大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:34
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為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對(duì)更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2020-08-04 11:13:351227 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達(dá)98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）即將推出采用XHP? 2封裝的CoolSiC? MOSFET和.XT技術(shù)的功率半導(dǎo)體，這款專門定制的解決方案旨在滿足軌道交通市場(chǎng)的需求。
2022-03-07 14:52:09537 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:522114 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207 
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
有了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽
2024-03-19 18:13:181494 
? 1B模塊（F4-23MR12W1M1_B11）。該模塊可提供 超高的設(shè)計(jì)靈活性和高電流密度 。同時(shí)，該模塊采用了領(lǐng)先的封裝技術(shù)，與CoolSiC? MOSFET配合使用，實(shí)現(xiàn)了 低電感設(shè)計(jì)以及極小
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
解決方案的功率僅為其75%。 新器件的高功率密度允許設(shè)計(jì)人員升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì)，開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺(tái)，或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。獨(dú)一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實(shí)現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線。
2018-10-23 16:21:49
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
英飛凌科技股份有限公司低壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用工程師Ralf Walter 2012年，電子器件一如既往地沿著更高性能和更高功率密度的方向發(fā)展。取決于具體的應(yīng)用，要么側(cè)重于封裝的微型化，要么側(cè)重于提高通流能力
2018-12-06 09:46:29
全球半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商英飛凌聯(lián)合第三方，推出了性能優(yōu)越的的750W伺服套件。該套件包括主控板和功率板兩部分。主控板采用英飛凌32位微處理器XMC4500（ARM Cortex-M4 core）為主
2018-12-11 10:47:32
。第二級(jí)尺寸減小的后續(xù)增益對(duì)應(yīng)了第一級(jí)尺寸的增加。第二級(jí)變換器的靈活使用和第一級(jí)變換器的響應(yīng)調(diào)整功能，增加了解決方案的可調(diào)性。采用此種解決方案，在保證數(shù)據(jù)中心成本和尺寸不變的同時(shí)，可實(shí)現(xiàn)每機(jī)架100kW的功率密度。
2021-05-26 19:13:52
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
的推出，為業(yè)界提供了最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗。FDMC8010采用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench技術(shù)，非常適合要求在小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)最低RDS(ON)的應(yīng)用，包括：高性能DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)
2012-04-28 10:21:32
電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） . 產(chǎn)品規(guī)格 AUIRF8736M2適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車系統(tǒng)、水泵等。
2018-09-28 15:57:04
克服了上述問題，可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
的MOSFET設(shè)計(jì)，就無法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級(jí)里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個(gè)功率MOSFE器件。相對(duì)于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過芯片級(jí)創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
, 同步整流, 太陽能微逆變器, 低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用量身定制。英飛凌新的OptiMOS 產(chǎn)品在以下方面具有最佳方案：－在各種負(fù)載情況下降低功率損耗提升能效－采用CanPAK 或者 S3O8更能節(jié)省空間
2012-07-13 10:50:22
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高
2022-06-14 10:14:18
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
設(shè)計(jì)帶來更低的溫升更高的可靠性。 那么，在設(shè)計(jì)過程中如何才能提高電源模塊產(chǎn)品的功率密度呢?工程師可以從下面三個(gè)方向入手：第一，工程師可以在線路設(shè)計(jì)過程中采用先進(jìn)的電路拓樸和轉(zhuǎn)換技術(shù)，實(shí)現(xiàn)大功率低損耗
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
的BLDC電機(jī)時(shí)，功率密度就是游戲的代名詞。TI新的功率模塊解決方案可在前所未有的水平上實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。其他信息有關(guān)這些新功率模塊的更多信息，請(qǐng)查看具有40V CSD88584Q5DC的18V / 1kW
2017-08-21 14:21:03
是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車等大型車輛客戶對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
怎么測(cè)量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
%。對(duì)損耗的改善情況顯示在圖4中，尤其是在15A的峰值電流下的損耗降低得非常明顯。結(jié)論：TrenchFET IV產(chǎn)品用在同步降壓轉(zhuǎn)換器中，能夠提高整體的系統(tǒng)效率和功率密度。這些產(chǎn)品的更高性能還能夠實(shí)現(xiàn)更小
2013-12-31 11:45:20
具有更高的熱性能和堅(jiān)固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致： 優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動(dòng)態(tài)開關(guān)性能; 功率密度比主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的模塊高20-30%; 更低的熱阻
2023-02-20 16:26:24
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
分立式電源解決方案和預(yù)先設(shè)計(jì)好的模塊之間最常見的折衷之處就是，占據(jù)的空間和提供的相關(guān)功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉(zhuǎn)換功率的瓦數(shù)；通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對(duì)設(shè)備
