周遭世界充斥著各種執行重復性作業的機器，例如智慧電表會讀取并記錄耗電數據，然后每隔幾分鐘再將讀取到的數據，上傳至區域匯整設備進行重置，并重復之前的動作。其他設備如可攜式醫療儀器、工廠生產線設備和無電刷馬達等，也都必須進行一連串的量測動作，并對量測數據做出反應，然后再重新開始同樣的流程。各式各樣的工業產品，如在線式參數記錄器、錯誤記錄器、引擎監視器及電池充電器及暖氣/通風/空調設備控制器（HVAC）等，也都會運用到重復性事件管理元件。

　　整體效能大勝EEPROM　nvSRAM適于重復性事件應用

　　在許多應用中，持久性或非揮發性記憶體是處理重復性事件的必備元件。智慧電表絕不能在處理復雜作業時因電力中斷而出現故障，因一旦讀數流失就必須即時重新擷取，還有可能會遭遇樣本遺失、材料損毀，導致營運商和使用者不滿等問題。

　　重復性事件記憶體容量通常僅須16k？2MB，并擁有低成本、低切換雜訊的序列介面，且必須以合理的速度如串列周邊介面（SPI）、內部整合電路（I2C）進行隨機存取與循序式讀取/寫入動作。

　　以往最能符合需求的元件，就是序列式電子可抹除式唯讀記憶體（EEPROM），這種平價記憶體在成本、密度及讀/寫速度方面，都能符合此類應用的需求，但卻有兩項缺點，其中之一是耐用度有限，一般最高上限僅允許十萬次儲存；其次是晶片/區塊抹寫時間有可能超過1秒，設計人員得花很多時間排除這些難題之后，才能享受序列式EEPROM帶來的成本優勢。專為重復性事件系統量身打造的非揮發靜態隨機存取記憶體（nvSRAM），運作模式類似SRAM，能進行高速讀取、高速寫入、隨機存取和連續爆發（Burst）模式，但卻沒有序列式EEPROM或序列式快閃元件在抹寫區塊與IC資料時作業時間冗長的問題，使用者完全不會感覺到在幕后工作的非揮發性記憶體。

　　IC一旦偵測到電源異常時，就會自動把所有資料移到非揮發儲存元件，在電源中斷時儲存資料完全不會受損。當電力恢復后，系統會自動把資料移回SRAM，系統會回復到電力中斷之前的狀態繼續運作。

　　這類非揮發性記憶體的耐用度超過一百萬次儲存。由于這些儲存事件僅在出現電力中斷時才會發生，因此對于嵌入式與工業應用而言，如此的耐用度實際上等同于無限。SRAM則是在正常模式下持續運作，具備無次數上限的讀取與寫入功能。

　　此外，在這些低密度記憶體中，增加的單元電路會提供nvSRAM處理結果，而且成本很接近序列式EEPROM或序列快閃元件，考量到它對重復性事件應用帶來的改良效益，可說是相當劃算的選擇。