`功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
。 功率場效應(yīng)管(MOSFET)的特點(diǎn)功率場效應(yīng)管(MOSFET)與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：1．場效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動大電流時無需推動級，電路較
2011-12-19 16:52:35
;lt;font face="Verdana">功率場效應(yīng)管MOSFET,功率場控晶體管</font><
2009-05-12 20:38:45
功率場效應(yīng)管MOSFET,功率場控晶體管
2019-04-10 10:02:53
場效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動大電流時無需推動級，電路較簡單。
2019-09-30 09:01:58
功率場效應(yīng)管的驅(qū)動
2012-08-20 21:01:05
1、驅(qū)動電路功率場效應(yīng)管為單極型器件，輸入阻抗高。因而開關(guān)速度快，驅(qū)動功率小，電路簡單。但其極間電容較大，因此工作速度和驅(qū)動源的內(nèi)阻抗有關(guān)，柵極驅(qū)動電路的形式各種各樣，按驅(qū)動電路與柵極的連接方式
2018-01-31 10:01:49
功率場效應(yīng)管（VMOS）是單極型電壓控制器件。具有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等顯著特點(diǎn)，還具有電流負(fù)溫度系數(shù)、良好的電流自動調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)。其
2018-01-29 11:04:58
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管，O代表絕緣柵場效應(yīng)管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型
2021-05-13 06:13:46
二次擊穿現(xiàn)象，安全工作區(qū)域?qū)挼忍攸c(diǎn)，主要分為兩種：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET)和絕緣棧型場效應(yīng)管（MOSFET)。對N溝道結(jié)型場效應(yīng)管2N3370的輸出特性進(jìn)行分析。對N溝道增強(qiáng)型MOSFET2N7000的輸出特性進(jìn)行仿真
2012-08-03 21:44:34
（1）場效應(yīng)晶體管的源極S、柵極G、漏極D分別對應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖1-6-A所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖1-6-B所示是P溝道場效應(yīng)晶體管
2019-03-28 11:37:20
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2018-03-17 14:19:05
，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。一、場效應(yīng)管的分類 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全
2011-12-19 16:30:31
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管
2019-06-18 04:21:57
。場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。場效應(yīng)晶體管作用是什么1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管
2019-05-08 09:26:37
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機(jī)驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路，可選用功率
2021-05-13 07:10:20
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設(shè)計(jì).doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機(jī)H橋驅(qū)動電路方案.doc詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路.doc場效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識.doc全系列場效應(yīng)管
2019-08-11 22:46:35
溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管。也可以任意測量結(jié)型場效應(yīng)晶體管任意兩個電極之間的正、反向電阻值。若測出某兩只電極之間的正、反向電阻均相等，且為幾千歐姆，則這兩個電極分別為漏極D和源極S，另一個電極為柵極G
2021-05-25 07:05:04
場效應(yīng)管與雙極型三極管的比較
2012-08-20 08:46:13
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
場效應(yīng)晶體管NMOS場效應(yīng)晶體管。由此觀之，“雙極”、“單極”是指晶體管中參與導(dǎo)電的載流子類型數(shù)，如同通訊系統(tǒng)的“雙工”、“單工”的區(qū)別一樣，而不是應(yīng)該是“雙結(jié)”和“單結(jié)”。轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)`
2012-07-11 11:42:48
在場效應(yīng)管對照表中，收編了美國、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場次晶體管（MOSFET）、肖特基勢壘控制柵場效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體
2021-05-11 06:19:48
、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。一、場效應(yīng)管的分類 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名，絕緣柵型場效應(yīng)管
2013-03-27 16:19:17
，不消耗信號源功率，因此它的輸入電阻很高，它還具有很好的溫度特性、抗干擾能力強(qiáng)、便于集成等優(yōu)點(diǎn)。 場效應(yīng)管是靠一種極性的載流子導(dǎo)電，它又被稱為單極性三極管，它分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管
2012-07-11 11:36:52
：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下
2012-07-28 14:13:50
。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場效應(yīng)管，稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOSFET。以功能類型劃分，MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，其中耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
2019-07-29 06:01:16
場效應(yīng)管的特性是什么場效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場效應(yīng)管怎么選用？場效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷Y(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表
2008-06-03 14:57:05
