納微半導體宣布新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世，承載功率增加66%，加速進軍高功率市場。

加速淘汰慢速硅芯片，搶占市場

愛爾蘭都柏林（PRWeb）： 納微半導體今天正式宣布，新一代氮化鎵功率芯片NV6128問世，作為一款全新額定電壓650V / 800V的大功率GaNFast功率芯片，NV6128將滿足大功率移動設備和消費類電力電子市場的需求，加速淘汰舊的慢速硅芯片，搶占高功率充電市場。 這款70 mOhm NV6128采用6 x 8 mm小型PQFN封裝，擁有專有的集成散熱墊，適用于高效率，高功率密度的電源系統，電流承載能力提高了66％。

氮化鎵（GaN）是新一代半導體材料，其運行速度比舊的慢速硅（Si）器件快100倍，在傳統硅充電器一半的體積和重量情況下，氮化鎵充電器的輸出功率和充電速度與前者相比均可提升三倍。 GaNFast功率芯片集成了GaN功率器件，驅動器以及保護和控制功能，實現了使用最簡單，體積最小，速度最快，如今更高功率的性能。

納微半導體首席執行官兼聯合創始人Gene Sheridan表示：“ 納微GaNFast氮化鎵功率芯片已被聯想，戴爾，OPPO，小米等一線品牌客戶廣泛采用，應用于高達200W的快充充電器設計中，出貨量超過1300萬，成功實現零故障。” “借助更高功率的NV6128，我們可將有效功率范圍擴展到500W，應用于今后的消費類電子市場，此外還可以應用于數千瓦級別的數據中心，電動交通工具和新能源設備。”

與競爭對手的解決方案不同，NV6128的額定工作電壓為650V，此外還具有800V的峰值電壓能力，可在瞬態事件期間穩定運行。 作為真正的功率芯片，GaN柵極得到了全面保護，整個器件滿足2kV行業領先的靜電放電（ESD）規格。

納微半導體首席技術官，首席運營官兼聯合創始人Dan Kinzer表示：“這可以說是天壤之別，與當前一線OEM采用舊的慢速硅器件及傳統二極管整流加boost PFC拓撲設計的低頻（50-70kHz工作頻率）筆記本充電器相比，納微GaNFast NV6128使高頻totem pole拓撲的應用成為可能，300W的設計方案功率密度可達1.1W/cc以上，搭配現有的200kHz控制方案，體積和重量均可縮小三倍。當我們將開關速度提高到MHz +時，功率密度又將出現另一大幅提升。”

對于從事電力電子設計的工程師而言，NV6128和所有GaNFast氮化鎵功率芯片系列都為200-500W應用提供了更易于使用，且高速高效的解決方案，如電腦一體機，電視，游戲機，電動滑板車，電動自行車等電動交通工具的充電器，游戲筆記本電腦等其他設備的充電器等。

NV6128現已大批量生產，可立即從Navitas經銷合作伙伴處訂購，千片批購價為7.85美元。設計相關材料，包括詳細的規格書，電氣模型（SPICE）和機械模型（.stp）歡迎您前往納微官網鏈接 https://www.navitassemi.com/download/下載。