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300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET
- MOSFET(209664)
- 晶圓(126258)
- 功率器件(89421)
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基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達(dá)驅(qū)動、SMPS（包括服務(wù)器、電信和
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1494英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計魯棒性
最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
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英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431207
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# 英飛凌 | CoolSiC?器件為臺達(dá)雙向逆變器提供助力
：“英飛凌多年來一直引領(lǐng)著功率半導(dǎo)體的發(fā)展，致力于進(jìn)一步提高電源管理效率，是一個值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導(dǎo)體器件，我們能夠?qū)⑷N應(yīng)用整合到一個系統(tǒng)中，向著綠色能源的發(fā)展目標(biāo)邁出了一大步
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片150mm晶圓的消耗量，這里還未統(tǒng)計其他手機(jī)制造商對功率器件、其他平臺對光電子應(yīng)用的需求量。碳化硅（SiC）應(yīng)用持續(xù)升溫150mm晶圓的另一突出應(yīng)用領(lǐng)域是SiC功率MOSFET。如今，SiC功率
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193 nm ArF浸沒式光刻技術(shù)和EUV光刻技術(shù)
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500V N溝道超級結(jié)功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
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2023-09-15 08:19:34
600V N溝道超級結(jié)功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
650V N溝道超級結(jié)功率MOSFET
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
制造8英寸晶圓20周年
安森美半導(dǎo)體全球制造高級副總裁Mark Goranson最近訪問了Mountain Top廠，其8英寸晶圓廠正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點(diǎn)開設(shè)了一個新建的8英寸功率
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功率MOSFET數(shù)據(jù)表解析
功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含器件特性、額定值和性能詳細(xì)信息，這對應(yīng)用中MOSFET的選用至關(guān)重要。雖然每一應(yīng)用都是獨(dú)一無二的，MOSFET數(shù)據(jù)表可提供有用的信息用于初始功率損失的計算，并提供器件性能
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晶圓制造工藝流程完整版
`晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測試工序（Initial
2011-12-01 15:43:10
晶圓制造工藝的流程是什么樣的？
圓比人造鉆石便宜多了，感覺還是很劃算的。硅的純化I——通過化學(xué)反應(yīng)將冶金級硅提純以生成三氯硅烷硅的純化II——利用西門子方法，通過三氯硅烷和氫氣反應(yīng)來生產(chǎn)電子級硅 二、制造晶棒晶體硅經(jīng)過高溫成型，采用
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晶圓制造流程簡要分析
`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準(zhǔn)備、長晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過程簡要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓凸起封裝工藝技術(shù)簡介
時間長，因此不適合I/O引腳多的封裝件。另一種技術(shù)是先置放焊球，再對預(yù)成形的焊球進(jìn)行回流焊處理，這種技術(shù)適用于引腳數(shù)多達(dá)300的封裝件。目前用得最多的兩種晶圓凸起工藝是電解或化學(xué)電鍍焊料，以及使用高精度壓印平臺
2011-12-01 14:33:02
晶圓和摩爾定律有什么關(guān)系？
英特爾已經(jīng)開始使用300mm尺寸硅晶圓生產(chǎn)工廠生產(chǎn)新一代處理器。 至于蝕刻尺寸是制造設(shè)備在一個硅晶圓上所能蝕刻的一個最小尺寸。因此當(dāng)你聽見P4采用0.13微米制程時，這意味意指Pentium 4
2011-12-01 16:16:40
晶圓封裝有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
圖為一種典型的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)示意圖。晶圓上的器件通過晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過程中對器件造成的損壞。 圖1 晶圓級封裝工藝過程示意圖 1 晶圓封裝的優(yōu)點(diǎn) 1）封裝加工
2021-02-23 16:35:18
晶圓的基本原料是什么？
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的？
測試晶格:指晶圓表面具有電路元件及特殊裝置的晶格，在晶圓制造期間，這些測試晶格需要通過電流測試，才能被切割下來 4 邊緣晶格：晶圓制造完成后，其邊緣會產(chǎn)生部分尺寸不完整的晶格，此即為邊緣晶格，這些
2011-12-01 15:30:07
晶圓級封裝的方法是什么？
晶圓級封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動。1964年，美國IBM公司在其M360計算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓表面各部分的名稱
（Engineering die，test die）：這些芯片與正式器件（或稱電路芯片）不同。它包括特殊的器件和電路模塊用于對晶圓生產(chǎn)工藝的電性測試。（4）邊緣芯片（Edge die）：在晶圓的邊緣上的一些掩膜殘缺不全
2020-02-18 13:21:38
晶圓針測制程介紹