作阻抗變換。 3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 場效應(yīng)管的測試 1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別： 場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管
2021-05-13 06:55:31
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。 場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
。 ①場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線 柵極電壓（UGs）對漏極電流（ID）的控制作用稱為轉(zhuǎn)移特性，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取
2020-12-01 17:36:25
場效應(yīng)管的參數(shù)場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
這2圖是2個場效應(yīng)管的手冊，里面的功率看得有點(diǎn)亂，有沒有人能教下怎么看，謝謝
2019-03-10 21:09:56
場效應(yīng)管的測試1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別： 場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某
2009-04-25 15:43:42
場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11
，場效應(yīng)管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道場效應(yīng)管的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚場效應(yīng)管的柵極
2020-07-10 14:51:42
Uds的增加而增加，Id由Ugs決定，相當(dāng)于雙極型晶體管的線性放大區(qū)。3.截止區(qū)：很好理解，Ugs另外，當(dāng)Uds增加到一定程度，管子會被擊穿，漏極電流迅速增大，此時為擊穿區(qū)，應(yīng)該避免。轉(zhuǎn)移特性即漏極電壓
2019-06-25 04:20:03
舉例而言，一個結(jié)型場效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負(fù)載，此時場效應(yīng)管可以看做是一個互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎?b class="flag-6" style="color: red">極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
不會有明顯的改變。此時三極管功率基本不變，電流達(dá)到飽和，電壓降也已經(jīng)是最小值。
場效應(yīng)管以N增強(qiáng)型為例，其本質(zhì)是一個壓控電阻，通過控制柵源電壓控制漏源電阻，具有互導(dǎo)特性，輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45
電壓低并且允許從信號源汲取更多電流時，應(yīng)使用晶體管。(2)場效應(yīng)管利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，故稱為單極器件，晶體管既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子導(dǎo)電，它被稱為雙極器件。(3)部分場效應(yīng)管的源漏極可以互換
2021-12-09 16:26:24
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
分為增強(qiáng)型和耗盡型，這兩種電子元器件工作原理略有不同，增強(qiáng)型管在柵極（G）加上正向電壓時漏極（D）和源極（S）才能導(dǎo)通，而耗盡型即使柵極（G）沒加正電壓，漏極（D）和源極（S）也是導(dǎo)通的。其實(shí)到這場效應(yīng)晶體管
2019-04-15 12:04:44
，使Gate和Drain之間的場被建立，從而觸發(fā)這種場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。 MOSFET的主要用途： MOSFET在工業(yè)中有廣泛的應(yīng)用，主要用在邏輯電路，放大電路，功率電路等方面。普遍
2023-03-08 14:13:33
縮小每個晶體管面積以獲得相同的體積，從而在相同的總尺寸中產(chǎn)生更多的晶體管。 圖1.平面場效應(yīng)管 在平面設(shè)計(jì)中，澆口僅控制一個方向。在 3D 設(shè)計(jì)中，門纏繞在鰭片周圍，提供兩個或三個方向的控制（圖
2023-02-24 15:20:59
晶體管的開關(guān)。 第二部分 N型場效應(yīng)管的主要用途 N型場效應(yīng)管在一些工業(yè)設(shè)備和電子裝置中廣泛被用來控制信號的開關(guān)和功率的傳遞，可應(yīng)用于功率的放大器，適用于數(shù)字電路以及機(jī)械設(shè)備的控制等等。 N型
2023-03-08 14:21:22
晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作
2021-05-13 06:33:26
晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流
2021-05-13 06:40:51
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2017-09-07 18:09:11
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2018-03-25 20:55:04
,和場效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之- -，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不-樣，普通三極管是電流控制器件，二場效應(yīng)晶體管是電壓
2019-04-09 11:37:36
管的UGS一ID曲線，可明白看出IDSS和UP的意義。（3）開啟電壓開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。（4）跨導(dǎo)跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制
2019-04-04 10:59:27
件，它是繼三極管之后的新一代放大元件，場效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管，同時又有N溝道和P溝耗盡型之分。場效應(yīng)管一般用于開關(guān)作用，有開關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開關(guān)電源等，應(yīng)用場
2023-02-13 15:43:28
和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者，只允許從信號源取較少電流的情況下應(yīng)優(yōu)先選用場效晶體應(yīng)管。三、三極管與場效應(yīng)晶體管區(qū)別特征：1、三極管之所以又被稱為雙極型管子，是因?yàn)楣茏釉诠ぷ鲿r內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與
2019-04-08 13:46:25
場效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過了三極管了么，三極管會不會被淘汰？為什么總是討論三極管問題？我是初學(xué)者，剛學(xué)了場效應(yīng)管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
件，它是繼三極管之后的新一代放大元件，場效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管，同時又有N溝道和P溝耗盡型之分。場效應(yīng)管一般用于開關(guān)作用，有開關(guān)用以及有功率用。特別是電機(jī)、開關(guān)電源等，應(yīng)用場
2023-02-08 17:22:23
1三極管基本特性晶體管分為三極管和場效應(yīng)管，三極管電路的學(xué)習(xí)更具普遍性，場效應(yīng)管的應(yīng)用我們放到后面電源管理的章節(jié)介紹。晶體管都可分為N型和P型，具體到三極管就是NPN三極管和PNP三極管。我們主要
