,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內,mos即會正常工作,超出承受范圍,即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗,不同mos這個差距可能很大。
2023-05-08 11:09:452180 51單片機能做指紋鎖,被heck的可能性大嗎?求大神解答
2023-10-28 06:06:38
P溝道MOS管和N溝道MOS管的互補性體現在哪里????????求大神幫助!!!!!!!
2013-09-24 16:50:43
驅動的使用,當然就是用它的開關作用。接下來我們來了解MOS管發熱五大關鍵技術。1、芯片發熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片
2015-12-16 15:53:00
可能導致整個電路板的損毀。其發熱情況有:1、電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全
2018-11-24 11:17:56
管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流
2018-10-31 13:59:26
` 做電源設計,或者做驅動方面的電路,難免要用到場效應管,也就是人們常說的MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅動的使用,當然就是用它的開關作用。接下來我們來了解MOS管發熱五大
2019-02-28 10:50:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:00 編輯
三極管B/E極從現有電路斷開,B極上拉10K到電源,B極接按鍵到地,E極接地,C極保持現有不變MOS管換成P管這樣實現的功能
2012-07-11 11:47:21
有誰用過IRLML6401,接法如下圖,但是mos管不能導通是什么原因?
2015-12-18 11:19:37
01MOSFET的擊穿有哪幾種?02如何處理mos管小電流發熱嚴重情況?03mos管小電流發熱的原因04mos管小電流發熱嚴重怎么解決05MOS管為什么可以防止電源反接?06MOS管功率損耗測量
2021-03-05 10:54:49
揭秘mos管電路邏輯及mos管參數 1.開啟電壓VT 開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;·標準的N溝道MOS管,VT約為3~6V;·通過工藝上的改進
2018-11-20 14:06:31
只有2.6左右了, 可怕! 還有消耗電能和發熱問題. 因此MOS管的 "0壓降" + "大電流" , 就越來越普遍被用在防反接電路中.建議使用最上面的方案(N MOS管), 因為N...
2021-11-12 07:24:13
MOS管詳解,讓你頭痛的MOS管不在難~!!!
2018-06-25 09:57:31
最近在做一個Mos管驅動產品,發現發燙得厲害,然后參考了其他競品發現都有增加這么一個二極管,依樣增加上去后就不燙了,這就是是什么原因呢?在網上找到了原因,如下:再看MOS管本身DS極間也有個二極管
2021-09-14 07:49:42
1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全
2020-10-10 11:21:32
發現MOS管發熱,找了半天原因都不清楚,后來換了一個感量一樣,線徑一樣,只是中柱粗一號的電感,就好了,哪位高人指導下!用在開關電源后面,濾波的~
2013-02-28 09:56:24
詳解MOS管驅動電路在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優秀
2017-08-15 21:05:01
刨根問底。對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小,且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用NMOS,下面的介紹中,也多以NMOS為主。MOS管的三個管教之間有
2017-12-05 09:32:00
電路中ADN8831接TEC正極的那兩個MOS管為集成的FDW2520,上電之后有控溫,柵極處有PWM波占空比的變化,但是MOS管發熱異常,之前不會很燙,會是什么問題?電路如附件圖片中,其中MOS管型號為FDW2520附件ADN8831應用電路.jpg120.2 KB
2019-03-05 12:11:15
1、芯片發熱 本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS
2017-12-11 13:48:05
1、芯片發熱本帖內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管
2014-11-05 16:24:00
24v升380v 空載時電壓輸出正常帶載后,輸入功率增大,觸摸后發現mos管發熱嚴重,輸出電壓也不能達到規定值1.為什么一旦帶載,mos管就發熱這么嚴重2。如何解決無法帶載的問題(5033的cs引腳的采樣電阻已經減小到4毫歐)
2020-08-10 16:16:23
DC1411A Demo Board帶相同負載,芯片和電感,MOS管都沒有嚴重的發熱。用DC1411A Demo Board上的電感取代我選的一體成型電感,電感不發熱,但MOS管還是一樣發熱。用我的電感放在DC1411A Demo Board上測試,電感也會發熱,但溫升明顯要低。這是什么原因呢?
