Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件
2011-05-13 08:44:56928 安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理產品陣容,推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET,用于空間受限的便攜消費電子產品
2012-10-18 09:29:01654 Vishay Intertechnology宣布,推出新系列小型柵極驅動變壓器---MGDT,可在高功率的國防和航天、工業(yè)及醫(yī)療應用中顯著節(jié)省空間。
2018-03-07 13:57:098754 Vishay宣布,推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件,擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 08:08:00831 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:58799 節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% ,有助于減少元器件數(shù)量并簡化設計 ? 美國 賓夕法尼亞 MALVER N 、中國 上海 — 2023
2023-01-30 10:09:49529 ? 【 2023 年 8 月 3 日,德國慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應用設計方面發(fā)揮著至關重要的作用。此外,更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431207 補償以節(jié)省外部組件· 輸入欠壓鎖定· 輸入過壓保護,可保護設備避免在高電壓和高電流條件下工作· 輸出過壓保護· 輸出短路保護· 過熱保護· 輕載時的脈沖跳躍模式可提高輕載效率· 采用低ESR陶瓷輸出
2022-08-18 15:21:12
DN363 - 用 MOSFET 來替代“或”二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間
2019-09-18 06:24:18
用于它們的負載點(POL)設計。當適應控制器和外部MOSFET時,這些應用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術的進步使得TI能夠成功應對這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率
2019-07-31 04:45:11
;此外,隨著汽車智能化發(fā)展,ADAS、安全、信息娛樂等功能需MOSFET作為電能轉換的基礎器件支撐數(shù)字、模擬等芯片完成功能實現(xiàn),使得中高端車型單車用量可增至400個以上。汽車智能化是中低壓MOSFET
2023-02-21 15:53:05
我看一個MOSFET驅動電路的設計與仿真PPT里面說,Vg中存在負電壓,一定程度上加長了驅動延遲時間,要消除負壓,然后又看了一個技術手冊,專門介紹了一種負壓驅動電路。如下圖所示,所示可以負壓驅動可以加速關斷速度~然后我就懵了,想問下大家,什么時候要用負壓驅動?還有負壓驅動能加速關斷嗎?
2019-01-23 15:57:14
` 誰來闡述一下mosfet是什么型器件?`
2019-10-25 16:06:28
誰來闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
可能就會成為大問題。 Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC,支持安全地使用低成本的雙極結型晶體管(BJT)開關,能夠提供比現(xiàn)有BJT或MOSFET開關更高的效率
2018-10-10 16:55:54
封裝測試所有環(huán)節(jié)的純國產化和自主化,并已成功量產,標志著國內SLCNANDFlash產品正式邁入24nm先進制程工藝時代。該創(chuàng)新技術產品有助于進一步豐富兆易創(chuàng)新的存儲類產品線,為客戶提供更優(yōu)化的大容量代碼存儲解決方案。
2020-11-26 06:29:11
兆易創(chuàng)新推出全國產化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47
/MICROWIRE兼容的接口。 該產品尺寸為3×3mm,與同類產品相比,可節(jié)省85%的電路板空間,功耗為67mW,比同類產品低40%,DC精度為±1LSB INL,適用于工業(yè)過程控制及電池供電的無線
2018-08-24 16:56:31
封裝在開關速度、效率和驅動能力等方面的有效性。最后,第四節(jié)分析了實驗波形和效率測量,以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。 II.分析升壓轉換器中采用傳統(tǒng)的TO247封裝的MOSFET A.開關
2018-10-08 15:19:33
為了應對這些挑戰(zhàn),全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導體
2011-07-13 08:52:45
:DZDN.0.2010-02-044【正文快照】:飛兆半導體(Fairchild Semiconductor)針對現(xiàn)今許多視頻產品平臺逐步淘汰S-video,以及四通道正在成為標準輸出配置之市場趨勢,推出支持機頂盒和DVD
2010-04-23 11:26:55
2MΩ 的放電電阻,功耗可降低多達 30mW。 圖5.AX-CAP? 放電功能的實驗結果V.結論創(chuàng)新的 AX-CAP? 放電功能是飛兆半導體 mWSaver? 技術中其中一項功能,在需要較大 EMI
2012-11-24 15:24:47
