上一篇文章的內(nèi)容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復特性 為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復型和普通型分別進行了比較。 先來看具有快速恢復
2020-12-21 14:25:45
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極低的物料清單成本實現(xiàn)極高的性能該設計提供5V輸出，支持3 A電流該參考平臺符合無線充電聯(lián)盟(WPC)最新的中等功率工作組(MPWG)規(guī)范，并且可接收任何Qi認證發(fā)射器件的充電特性帶外部MOSFET
2018-06-25 17:42:44
"恩智浦未來科技峰會”是恩智浦規(guī)模最大的高端行業(yè)峰會，旨在通過精彩座談、技術(shù)研討、最新科技和解決方案的展示引領業(yè)界通過技術(shù)創(chuàng)新為世界帶來改變！
2018-09-10 13:37:35
這些超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
、傳導損耗和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。1導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外
2018-08-27 20:50:45
針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗，并對電路
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT導通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關(guān)拓撲的影響?！ 〒p耗 除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由
2020-06-28 15:16:35
速度都是影響電源電路MOSFET性能的重要因素。因此，要想在高功率密度條件下獲得最佳的轉(zhuǎn)換效率，必須在設計MOSFET過程中，充分考慮封裝、電路板布局(包括互連線)、阻抗和開關(guān)速度。F3: 實際上，當
2019-05-13 14:11:31
描述Commodore 64 BB - 4x 內(nèi)核開關(guān)，帶恢復功能該項目允許替換原始的 C64 Kernal ROM，僅使用一個 32Kb 存儲芯片，即可通過恢復密鑰選擇 4 個不同的（特殊）內(nèi)核
2022-07-29 06:09:01
連接用。技術(shù)參數(shù)：客戶可提供特殊寬度、長度和鉆孔，均可按用戶要求加工。容許載流量是參考值。銅軟連接產(chǎn)品用于發(fā)電機、變壓器、開關(guān)、母線、工業(yè)電爐、整流設備、電解冶煉設備、焊接設備及大電流設備中做柔性導電連接。電流可達數(shù)萬安培。同時生產(chǎn)各種銅編織線類軟連接、導電帶。`
2018-12-17 11:59:07
能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管，如圖 3所示，其中D1常用的是快恢復
2017-01-09 18:00:06
快速恢復二極管的特點就是它的恢復時間很短，這一特點使其適合高頻（如電視機中的行頻、開關(guān)電源輸出）整流。快速恢復二極管有一個決定其性能的重要參數(shù)——反向恢復時間。反向恢復時間的定義是，二極管從正向
2021-05-24 06:24:34
有；凹型階梯“陰極短路”結(jié)構(gòu)帶輔助二極管的結(jié)構(gòu)；陰極短路結(jié)構(gòu)；自調(diào)節(jié)發(fā)射效率與理想歐姆接觸二極管（SIOD）等。 為了滿足芯片與底座間的電學和散熱的要求，要在二極管的兩端實現(xiàn)歐姆接觸。由于快速軟恢復
2019-10-10 13:38:53
ELX.O，Maxlinear以2.87億美元收購Entropic Communications，Lattice半導體則將以6億美元價格收購Silicon Image。3月初，恩智浦(NXP)以約
2015-12-07 14:50:33
單元提供極具競爭力的解決方案。本文將重點討論恩智浦針對功率300W、電壓12-30V的無刷直流電機開發(fā)的演示板。轉(zhuǎn)子定向反饋利用霍爾傳感器確定，并通過個人電腦采用CAN或UART方式與外界相連。恩智浦
2010-11-29 15:04:02
新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(shù)(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統(tǒng)設計人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用
2019-10-31 06:32:38
(RFID) 和互聯(lián)技術(shù)組合演變而成。作為連續(xù)3年被ABI Research評為首屈一指的非接觸式集成芯片供應商，恩智浦堪稱是NFC解決方案的全球領導者，其解決方案已在全球150多項NFC試用和標志性商業(yè)部署項目中得到實地驗證。
2011-10-27 15:36:03
可通過多種方式，其中最有效的是將專門構(gòu)建的專用神經(jīng)處理單元（NPU），或稱為機器學習加速器（MLA）或深度學習加速器（DLA）集成到器件中，以補充CPU計算核心。恩智浦提供廣泛的產(chǎn)品組合，從傳統(tǒng)
2023-02-17 13:51:16
恩智浦小車電路圖當年華南賽和隊友整的當年華南賽和隊友整的驅(qū)動電路主控電路，程序源碼需要者再聯(lián)系吧。恩成績肯定不好不壞，應該具有一定參考意義。
2022-01-19 08:08:00
“SL系列”）將射頻功能集成到客戶的設計中。恩智浦第2代RapidRF前端參考板可節(jié)省電路板空間，降低整體復雜性，并為TDD蜂窩應用提供完整的即用型電路。與前幾代一樣，第二代RapidRF參考板實現(xiàn)完全
2023-02-28 14:06:45
中國上?！?023年3月2日 ——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）宣布推出一款專為Matter設計的安全芯片——EdgeLock
2023-03-02 14:36:01
接口和8 MB本地SRAM，可輕松實現(xiàn)高角度分辨率雷達系統(tǒng)。除此之外，符合EdgeLock^TM^標準的硬件安全引擎（HSE）可提供無線遠程（OTA）升級功能，并符合ISO 21434規(guī)范。在恩智浦
2023-03-14 16:10:18