2024-01-03 10:28:54
你好,我想用我的PSoC5LP板(CY8C55)做多個應用程序,我想知道與低通濾波器進行硬件連接的可能性,因為這些值被限制為C= 5PF-10PF和R=200K-1000 K,我們有四的可能性打破頻率值。有可能增加硬件連接來增加這個值的可能性嗎?
2019-08-13 10:52:23
橋設置死區的地方,本來應該低電平的,卻有一個足以驅動MOS管的脈沖電壓,導致MOS管發熱嚴重。想問問各位大神,是什么原因,有什么辦法解決呢?謝謝。圖中的畸變還不算厲害,但強電電壓上去后,就很高了。
2016-06-23 08:25:22
全橋逆變后接的是容性負載,全橋的高壓是220v整流的,驅動是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉裂了 是由于負載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發熱損壞 由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因
2018-10-29 14:07:49
功率最大(更粗線表示)。所以一定充電電流下,紅色標注區間總電荷小的管子會很快度過,這樣發熱區間時間就短,總發熱量就低。所以理論上選擇Qgs和Qgd小的mos管能快速度過開關區。導通內阻。Rds
2019-07-26 07:00:00
什么是MOS管?MOS管的工作原理是什么?MOS管和晶體三極管相比有何特性呢?
2022-02-22 07:53:36
、功率管發熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發熱燒壞MOS管技術。1、芯片發熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA
2017-12-19 13:51:55
這個電路MOS管發熱嚴重,直接把錫融掉了,電機功率70W,電池是兩串鋰電池供電。單片機供電為5V。想知道這個電路是不是有問題,MOS管為30V/80A的。
2022-02-11 08:28:02
管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流
2018-10-25 14:40:18
的功耗分成兩部分,開關損耗和導通損耗。要注意,大多數場合特別是LED市電驅動應用,開關損害要遠大于導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關,所以要解決MOS管的發熱可以從
2018-12-29 14:51:27
1、芯片發熱 主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS管
2018-12-07 11:57:38
MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低c、v...
2021-12-28 08:05:00
,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規格之內,mos即會正常工作,超出承受范圍,即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗(不同mos這個差距可能很大。Mos損壞主要原因:過流----------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀;過壓
2021-07-05 07:19:31
48v,這樣開關發熱損耗也降低了一半,不燒管子了。 這也是高壓控容易燒管子原因,高壓控制器和低壓的只有開關損耗不一樣(開關損耗和電池端電壓基本成正比,假設限流一樣),導通損耗完全受mos內阻決定
2020-06-26 13:11:45
電路疑問,加上10Ω電阻之后,變壓器、MOS管發熱膩害,有前輩知道原因嗎?
2020-08-26 08:08:29
兩個mos管,第一個MOS管柵極接單片機io口,通過io口控制通斷繼而控制第二個mos管通斷,開關頻率要求不高,對開關時間和導通電阻有要求,開關時間和導通電阻都要盡可能小,有沒有推薦的電路圖和MOS管,圖片是我畫的簡單示意圖
2018-10-16 22:40:53
場效應管發熱的原因1、電路設計的問題就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關電路狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS
2021-11-12 06:33:53
嗨, 我正在嘗試使用多個VL6180X傳感器并將它們連接到機械臂上。它們之間是否存在干擾的可能性?如果答案是肯定的,有什么辦法可以避免嗎? 謝謝 碼頭#多vl6180x以上來自于谷歌翻譯以下為原文
2018-09-20 09:50:59
1.MOS管并聯的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內阻的溫度特性是隨溫度的升高內阻也增大,如果在并聯過程中由于某種原因(比如RDSON比較低,電流路徑比較短等)導致
2018-10-12 16:47:54
大家好,也許是一個愚蠢的問題,但是......如何啟用在配置 - > Revup 配置部分中輸入我自己的設置的可能性。ST 電機控制工作臺版本。5.4.4.20160。我這里有空格我想要這樣的東西
2023-01-29 07:26:04
MOSFET的擊穿有哪幾種?如何處理MOS管小電流發熱嚴重情況?MOS管小電流發熱的原因MOS管小電流發熱嚴重怎么解決MOS管為什么可以防止電源反接?
