一： LDO 的選型和設計

　　1： LDO 的重要技術指標：

　　導通壓降：

　　定義為維持輸出電壓在標稱值的100mV 范圍內時，輸入電壓與輸出電壓的最小差值。這個指標直接反映出效率和電池壽命。

　　靜態電流/地電流（Iq or Ignd ）： LDO在無負載工作時自身所需要的電流，直接反映出效率。

　　工作電流： 調壓器在滿負載工作時，自身所需要的電流，直接反映出效率

　　PSRR – Power Supply Rejection Ratio電源干擾抑制率比：反映了電源的變化對該器件的性能指標的影響．也反映了電源輸出產生的紋波反射到該器件的輸入端的大?。兴p輸出紋波反饋到輸入的作用．

　　小寫δ指電壓的AC值： 從100Hz，1KHz， 10kHz，100kHz.

　　2： LDO的選用和使用：

　　I： 選用LDO的不同封裝

　　根據最高環境溫度和最大功耗選擇LDO的封裝含義如下：

　　LDO 的最大功耗：

　　Pmax=（Vin-Vout）x Iout+IqxVin（可以忽略）

　　不同封裝最大能耗散的功率：

　　二者必須滿足以下關系式：

　　Pmax《Pd

　　例如：Vin=4.2V，Vout=3.0V@200mA TPS79930DDC 封裝為： TSOT-23 Iq=40uA

　　工作于：Tj=1250C， Ta=700C， Rtherta=2000C/W

　　Pmax=（4.2-3.0）x200mA+40uAx4.2V=240mW.

　　PD = （TJ - TA）/ JA。=（125-70）/200=275mW.

　　Pmax《Pd， 故可以選用此封裝LDO

　　下表所附是TI TPS79930 系列LDO的不同封裝的熱阻及該封裝在不同環境下的最大功耗：

　　II： 選用LDO的輸出電容：

　　此表反映了某系列LDO容許的輸出電容ESR的大小在4Ω 到10mΩ：

　　過大過小ESR 輸出電容可能導致LDO系統內相位余量不夠而不穩定， 如下圖所示：

　　低的 ESR （50mOhm） 將零點移到高頻。

　　這樣一來零點發生在0dB穿越頻率之后，意味著PL，P1兩個極點產生-180度總相移。

　　系統不穩定。

　　當然TI也有一系列LDO輸出無須輸出電容：TPS732XX，由于內部誤差運算放大器的相位余量足夠大，所以無須外加電容，除非輸出電容的ESR和所有寄生電阻的乘積小于50nWF;另由于此類LDO內部集成了一電荷泵提供內部調整管的工作電源，其輸入電壓最低可以達1.7V．所以從1.8V直接降壓到1.5V，1.2V ，在輸出電流達250MA最低壓差為40mV