2021-12-30 07:30:30
類型挑選好場效應(yīng)晶體管電子元件的第一步是取決選用N溝道或是P溝道場效應(yīng)晶體管。在典型的功率使用中，當(dāng)1個場效應(yīng)晶體管接地，而負(fù)載接入到干線電壓上時，該場效應(yīng)晶體管就組成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選
2019-09-01 08:00:00
``中山回收場效應(yīng)管 中山場效應(yīng)管回收136-3166-5055銘盛電子科技長期收購IC，二，三極管，大小功率管，場效應(yīng)管，，三端穩(wěn)壓，整流橋，光耦，繼電器，變壓器，連接器，鉭電容，電感，磁珠，電容
2020-07-25 16:29:37
二極管三極管與晶閘管場效應(yīng)管解析
2021-02-24 09:22:34
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動功率高，但驅(qū)動電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
。 計(jì)算鰭式場效應(yīng)晶體管寬度 （W） 鰭式場效應(yīng)晶體管的通道（鰭片）是垂直的。該設(shè)備需要牢記特定尺寸。喚起馬克斯·普朗克的“量子”，F(xiàn)inFET表現(xiàn)出一種稱為寬度量化的特性：其寬度是其高度的倍數(shù)。隨機(jī)
2023-02-24 15:25:29
的使用中也是必不可少的。我們知道場效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管;絕緣柵型場效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)管，或簡稱MOS場效應(yīng)管. 1、如何防止絕緣柵型場效應(yīng)管
2016-01-26 10:19:09
VT稱為增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓。 單極型晶體管特點(diǎn) 輸入電阻高，可達(dá)107~1015Ω，絕緣柵型場效應(yīng)管（IGFET）可高達(dá)1015Ω。 噪聲低，熱穩(wěn)定性好，工藝簡單，易集成，器件特性便于
2020-06-24 16:00:16
很多應(yīng)用中，甚至可以直接貼換三極管。1概述場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有...
2021-07-14 06:38:07
情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計(jì)方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
1200AC：脈沖恒流源50uS~300uSD：Vce測量精度2mVE：Vce測量范圍0~8VF：電腦圖形顯示界面G：被測量器件智能保護(hù)二：應(yīng)用范圍A：大功率IGBT（雙極型晶體管）B：大功率場效應(yīng)管
2015-03-11 13:51:32
1. 場效應(yīng)晶體管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而場效應(yīng)晶體管是電壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
如何快速定性判斷場效應(yīng)管、三極管的好壞？怎么判斷結(jié)型場效應(yīng)管的電極？有什么注意事項(xiàng)？如何判別晶體三極管管腳？
2021-05-10 06:36:25
如何挑選出好的場效應(yīng)晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
`從型號區(qū)分 場效應(yīng)管型號如IRF......... 三極管型號如國產(chǎn):3DD,國外:2S......... 場效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管，O
2012-07-11 11:41:15
常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)常用場效應(yīng)管及晶體管參數(shù)場效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
場效應(yīng)管的G極和S極是絕緣的，其阻抗達(dá)數(shù)十兆歐姆，理論上驅(qū)動場效應(yīng)管只需要電壓不需要電流，也就是零功率驅(qū)動，但許多電路尤其是要驅(qū)動功率較大的場效應(yīng)管時，在G極前面卻有一個用PNP型和NPN型三極管
2019-05-22 08:29:46
明原先假定是正確的。再次測量的阻值均很小，說明是正向電阻，屬于P溝道場效應(yīng)管，黑表筆所接觸的也是柵極G。若不出現(xiàn)上述情況，可以互換紅黑表筆，按上述方法進(jìn)測試，直至判別柵極爲(wèi)止。普通結(jié)型效應(yīng)晶體管的源極
2019-03-21 16:48:50
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP14N85XM場效應(yīng)管MOS管驅(qū)動跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。在MOS
2020-03-20 17:14:07
和工作原理電力場效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時又有耗盡型和增強(qiáng)型之分。在電力電子裝置中，主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)型。電力場效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS管相同，但結(jié)構(gòu)有
2020-03-20 17:09:10
`晶體三極管簡稱三極管，和場效應(yīng)晶體管一樣，具有放大作用和開關(guān)特性的，是電子設(shè)備中的核心器件之一，應(yīng)用十分廣泛。三極管和場效應(yīng)晶體管雖然特性，外形相同，但是工作原理卻大不一樣，普通三極管是電流控制器
2019-03-27 11:36:30
的種類繁多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效晶體應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)晶體管；絕緣柵型場效應(yīng)晶體管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或簡稱MOS場效應(yīng)晶體管。1、防止絕緣柵型場效晶體應(yīng)管擊穿由于絕緣柵場效應(yīng)管
2019-03-26 11:53:04
1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
IGBT 是一種功率開關(guān)晶體管，它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡稱為 IGBT，是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場效應(yīng)晶體管的交叉，使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
功率場效應(yīng)管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:42
1457 
功率場效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。
一．功率場效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:144643 
功率場效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0926486 
除了RDS(ON)之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數(shù)也對電源設(shè)計(jì)人員非常重要。許多情況下，設(shè)計(jì)人員應(yīng)該密切關(guān)注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)(SOA)曲
2021-01-07 16:56:473430
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