2021-03-29 08:19:48
大神們,我在用matlab進行gamma可能性分析時,不知如何計算gamma值的SD SE,見笑了,實在沒查到資料,望了解的可以解答一下,多謝多謝!
2019-02-23 09:28:12
存儲級內存(SCM)取代NAND閃存的可能性分析
2021-01-05 06:23:08
MOS發熱問題的分析和測試
2021-03-09 06:00:13
可能擊穿其G-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護場效應管的作用。<p></p> 挖掘mos管被擊穿的原因及解決方案`
2018-11-05 14:26:45
的虛連、虛斷兩個重要原則就是基于這個特點。這是三極管不可比擬的。 9、發熱原因 Mos管發熱,主要原因之一是寄生電容在頻繁開啟關閉時,顯現交流特性而具有阻抗,形成電流。有電流就有發熱,并非電場型
2019-01-03 13:43:48
作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較
2018-11-30 12:00:43
`這是在常溫36.5℃下測試的照片,6個mos管沒加散熱的情況下溫度在50℃與78攝氏度這兩個溫度間徘徊.請問這正常嗎`
2018-09-07 18:59:31
是什么原因導致了MOS管發熱?
2021-06-07 06:21:08
有做過無刷電機驅動的小伙伴嗎?驅動mos管發熱嚴重求解決方法
2018-07-21 16:41:17
1.MOS管并聯的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內阻的溫度特性是隨溫度的升高內阻也增大,如果在并聯過程中由于某種原因(比如RDSON比較低,電流路徑比較短等)導致
2018-11-28 12:08:27
時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。 典型電路: 二、器件發熱損壞 由超出安全區域弓|起發熱而導致的。發熱的原因
2018-11-21 13:52:55
加入保護電阻,所以這也是MOS管可能擊穿的原因,而通過更換一個內部有保護電阻的MOS管應可防止此種失效的發生。還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以
2012-07-14 15:34:14
增多。 物聯網的諸多工業可能性 在DLP技術支持下,手持分光計能夠連接到存有數以千計參考材料的云支持數據庫。例如,醫院和藥店的醫務人員可以使用該解決方案對藥物進行遠程掃描,確定藥物成分是否正確或者藥品
2019-03-13 06:45:09
和智能家居應用等遠程傳感領域中,客戶通過DLP技術創造著具有新型、獨特功能的產品。在制藥、農業和制造業等各種工業領域,開發人員和工程師使用的物聯網功能也日益增多。物聯網的諸多工業可能性 在DLP技術支持
2022-11-14 07:55:03
`做了一個無刷直流電機驅動板,但是現在MOS管發熱太嚴(MOS管型號CSD18540)。測試波形如下圖。想問一下有沒有大佬知道怎么解決散熱問題?(增加散熱片沒什么效果)`
2020-03-26 16:46:00
引起電源模塊發熱的4個主要原因分別是什么?一摸電源模塊的表面,熱乎乎的,模塊壞了?且慢,有一點發熱,僅僅只是因為它正努力地工作著。但高溫對電源模塊的可靠性影響極其大!基于電源模塊熱設計的知識,這一次
2022-01-03 07:38:45
。電源模塊在電壓轉換過程中有能量損耗,產生熱能導致模塊發熱,降低電源的轉換效率,影響電源模塊正常工作,并且可能會影響周圍其他器件的性能,這種情況需要馬上排查。但什么情況下會造成電源模塊發熱嚴重呢?具體原因如下所示:一、使用的是線性電源線性電源工作原理如下圖1,通過調節調整管RW改變輸出電壓的大小。..