晶圓針測制程介紹 晶圓針測（Chip Probing；CP）之目的在于針對芯片作電性功能上的 測試（Test），使 IC 在進(jìn)入構(gòu)裝前先行過濾出電性功能不良的芯片，以避免對不良品增加制造
2020-05-11 14:35:33
晶元回收 植球ic回收 晶圓回收
,、WAFER承載料盒、晶圓提籃,芯片盒,晶圓包裝盒,晶圓包裝,晶圓切片,晶圓生產(chǎn)，晶圓制造，晶圓清洗，晶圓測試，晶圓切割，晶圓代工，晶圓銷售，晶圓片測試，晶圓運(yùn)輸用包裝盒，晶圓切割,防靜電IC托盤(IC
2020-07-10 19:52:04
英飛凌40V和60V MOSFET
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設(shè)計工
2018-12-06 09:46:29
英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
FAI推出最新MOSFET產(chǎn)品
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
OptiMOS 3功率MOSFET系列產(chǎn)品為高能效產(chǎn)品提供更高性能
的MOSFET設(shè)計，就無法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統(tǒng)
2018-12-07 10:21:41
RF功率MOSFET產(chǎn)品的特點(diǎn)
，RF 功率 MOSFET是手機(jī)基站中成本最高的元器件。一個典型的手機(jī)基站中RF部分的成本約6.5萬美元，其中功率放大器的成本就達(dá)到4萬美元。功率放大器元件的年銷售額約為8億美元。隨著3G的發(fā)展，RF
2019-07-08 08:28:02
SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢
給最終客戶。此外，與100毫米晶圓相比，150毫米晶圓上的制造產(chǎn)生的器件數(shù)量增加了一倍以上，這極大地影響了每個裸片的成本。價格的一些跡象如圖7所示，基于Digi-Key商用SiC MOSFET的調(diào)查
2023-02-27 13:48:12
ti推出可在單一器件內(nèi)提供光功率計功能的光數(shù)字傳感器opt3002
300nm 和 1000nm 之間。憑借內(nèi)置的滿量程設(shè)置功能，無需手動選擇滿量程范圍即可在 1.2nW/cm2 至 10mW/cm2 范圍內(nèi)進(jìn)行測量。該功能允許在 23 位有效動態(tài)范圍內(nèi)進(jìn)行光測量。測量結(jié)果
2016-08-30 21:30:24
【轉(zhuǎn)帖】一文讀懂晶體生長和晶圓制備
`晶圓是如何生長的？又是如何制備的呢？本文的主要內(nèi)容有：沙子轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體級硅的制備，再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓，以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長
2018-07-04 16:46:41
三分鐘讀懂超級結(jié)MOSFET
基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-08-09 17:45:55
什么是晶圓
。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純高達(dá)99.999999999%。晶圓制造廠再把此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒
2011-12-01 11:40:04
什么是晶圓測試？怎樣進(jìn)行晶圓測試？
的晶粒時，標(biāo)有記號的不合格晶粒會被洮汰，不再進(jìn)行下一個制程，以免徒增制造成本。在晶圓制造完成之后，晶圓測試是一步非常重要的測試。這步測試是晶圓生產(chǎn)過程的成績單。在測試過程中，每一個芯片的電性能力和電路
2011-12-01 13:54:00
什么是晶圓電阻？晶圓電阻有什么用處？
` 晶圓電阻又稱圓柱型精密電阻、無感晶圓電阻、貼片金屬膜精密電阻、高精密無感電阻、圓柱型電阻、無引線金屬膜電阻等叫法;英文名稱是：Metal Film Precision Resistor-CSR
2011-12-02 14:57:57
什么是半導(dǎo)體晶圓？
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
關(guān)于晶圓的那點(diǎn)事！
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產(chǎn)生浪費(fèi)原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
半導(dǎo)體晶圓翹曲度的測試方法
翹曲度是實測平面在空間中的彎曲程度，以翹曲量來表示，比如絕對平面的翹曲度為0。計算翹曲平面在高度方向最遠(yuǎn)的兩點(diǎn)距離為最大翹曲變形量。翹曲度計算公式：晶圓翹曲度影響著晶圓直接鍵合質(zhì)量，翹曲度越小，表面
2022-11-18 17:45:23
單片機(jī)晶圓制造工藝及設(shè)備詳解
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)比較
電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)能效比較 圖1: 垂直布局結(jié)構(gòu) 4 功率損耗比較 在典型工作溫度 Tj = 100 °C范圍內(nèi)，我們從動靜態(tài)角度對兩款器件進(jìn)行了比較分析。在
2018-11-20 10:52:44
基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)助力半導(dǎo)體晶圓制造廠保持高效率運(yùn)行
大多數(shù)情況下，這些步驟是高度自動化的。有趣的是，尚未自動化的竟然是一個非常簡單的步驟，這就是“保持氣體充足供應(yīng)”。在ADI公司位于美國加利福尼亞州圣何塞附近的硅谷制造廠中，用于晶圓制造的專用氣罐超過
2019-07-24 06:54:12
多項目晶圓（MPW）指什么？
`所謂多項目晶圓(簡稱MPW)，就是將多種具有相同工藝的集成電路設(shè)計放在同一個硅圓片上、在同一生產(chǎn)線上生產(chǎn)，生產(chǎn)出來后，每個設(shè)計項目可以得到數(shù)十片芯片樣品，這一數(shù)量足夠用于設(shè)計開發(fā)階段的實驗、測試
2011-12-01 14:01:36
如何為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級可配置性？
時，考慮了激光調(diào)整，以防止激光熱量的注入影響整個晶體管的工作。應(yīng)用混合信號制造技術(shù)而不影響可制造性成本。總結(jié)在批量生產(chǎn)中使用激光修整已經(jīng)進(jìn)行了多年。在高壓超結(jié)功率MOSFET的情況下，采用這種制造技術(shù)是獨(dú)特且開創(chuàng)性的。它不僅為設(shè)計人員追求電路優(yōu)化開辟了許多新方法，而且這種微調(diào)選項可用于大批量生產(chǎn)。
2023-02-27 10:02:15
如何去測量功率器件的結(jié)溫？
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
封裝寄生電感對MOSFET性能的影響
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
揭秘切割晶圓過程——晶圓就是這樣切割而成