的讀取范圍，還提供了包括標簽篡改報警、若干隱私模式選項、密碼保護數(shù)據(jù)傳輸和數(shù)字開關(guān)在內(nèi)的多種業(yè)界首創(chuàng)的功能。憑借其杰出性能和特殊功能，新型UCODE G2iL系列可以為先進RFID系統(tǒng)的單品級標簽和驗證提供極高的讀取速度、最大的靈活性和一流的性價比。
2019-08-01 08:28:10
恩智浦智能賽車的驅(qū)動模塊定時器應該定時多久才能開始打腳，定時一般怎么編寫
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能賽車舵機打腳pwm占空比實際是輸出電壓高低，但在定時器中處理要怎樣進行
2017-03-30 17:38:10
意味著
恩智
浦的 eIQ 軟件開發(fā)環(huán)境可以作為當今和未來芯片上 AI 加速部件的統(tǒng)一因素。Ors 還指出，AI 工作負載仍然非常動態(tài)； 模型仍在
快速發(fā)展，它們使用的原語和數(shù)據(jù)類型也是如此?！安粩嘁蕾囓浖?/div>
2023-02-16 11:20:03
`從以下幾方面詳細介紹恩智浦目前針對USBPD提供的負載開關(guān)產(chǎn)品：1. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品的規(guī)格2. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品的保護特性3. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品和分立方案的比較`
2015-06-03 15:21:07
導讀：日前，恩智浦半導體（以下簡稱“NXP”）對外發(fā)布一款用于X電容的自動放電IC--TEA1708.此器件擁有的自動放電功能加上抵抗電壓浪涌的高度耐用性，輕易的滿足了新的電源規(guī)范要求，成為電源
2018-09-28 16:25:19
物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI-IoT）已經(jīng)到來，如何在這場即將到來的大規(guī)模市場中取勝？恩智浦的無線連接主要體現(xiàn)在哪幾個方面？
2021-06-16 08:30:12
來給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮。超快恢復二極管的特點有：超快恢復時間、大電流能力、低正向壓降、高抗浪涌電流、低反向漏電流。 超快恢復
2016-04-20 14:38:22
編輯-Z超快恢復二極管如何選？我們在選用超快恢復二極管時要注意什么呢？下面給大家介紹一下ASEMI超快恢復二極管資料。 當我們選擇超快恢復二極管整流器時，總是會關(guān)注反向恢復時間trr（它代表從指定
2021-10-25 17:34:10
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡
2019-06-26 20:37:17
/編帶 SF58的特征：1、低成本建設2、快速切換實現(xiàn)高效率3、低反向泄漏4、高正向浪涌電流能力5、高溫焊接保證 SF58的機械數(shù)據(jù)：1、外殼：傳遞模塑塑料2、環(huán)氧樹脂：UL94V-O級阻燃劑3、極性
2021-09-25 16:33:05
P3114WPA是一款高性能低成本PWM控制功率開關(guān)，適用于離線式小功率降壓型應用場合，外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓MOSFET可提高系統(tǒng)浪涌耐受能力。與傳統(tǒng)的PWM控制器
2021-09-09 10:33:45
；PNE20020ERXNexperia其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：200V超快開關(guān)部件，最佳恢復時間 (trr) < 25ns高速開關(guān)能力低壓降（VF在IF最大時約為1V）低漏電流具有大電流脈沖能力
2020-02-13 14:30:30
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
近日消息，據(jù)路透社報道，在交易雙方未能提供關(guān)鍵細節(jié)后，歐盟反壟斷監(jiān)管部門已第二次暫停審查高通公司斥資380億美元收購恩智浦半導體的交易。歐盟委員會網(wǎng)站上的一份文件顯示，歐盟委員會已在8月17日暫停
2017-09-12 15:56:36
`本文主要對電源的軟開關(guān)功能進行測試。當MOSFET管所在回路的原邊繞組在過零點處工作時，由于感應作用在原邊副繞組上的電流也處于過零點。檢測通過此處的電流即可判斷判斷MOS管的導通時機。而
2020-06-24 19:47:18
失效模式等。項目計劃①根據(jù)文檔，快速認識評估板的電路結(jié)構(gòu)和功能；②準備元器件，相同耐壓的Si-MOSFET和業(yè)內(nèi)3家SiC-MOSFET③項目開展，按時間計劃實施，④項目調(diào)試，優(yōu)化，比較，分享。預計成果分享項目的開展，實施，結(jié)果過程，展示項目結(jié)果
2020-04-24 18:09:12
，在結(jié)構(gòu)上有的采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)，可獲得較高的開關(guān)速度和較低的正向壓降。它從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級，前者的反向恢復時間為數(shù)百納秒或更長．后者則在100ns以下，大大提高了電源的效率
2020-10-29 08:50:49
和關(guān)斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定MOSFET 或 IGBT導通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關(guān)拓撲的影響。導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
三相超快恢復二極管整流橋開關(guān)模塊的結(jié)構(gòu)及特點是什么？三相超快恢復二極管整流橋開關(guān)模塊的主要技術(shù)參數(shù)及應用有哪些？
2021-06-08 08:09:38
阻隔需要一個額外的MOSFET作背靠背的配置，這將直接增加一倍的尺寸。TPS22910A和TPS22963C就是德州儀器兩個已內(nèi)置此項功能的負載開關(guān)組合的例子。快速輸出放電（QOD）是德州儀器負載開關(guān)
2018-09-03 15:17:57
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