,飛兆半導體公司開發(fā)了下一代TinyBuck調節(jié)器系列產品,由集成式POL調節(jié)器組成,包含恒定導通時間的PWM控制器,以及帶有高端和低端MOSFET的驅動器。 FAN23xx系列可極大地提升終端用戶
2018-09-27 10:49:52
效率)。這些柵極驅動光耦合器的峰值工作電壓高達 1414V,能夠配合高壓IGBT。 飛兆半導體是光電子產品的領先供應商,提供廣泛的封裝平臺并集成各種不同的輸入和輸出配置組合,飛兆半導體提供用于低頻
2012-12-06 16:16:33
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產品FDMS9600S和FDMS9620S,能夠顯著減少電路板空間,同時可在同步降壓設計中達到較高的轉換效率
2018-11-22 15:48:58
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出兩款高集成度模塊產品FDMS9600S和FDMS9620S,能夠顯著減少電路板空間,同時可在同步降壓設計中達到較高的轉換效率
2018-11-26 16:06:31
的Cortex-A9系列產品,在同等性能下可以節(jié)省50%的功耗,非常適合目前流行的物聯(lián)網、車載信息處理、家庭能源管理系統(tǒng)、工控領域等應用。飛凌嵌入式經過數(shù)月的努力,在國內率先推出基于i.MX
2016-03-12 15:11:46
為了達到胎壓監(jiān)測系統(tǒng)的低功耗要求,飛思卡爾8針腳的胎壓監(jiān)視傳感器MPXY8020A可與遙控車門開關(RKE)系統(tǒng)結合使用,提供一個高度集成的低成本系統(tǒng)。 飛思卡爾MPXY8020A是一款8針腳的胎壓
2018-11-19 16:59:50
使用QFN4x4-28封裝.功能:1.針對背夾電池專門優(yōu)化2.0.1us 過壓輸入保護,輸入截止電壓高達20V ? 3. 單個電感器實現(xiàn)雙向電源轉換4.開關型充電器5.5V 同步升壓6.高達95
2018-07-27 19:54:28
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET(尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN)此款
2012-04-28 10:21:32
技術,是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
=10V),導電損耗可比同類解決方案減少30%。 單個采用SO-8封裝的IRF6648,性能可與兩個并聯(lián)的同類增強型SO-8器件相媲美。IRF6648最適用于電信及網絡系統(tǒng)的隔離式DC-DC轉換器
2018-11-26 16:09:23
概述:飛兆半導體的功率開關(FPS)由一個高壓功率值SenseFET和電流模式PWM IC的。集成PWM控制器包括固定振蕩器,欠壓鎖定,前沿消隱,優(yōu)化門turn-on/turn-off驅動器,熱關斷
2021-05-18 06:24:41
描述:NCP302045MNTWG在一個封裝中集成了 MOSFET 驅動器、高壓側 MOSFET 和低壓側 MOSFET。該驅動器和 MOSFET 適用于高電流 DC?DC 降壓功率轉換器
2022-02-10 13:07:46
概述OC5860 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5860在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內實現(xiàn) 0.6 A峰值輸出電流,并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5860
2021-10-15 15:38:26
電壓能力相結合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導體推出TO247-4L IGBT系列,具有強大且經濟實惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
為TO-220封裝,D2-Pak 或 TO-220經常可替換為SuperSO8。最終的結果是,確保開發(fā)出極其緊湊、節(jié)省板卡空間的解決方案,大幅改善開關性能。另一個重要問題是并聯(lián),尤其是對于電機控制裝置等大電流
2018-12-07 10:21:41
STM32L4R9:利用 HyperBus 擴展微型物聯(lián)網和可穿戴式設計中的存儲器以節(jié)省空間和成本
2020-12-31 07:42:09
基本半導體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產品B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)為例,從理論上來解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
采用小外形表面貼裝封裝,非常適合節(jié)省空間的應用,以及通孔TO92型封裝。這些器件適用于本地電壓調節(jié)應用,在這些應用中,分布式單源調節(jié)可能會遇到問題,以及更常見的電壓調節(jié)應用
2019-07-08 10:04:40
扁平SOT23F封裝,與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。</p><p>雖然SOT23F
2009-01-07 16:01:44
節(jié)省電路板空間,幫助實現(xiàn)更堅固的設計,并通過省去一些外部元器件來降低PCB的組裝成本。因此,業(yè)界正在對諸如D2PAK 7的IC封裝技術進行優(yōu)化,以期以相同的尺寸和引出線容納面積增加高達20%的裸片
2020-12-01 15:40:26
概述:MAX6498采用小尺寸、熱增強的型6引腳和8引腳 TDFN 封裝.為小型、低電流過壓保護電路。適用于汽車和工業(yè)等應用中的大電壓跳變系統(tǒng)。這些器件監(jiān)視輸入電壓,在出現(xiàn)輸入過壓時,控制外部n溝道 MOSFET ...
