PN816220W PD快充芯片特點
2020-12-17 06:20:12
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
PD快充65W常用什么規格GaN
2021-12-26 19:57:19
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態系統組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
、ZENDURE 45W氮化鎵充電器+移動電源66、ZENDURE氮化鎵拓展塢+充電器從以上已有30多家廠商推出了超達66款氮化鎵快充產品來看，其中，60W及以上占比達到了五分之三之多；而30W規格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
的上限與下限均被進一步拉大，上可突破千元下可達數十元。其中，高性價比款式氮化鎵快充與普通充電器售價已十分接近，全民狂歡。59.9元的氮化鎵充電器表現如何？YOGA 65W 雙口氮化鎵充電器充電頭網曾進行
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
目標應用。而在其最明顯的缺陷當中，值得一提的是，砷化鎵只能提供有限的功率輸出(低于 50W)，而 LDMOS 受限于較低頻率(低于 3GHz)。正當砷化鎵和LDMOS在功率和頻率上顯現出缺憾之時，氮化鎵
2017-08-15 17:47:34
的數十億次的查詢，便可以獲得數十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年
2019-03-14 06:45:11
。在此基礎上，增加單管激光器的發光區寬度和長度，單管激光器的光功率可以進一步提升，并結合正在發展的GaN激光器的光束整形和合束技術，將實現更高功率的激光器模組。氮化鎵激光器的應用也將更加廣泛。 垂直腔GaN
2020-11-27 16:32:53
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點，可以簡化設計，降低GaN快充的開發難度，有助于實現小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
板上看出，得益于使用合封氮化鎵器件，芯片無需輔助散熱措施即可滿足27W的連續輸出，并且合封將控制器和開關管集成在一顆芯片內，初級的元件也十分精簡，可滿足高性價比的氮化鎵快充設計。鈺泰半
2021-11-28 11:16:55
教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應用中的加速采用的報告，分享了目前的發展現狀及AIXTRON的策略。近年來，垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解決方案控股有限公司(納斯達克證交所代碼: MTSI) (簡稱“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化鎵GaN 合作開發協議。據此協議，意法半導體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻晶片。除擴大
2018-02-12 15:11:38
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
由于換了三星手機，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關
2018-07-19 16:30:38
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開關速度、產品尺寸和耐熱性的優勢有機統一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術除了能滿足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
鎵充電器可謂吸引了全球眼球，小巧的體積一樣可以實現大功率輸出，比APPLE原廠30W充電器更小更輕便。[color=rgb(51, 51, 51) !important]將內置氮化鎵充電器與傳統充電器
2019-07-08 04:20:32
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源，因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步：元器件選型對于工程師來說，GaN元器件相較于傳統的MOSFET而言有很多不同和優勢，但在設計上也帶來一定挑戰。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
充電的話，還需要去淘寶買一個type-c轉聯想方口的一個轉接器。這樣下來，首先來講是可以使用的，但是由于快充協議的不兼容，充電器無法滿血65w為拯救者充電，拯救者原裝充電器是135w。顯而易見是差的很遠的。筆記本正常使用的情況下，電量會保持不變，不會增加也不會減少。性能方面，我看了網上的文章，他用工
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統，因為頻率越高，氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
設計，而微波開關器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來設計。
公司領先全球研發于六吋砷化鎵基板，同時制作二種以上高效能之組件，以整合芯片制程上之技術，并縮小射頻模組電路面積、降低成本
2019-05-27 09:17:13
大幅降低電流在保護板上的損耗，隨著手機充電功率達到200W，電池端的電流達到20A。傳統硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