過處理之后成為光罩 這些就是最后完成的晶圓成品 接下來看晶圓切割 形成成品之后的晶圓還要經(jīng)過切割才能成為應(yīng)用于芯片制造。 這里演示的就是晶圓切割 放大觀看 接下來是演示經(jīng)過切割的晶圓的一些應(yīng)用。 可以應(yīng)用于芯片制造、液晶顯示屏制造或者手機(jī)芯片制造等。 ``
2011-12-01 15:02:42
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
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理解功率MOSFET管的電流
功率MOSFET來說，通常連續(xù)漏極電流是一個計算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時，如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
硅晶圓是什么？硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
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; 2010年1月3日，蘇州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圓劃片機(jī)，該激光劃片機(jī)應(yīng)用于硅晶圓、玻璃披覆（玻鈍）二極管等半導(dǎo)體晶圓的劃片和切割，技術(shù)領(lǐng)先于國內(nèi)
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解析LED晶圓激光刻劃技術(shù)
及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產(chǎn)出效率。激光加工是非接觸式加工，作為傳統(tǒng)機(jī)械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細(xì)光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區(qū)之間制造
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超級結(jié)MOSFET
，Si-MOSFET在這個比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面
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超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
等級，同時，在器件導(dǎo)通時，形成一個高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計在不同的區(qū)域，就可以實現(xiàn)上述的要求。基于超結(jié)
2018-10-17 16:43:26
集成MOSFET如何提升功率密度
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
晶圓測溫系統(tǒng)，晶圓測溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測溫裝置
晶圓測溫系統(tǒng)，晶圓測溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價值。本文
2023-06-30 14:57:40
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635
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英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動系列（RC指
2010-01-25 08:44:19759
759英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOST
英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271053
1053Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447
1447飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571
571用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK
用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951
951英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672
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Vishay推出新器件SiZ300DT和SiZ910DT
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR?家族雙芯片不對稱功率MOSFET
2011-11-15 10:34:07648
648英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013
1013科銳推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:161682
1682全球MOSFET供應(yīng)吃緊，英飛凌發(fā)聲、中興加價掃貨！
近日英飛凌擬收購ST半導(dǎo)體的消息受到廣泛關(guān)注，作為全球功率器件老大，英飛凌日前發(fā)布的財報顯示強(qiáng)勁的增長，在全球MOSFET供應(yīng)吃緊，價格飆漲的形勢下，英飛凌稱部分MOSFET產(chǎn)品交貨時間超過26周，最長達(dá)52周。
2018-08-06 11:25:414299
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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073
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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:161651
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英飛凌IPOSIM平臺推出功率器件使用壽命評估服務(wù)，以簡化半導(dǎo)體器件選型
英飛凌科技股份公司的功率器件在線仿真平臺IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。
2022-03-22 16:51:05662
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車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419
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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363
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工商網(wǎng)監(jiān)
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