反向電壓愈大，漏電流越大，在常溫下肖特基二極管的漏電流可忽略。 4、肖特基二極管
2018-10-18 18:19:30
雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。2．檢測方法下面通過一個實例來介紹檢測肖特基二極管的方法。檢測內(nèi)容包括：①識別電極；②檢查管子的單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性；③測正向?qū)航礦F；④測量反向擊穿電壓VBR
2018-12-10 15:19:35
的直流電壓擋。測試電壓由兆歐表提供。測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。最后將VBO與VBR進行比較，兩者的絕對值之差越小，說明被測雙向觸發(fā)肖特基二極管的對稱性越好?！ ?、瞬態(tài)電壓抑制二極管
2018-11-08 14:03:06
200V?！ ?b class="flag-6" style="color: red">4、肖特基二極管比普通的二極管通過的電流強?！ ?、肖特基二極管比普通二極管的結(jié)電容小?！ ?、肖特基二極管可以通過高頻電流?！ 【C合以上區(qū)別可以說肖特基二極管比普通二極管功能性更好，適用廣泛。`
2018-11-05 14:29:49
。而不能使用一般肖特基二極管?！ ?、對低電壓電路應(yīng)選擇使用正問壓降肖特基二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">4、對于5a以下二極管電路可選擇使用一般肖特基二極管。例如應(yīng)用半橋，全橋整流電路，收錄機電源電路對及普通低電壓
2018-10-30 15:59:52
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管采用進口芯片和環(huán)保樹脂。每一顆都是國際標(biāo)準(zhǔn)件。相比同樣的肖特基二極管，凌訊的肖特基二極管性能更穩(wěn)定、性比價會更高，正向壓降更低。`
2018-12-19 14:01:34
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
肖特基二極管的種類非常多，根據(jù)其性能不同,應(yīng)用領(lǐng)域也不同。我們常說的大電流肖特基二極管是如何劃分的呢？眾所周知，肖特基二極管的電流可以從零占幾安到幾百安，10a以下 一般常用于充電器,充電寶之類
2022-03-31 16:56:22
電場而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。3）碳化硅具有較高的導(dǎo)熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
` 一、超快恢復(fù)肖特基二極管的檢測 用萬用表檢測快恢復(fù)、超快恢復(fù)肖特基二極管的方法基本與檢測塑封硅整流二極管的方法相同。即先用RX1K擋檢測一下其單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，一般正向電阻為4.5KΩ左右，反向
2018-12-05 11:54:21
采用額外的肖特基二極管減少干擾
2021-02-02 07:38:16
振蕩電路，Q1-Q4相互導(dǎo)通，在導(dǎo)通-關(guān)斷過程中，會產(chǎn)生能量，這個二極管經(jīng)常被稱為寄生二極管或者續(xù)流二極管，IGBT作為開關(guān)用時候一般電壓達到上千伏，因此肖特基二極管不適合。3、快恢復(fù)二極管在BOOST
2023-02-16 14:56:38
振蕩電路，Q1-Q4相互導(dǎo)通，在導(dǎo)通-關(guān)斷過程中，會產(chǎn)生能量，這個二極管經(jīng)常被稱為寄生二極管或者續(xù)流二極管，IGBT作為開關(guān)用時候一般電壓達到上千伏，因此肖特基二極管不適合。3、快恢復(fù)二極管在BOOST
2023-02-20 15:22:29
機變頻調(diào)速等電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用，是極有發(fā)展前途的電力、電子半導(dǎo)體器件。 肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，其特長是開關(guān)速度非?？?，反向恢復(fù)時間可以小到幾個納秒，正向?qū)▔航祪H
2022-03-31 10:04:12
1、整流 利用肖特基二極管單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。 在電路中，電流只能從肖特基二極管的正極流入，負極流出。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在
2018-11-26 14:09:08
一、肖特基二極管的定義與特點1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒)。正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二極管的定義與特點1.什么是肖特基二極管肖特基二極管又稱肖特基勢壘二極管，它是屬于一種低功耗、超高速的半導(dǎo)體器件，其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的?？旎謴?fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-接面不同。肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管的導(dǎo)通電壓非常低。一般的二極管在電流流過時，會產(chǎn)生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過
2018-10-22 15:32:15
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓。 除此以外的器件參數(shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒有用它來替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
`
肖特基二極管是生產(chǎn)電子產(chǎn)品不可或缺的重要保護器件，尤其在便攜式電子產(chǎn)品及開關(guān)電源中應(yīng)用廣泛，深受電子行業(yè)的喜愛，可是在
肖特基二極管市場，如何才能挑選到合適自己產(chǎn)品的
肖特基二極管那，這對于一些剛?cè)?/div>
2019-04-12 11:37:43
各位弱弱的問一句，肖特基二極管可以當(dāng)整流二極管用嗎？比如IN5822二極管可以替換IN5408二極管嗎？在線等，
2017-08-15 11:20:46
半導(dǎo)體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率 MOSFET。與此同時，由于可供分析的現(xiàn)場數(shù)據(jù)有限，這些器件的長期可靠性成為一個需要
2020-09-14 11:02:44
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半導(dǎo)體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率 MOSFET。與此同時，由于可供分析的現(xiàn)場數(shù)據(jù)有限，這些器件的長期可靠性成為一個需要
2020-12-08 23:04:00
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