2018-12-03 10:00:34
定制DCB（直接銅粘合）布線和引腳而獲得的應(yīng)用靈活性；降低客戶開發(fā)周期和成本；高功率密度；集成式溫度傳感器；低雜散電感模塊設(shè)計(jì)；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌已成功將這些模塊納入其汽車功率模塊產(chǎn)品組合。因此
2018-12-07 10:13:16
開發(fā)人員來說，功率密度是一個(gè)始終存在的挑戰(zhàn)，對(duì)各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對(duì)更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個(gè)單極里的多個(gè)放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體研發(fā)了智能功率級(jí)（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811 2016年5月10日，德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示，在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01467 
。該模塊分別針對(duì)CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點(diǎn)損耗進(jìn)行了優(yōu)化，具有更高的功率密度和高達(dá)48 kHz的開關(guān)頻率，適用于新一代1500V光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用。
2019-09-14 10:56:003726 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率而設(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 可以把開關(guān)頻率提升到100kHz左右的，得益于IGBT技術(shù)進(jìn)步和軟開關(guān)技術(shù)應(yīng)用，家用的逆變焊機(jī)功率密度高，焊機(jī)重量輕體積小，真正實(shí)現(xiàn)便攜式。
2020-03-31 15:32:383409 帶有降壓穩(wěn)壓器的Recom RPX-2.5電源模塊采用集成的倒裝芯片技術(shù)，提供高功率密度和優(yōu)化的散熱管理功能。
2020-05-22 11:24:512951 通過對(duì)同步交流對(duì)交流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:00
0 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251014 
機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 使用此SMD封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(zhǎng)使用壽命等等。請(qǐng)聯(lián)系您當(dāng)?shù)氐?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌代表，詳細(xì)了解無風(fēng)扇伺服驅(qū)動(dòng)的實(shí)現(xiàn)、機(jī)器人和自動(dòng)化行業(yè)的逆變器-電機(jī)一體化，以及低功率緊湊型充電器解決方案。 CoolSiC溝槽MOSFET技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化，將性能與
2020-11-03 14:09:492695 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:022084 10A DC/DC 微型模塊在一個(gè)緊湊封裝內(nèi)提供了新的功率密度級(jí)
2021-03-19 08:07:577 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:519 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:175 3D封裝對(duì)電源器件性能及功率密度的影響
2021-05-25 11:56:0315 與業(yè)內(nèi)人士交流互動(dòng)產(chǎn)品和應(yīng)用技術(shù)。 借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們?cè)谡箷?huì)會(huì)場(chǎng)，隆重舉辦第三屆碳化硅應(yīng)用技術(shù)發(fā)展論壇，敬請(qǐng)蒞臨。 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置
2021-08-24 09:31:502748 的散熱
通過機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:261733 CoolSiC? MOSFET集高性能、堅(jiān)固性和易用性于一身。由于開關(guān)損耗低，它們的效率很高，因此可以實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
V 阻斷電壓的六組全橋模塊，針對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 中的牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術(shù)之上，能夠在高性能應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:471317 
電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當(dāng)今空間受限的高功率汽車應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:112783 
功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià)，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)；一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)，而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:213713 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢(shì)，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02723 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201160 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
為了實(shí)現(xiàn)全球氣候目標(biāo)，交通運(yùn)輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛，比如節(jié)能的電氣化列車。然而，列車運(yùn)行有苛刻的運(yùn)行條件，需要頻繁加速和制動(dòng)，且要在相當(dāng)長(zhǎng)的使用壽命內(nèi)可靠運(yùn)行。因此，它們需要采用具備高功率密度
2023-06-22 10:14:43332 
增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動(dòng)器、太陽能、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電站和電動(dòng)汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:06375 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
2023-11-23 09:08:35284 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 德州儀器（TI）近日推出兩款創(chuàng)新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，旨在幫助工程師在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出，從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性的技術(shù)進(jìn)展，無疑將推動(dòng)汽車和工業(yè)系統(tǒng)等領(lǐng)域的技術(shù)革新和性能提升。
2024-03-15 09:55:13107 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29126
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