~VT4是全橋變換器的四只MOSFET開關(guān)管，VD1、VD2分別是超前臂開關(guān)管VT1、VT2的反并超快恢復二極管，C1、C2分別是為了實現(xiàn)VTl、VT2的ZVS設置的高頻電容，VD3、VD4是反向電流阻斷
2018-09-30 16:18:15
采用新技術(shù)，例如D3半導體正在實施的技術(shù)。新方法在開發(fā)新的+FET產(chǎn)品線時，D3半導體選擇了一種非傳統(tǒng)的技術(shù)方法，將集成應用于高壓超結(jié)功率MOSFET?。在傳統(tǒng)的晶體管配置中，沒有元件來提供微調(diào)功能
2023-02-27 10:02:15
`銅箔軟連接的產(chǎn)品功能：1、將銅箔疊片部分壓在一起，采用分子擴散焊，通過大電流加熱壓焊成型。材料：采用優(yōu)質(zhì)0.05-0.3mm厚銅箔。技術(shù)參數(shù)客戶可提供特殊寬度、長度和鉆孔，接觸面鍍錫或鍍銀，均可
2018-08-24 14:59:50
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
是否可提供ESP32-S3聯(lián)網(wǎng)bin固件和自適應認證固件
2023-03-13 09:26:40
請哪位大神幫助介紹恩智浦SPC564L60x電源引腳號和電源電壓。謝謝。***
2018-12-04 11:05:54
誰有這兩本本書?。。?！小弟急求?。?！喬恩明.開關(guān)電源工程設計快速入門高吉祥.全國大學生電子設計競賽培訓系列教程--——2007年全國大學生電子設計競賽試題剖析
2012-12-16 16:32:51
描述此設計采用電感器超規(guī)格轉(zhuǎn)換器，以實現(xiàn)在 1" x 0.6" (2.5 cm x 1.5 cm) 封裝中進行 30A 轉(zhuǎn)換。控制器的 DCAP 控制可提供高速控制環(huán)路，適用于
2018-08-28 19:07:19
存，適用于需要可擴展性能及高級安全性的應用領域，如銷售終端及物聯(lián)網(wǎng)設備。此外，恩智浦為FRDM-K82F開發(fā)板配置了豐富的擴展方案，包括兼容Arduino R3的引腳布局、FlexIO頭、大量可接入藍牙
2018-09-17 17:41:34
的動態(tài)性能，采用這些拓撲可降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗，提高可靠性。這種情況主要出現(xiàn)在輕載條件下［1］。事實證明，CoolMOS? 這樣的超結(jié)器件可以克服這個問題，由于其內(nèi)部優(yōu)化了反向恢復過程電荷載流子去除功能
2018-12-03 13:43:55
具有高開關(guān)速度和過溫保護功能的MOSFET驅(qū)動器
日前，Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14
2009-12-03 10:03:511027 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、13.6 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN014-40HLD
2023-02-08 19:12:26
0 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.75 mOhm、200 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R7-25YLD
2023-02-16 20:44:510 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、2.09 mΩ、179 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD
2023-02-16 20:45:110 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.2 mΩ、230 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLD
2023-02-16 20:45:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 連續(xù)、標準電平 MOSFET-PSMNR55-40SSH
2023-02-16 20:57:060 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.0 mΩ、240 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD
2023-02-17 20:02:200 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、1.9 mΩ、160 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R6-30MLH
2023-02-20 19:23:170 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、0.82 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR70-30YLH
2023-02-20 19:23:340 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56E 中的 N 溝道 30 V、0.67 mΩ、380 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR58-30YLH
2023-02-20 19:23:480 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.7 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR60-25YLH
2023-02-20 19:33:110 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56E 中的 N 溝道 25 V、0.57 mΩ、380 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR51-25YLH
2023-02-20 19:33:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、2.1 mΩ、150 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R8-30MLH
2023-02-20 19:33:330 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、1.81 mΩ、150 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-25MLH