2021-12-31 06:15:36
此電路為12V1.45A限流電源輸入,上半部緩啟動,下半部降壓為5V。兩條紅線是短接線,紅圈是發熱的mos。驗證電路故障時的工作情況,已確保芯片或者輸入二級管損壞后,整個電路不會嚴重發熱,是安全
2019-02-24 12:20:18
MOS管發熱情況有: 1.電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導
2013-10-30 17:32:39
1、芯片發熱 主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的最大電流來自于驅動功率MOS
2021-12-28 08:00:59
1. MOS損耗MOS管是開關電源中常見器件之一,在評估開關電源效率的時候,對于MOS管的選型十分重要,如果選擇的MOS不合適,電路該部分的發熱會非常嚴重,影響效率。因此,在考慮到設計開關電源的效率
2021-07-29 06:01:56
哪幾種可能性,造成ADC轉換的碼值異常?現象1:不是所有采樣通道都會異常。現象2:異常碼值要么歸零要么變小,沒有變大的(見圖1和圖2)。現象3:用示波器觀察給運放供電的正負15V,以及DSP的3.3V
2018-06-14 00:43:40
輸入電壓110V,緩啟動后面接了兩個220uf電容。以前同樣的電路實驗沒有問題,后來幾年后也是同樣的電路拿出來用,結果燒mos管。我猜測原因如下,不知道對不對,請各位大神指教。電源上電的時候
2020-05-20 10:06:20
貌似ST又開始申請評估板了,大家拿到的可能性有多大啊?
2012-03-05 20:39:05
很經典的MOS管電路工作原理詳解,由55頁PPT制作而成的PDF文檔,免費供大家下載!
2019-05-10 10:14:15
本文主要介紹了場效應管發熱嚴重的原因以及場效應管的工作原理。場效應管是只要一種載流子參與導電,用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。由于電路設計、頻率太高、沒有做好足夠的散熱設計以及MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,都有可能造成場效應管發熱嚴重。
2018-01-30 15:13:2032198 最近,做了一款小功率的開關電源,在進行調試的時候,發現MOS管發熱很嚴重,為了解決MOS管發熱問題,要準確判斷是否是這些原因造成,最重要的是進行正確的測試,才能發現問題所在。
2018-08-20 10:34:4535751 功率MOS管在過較大的電流時會有發熱現象,電子元器件對溫度比較敏感,長期工作在高溫狀態下,會縮短使用壽命,所以要加快熱量的散發。
2020-02-12 14:16:0522291 電纜產生發熱現象后,如不找到原因及時排除故障,電纜繼續連續通電運行后將產生絕緣熱擊穿現象。造成電纜發生相間短路跳閘現象,嚴重的可能引起火災。
2020-03-12 16:23:2817628 MOS管表面貼裝式封裝方式詳解
2021-07-07 09:14:480 場效應管發熱的原因1、電路設計的問題就是讓MOS管工作在線性的工作狀態,而不是在開關電路狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS
2021-11-07 12:50:5912 。電源模塊在電壓轉換過程中有能量損耗,產生熱能導致模塊發熱,降低電源的轉換效率,影響電源模塊正常工作,并且可能會影響周圍其他器件的性能,這種情況需要馬上排查。但什么情況下會造成電源模塊發熱嚴重呢?具體原因如下所示:一、使用的是線性電源線性電源工作原理如下圖1,通過調節調整管RW改變輸出電壓的大小。..
2022-01-10 15:11:362 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發熱損壞、內置二極管破壞、由寄生振蕩導致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 完成電感的初步選擇后,我們通常會安排電路板測試。只有通過板測才能確定所選電感是否合適。前幾天網友留言問電感在板子上測試后發熱問題比較嚴重,但是還沒查出電感是什么問題。如果在電感上找不到原因,可能就要
2023-03-22 12:31:03523 電路設計的問題是讓MOS管在線工作,而不是在開關狀態下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開關,G級電壓比電源高幾V,P-MOS就相反了。未完全打開,壓降過大,導致功耗大,等效DC阻抗大,壓降大,U*I大,損耗意味著加熱。這是設計電路中最禁忌的錯誤。
2023-06-18 14:46:07552 如何處理MOS管小電流發熱?
2023-12-07 15:13:51226 Ton和Toff已經接近圖二要求的時間,MOS管24V時帶載27歐,輸出功率21.3W,輸出電壓正常,MOS管基本不發熱。 總結一:MOS管發熱原因小結(此處從網上搜集)
2023-12-11 13:46:40385 Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種常見的半導體器件,廣泛應用于各種電子設備中。然而,在實際應用中,MOS管可能會因為各種原因而損壞。本文將對MOS管損壞的原因進行分析
2023-12-28 16:09:38416
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