一下，目前已經推出氮化鎵快充的電商品牌及其產品。ANKER安克1、ANKER 30W氮化鎵充電器ANKER PowerPort Atom PD 1 GaN氮化鎵充電器于2018年10月推出，是業內首款
2021-04-16 09:33:21
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅動硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異。 驅動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
使用外，也可應用于海陸通、第一衛、貝爾金等品牌20W迷你快充上，性能獲得客戶一致認可。
對應INN3378C氮化鎵主控芯片的同步整流管來自恒泰柯，型號為HGN080N10AL，是一顆耐壓100V
2023-06-16 14:05:50
關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優勢取得市場的突破。2.GaN在快充市場的應用隨著電子產品的屏幕越來越大，充電器的功率也隨之增大，尤其是對于大功率
2019-07-05 04:20:06
智融SW3556發布，雙C口，支持140W(20V7A)，500K開關頻率，支持直驅氮化鎵GaN，MCU定制協議，實現加密及協議定制，與SW3516PIP，硬件設計兼容，最大約100%占空比。應用：車充、多口充、GaN、適配器、充電頭、插排深圳市尊信電子技術有限公司胡先生：*** V信同號
2021-08-06 17:29:13
小得多，因此每塊晶圓就可以生產出更多的氮化鎵器件，從而實現可量產、具低成本、成熟、迅速反應和非常易于擴展的供應鏈。
誤解5 ：GaN FET和集成電路的價格昂貴
這是關于氮化鎵技術最常見的錯誤觀念！ 氮化
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
，2013年1月達到140lm為/W。 硅芯片和藍寶石的區別，藍寶石是透明襯底，硅襯垂直結構，白光出光均勻，容易配二次光學。硅襯底氮化鎵基LED直接白光芯片，熒光粉直涂白光芯片分布集中。 下一步怎么做呢
2014-01-24 16:08:55
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
%的產品輸出功率集中在10W～100W之間，最大功率達到1500W（工作頻率在1.0-1.1GHz，由Qorvo生產），采用的技術主要是GaN/SiC GaN路線。此外，部分企業提供GaN射頻模組產品，目前
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
解決方案，累計近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優解，進一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
深圳市三佛科技有限公司 供應 LP35118V 20W-30W氮化鎵快充專用同步整流IC ，原裝，庫存現貨熱銷 品牌：芯茂微型號：LP35118V封裝
2022-05-30 10:31:43
從硅晶圓到8英寸晶圓代工報價調漲，世界先進8英寸產能供需吃緊一路暢旺到年底，并積極擴增氮化鎵（GaN）產能，已有國際IDM大廠看好電動車產業后市，預先包下世界先進GaN產能，明年中GaN產出將快速放量，成為全球首座8英寸GaN代工廠。
2018-06-29 16:02:00
5143 今天，小米推出了一款33W氮化鎵充電器套裝，售價79元。現已開啟預約，將于2月25日10點首賣。
2021-02-23 15:42:522542 幾天前，小米品牌正式推出全新的33W氮化鎵充電器，該充電器采用Type-C接口，只需58分鐘即可為Redmi K30至尊紀念版充滿電，可媲美原裝充電器。25日上午10點，小米GaN充電器33W正式開售，價格是79元。
2021-02-25 11:21:0810201 紅米的33W快充可以說是紅米的傳統藝能了，紅米K30旗艦系列手機采用的是33W快充技術，然而到了紅米K40的時候仍然還是采用33W這樣的做法引起了許多網友們的不滿，認為紅米不重視充電。不過，最近有數碼博主做了一個測試，結果顯示，紅米33W的充電速度甚至不輸小米的55W快充，這是怎么回事呢？快來一起看看吧！
2021-02-25 12:05:1021268 前幾天，小米正式上架了小米GaN充電器33W，并開始銷售。前段時間，另一款小米品牌采用氮化鎵技術的充電頭也已經開售。據數碼博主@數碼閑聊站 帶來的消息，小米120W GaN充電器上架開售，向下兼容新旗艦。
2021-03-01 14:30:572981 今天，紫米推出了33W氮化鎵充電器mini，將于3月8日開售，到手價79元起。
2021-03-04 16:09:173218 隨著更多智能手機開始支持快速充電技術，外設廠商們開始在充電器這個行業發力，陸續推出了一些體積小巧、充電功率高的產品。日前，紫米GaN 33W充電器MINI正式亮相，該產品號稱擁有5W充電器的體積，但是能帶來33W的快速充電能力。這款產品將于3月8日正式開售，它的原價是109元，現價79元。
2021-03-05 15:18:372015 日前，紫米公司發布致歉公告，表示ZMI 33W氮化鎵充電器，因不可抗力原因導致無法如期上市，具體日期待定中，更新進度會及時告與大家，望理解體諒。
2021-03-08 09:38:052515 本月初，紫米宣布推出33W氮化鎵充電器mini，原計劃3月8日上市開賣。
2021-03-19 14:57:202753 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:21
2 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 以及PE等主流快充協議。結合自身在多口氮化鎵快充上積累的的開發經驗，智融基于SW2303再次推出一套65W單口氮化鎵快充方案，滿足部分客戶對單口多協議快充方案的需求
2022-07-29 16:46:40
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