2023-02-20 19:33:440 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-30MLD
2023-02-20 19:43:010 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.9 mΩ、375 Amps 連續(xù)、標準電平 MOSFET-PSMNR90-40SSH
2023-02-20 19:48:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.7 mΩ、425 Amps 連續(xù)、標準電平 MOSFET-PSMNR70-40SSH
2023-02-20 19:48:380 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1 mΩ、325 Amps 連續(xù)、標準電平 MOSFET-PSMN1R0-40SSH
2023-02-20 19:53:320 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、6.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R4-30MLD
2023-02-20 20:08:040 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.2 mΩ、250 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-30YLD
2023-02-20 20:08:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、2.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30YLD
2023-02-21 18:34:140 N 溝道 30 V、0.87 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET，采用 SOT1023A 增強型封裝，適用于 UL2595，采用 NextPowerS3 Schottky-Plus 技術(shù)-PSMN0R9-30ULD
2023-02-21 18:50:260 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.85 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD
2023-02-22 18:52:290 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:470 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:180 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:380 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:320 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、0.87 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-30YLD
2023-02-22 18:56:120 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.0 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-30YLD
2023-02-22 18:56:460 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R4-30MLD
2023-02-22 18:57:060 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、4.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-30YLD
2023-02-23 18:36:320 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-30YLD
2023-02-23 18:41:280 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-30YLD
2023-02-23 18:41:450 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、6.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-30YLD
2023-02-23 18:42:000 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、3.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R0-30YLD
2023-02-23 18:42:530 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R4-30YLD
2023-02-23 18:43:080 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R4-30YLD
2023-02-23 18:43:240 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、4.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R2-30MLD
2023-02-23 18:45:500 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-30MLD
2023-02-23 18:46:010 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.72 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R7-25YLD
2023-02-23 18:51:320 二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概
2023-01-04 10:02:071113 
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