2021-04-12 06:17:38
我實際搭了一個N型的MOSFET FDS9945管來試驗他的性能,結果發(fā)現(xiàn)光耦PC817 IN2腳不管是高電平還是低電平,N型mosfet的2腳都是高電平,實測通過IO口給IN2高電平信號,IN2
2019-02-12 17:12:04
15kV ESD保護的輸入通道,可通過關斷功能(/EN)關閉外部n溝道MOSFET。 MAX4880采用節(jié)省空間的10引腳TDFN封裝,工作在-40°C至+85°C擴展工業(yè)級溫度范圍。
2021-05-17 06:12:48
`目前,電源工程師面臨的一個主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術和封裝上的進步。通過在更小尺寸
2013-12-23 11:55:35
,尤其是從來沒有基于MOSFET內部的微觀結構去考慮驅動電路的設計,導致在實際的應用中,MOSFET產生一定的失效率。本文將討論這些細節(jié)的問題,從而優(yōu)化MOSFET的驅動性能,提高整個系統(tǒng)的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
開通造成橋臂短路; 通過優(yōu)化 PCB 布局減小寄生電感能有效減小驅動振蕩[3],但在硬開關場合依舊存在較大電壓過沖; 而且 GaN HEMT 的反向導通損耗往往高于同電壓等級的 MOSFET,尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
導讀:本文詳細介紹飛兆半導體公司推出的一款綠色高效的降壓開關FSL336LR 以及FSL336LR 7W設計方案,為電源工程師們提供參考。 FSL336LR 介紹: FSL336LR是綠色模式飛
2018-11-29 11:38:52
怎樣選擇低溫運行、大功率、可擴展的POL穩(wěn)壓器并節(jié)省電路板空間如何減少PCB上DC/DC轉換器封裝的熱量?
2021-03-10 06:45:29
如何在電源轉換應用中實現(xiàn)高性能、成本優(yōu)化型實時控制設計
2021-03-16 07:56:20
如何采用D型和E型金剛石型MOSFET開發(fā)邏輯電路?
2021-06-15 07:20:40
優(yōu)化電路板空間占用每單位內的功率耗散,該封裝是便攜與無線電路板設計所需之TVS元件與肖特基二極管的理想選擇,此類設計必須符合電源管理和保護的嚴格要求。 SOD-123FL封裝器件可直接替代電路板中
2008-09-01 20:46:38
36V,250mΩ高側和36V,140mΩ低側功率MOSFET開關
· 效率高達97%
· 內部軟啟動限制了開機時的浪涌電流
· 內部補償以節(jié)省外部組件
· 輸入欠壓鎖定護,可保護設備避免在高電壓和高
2023-08-23 17:07:49
陶瓷板,可適配標準CAV應用型封裝,可有效降低新能源商用車主驅電控、燃料電池能源管理系統(tǒng)應用中的功率器件溫升和損耗。 Pcore2系列產品具有低開關損耗、可高速開關、低溫度依賴性、高可靠性等特點
2023-02-27 11:55:35
當使用外部時鐘來節(jié)省電能時,我能關閉IMO嗎? 以上來自于百度翻譯 以下為原文Can i turn off the IMO when the external clock is used to save power ?
2019-05-31 08:49:31
電壓等于0的時候,漏極電流是等于0.其中JFET中柵級與襯底之間的PN結工作在反偏,當所有的討論都是基于源級接地的電路時,當耗盡型MOSFET、JFET的柵源電壓大于0時,電流怎么變化,兩種管子工作在
2019-04-08 03:57:38
半導體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內置MOSFET、柵驅動器和保護技術以節(jié)省空間,簡化設計,精簡組裝意法半導體(ST)推出內置32位MCU的電機驅動器,簡化電池供電機器人和電器設備的電機控制系統(tǒng)意法半導體高集成度數(shù)字電源控制器簡化設計,助力應用達到最新能效安全標準`
2018-06-25 11:01:49
根據(jù) MOSFET 特征精確調整柵極驅動器并對性能進行優(yōu)化。不過,這種方法也存在缺點,它需要高水平的電機設計經驗以及容納分立解決方案所需的空間。 模塊化電機控制解決方案提供了另一種選擇,市場上
2019-09-23 08:30:00
的鎮(zhèn)流器IC,F(xiàn)AN7710是在CFL設計中實現(xiàn)空間節(jié)省的理想系統(tǒng)級封裝解決方案。通過同時推出面向LFL 和 CFL應用的FAN7711,飛兆半導體的產品組合使得設計人員能夠根據(jù)應用的具體要求,靈活地優(yōu)化
2018-08-28 15:28:41
吸引到表面來,它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了,所以載流子濃度的變化非常小,對器件整體的特性影響也非常小。海飛樂技術60A500V mosfet可完全替換FA57SA50LCFA57SA50LC
2019-10-24 15:11:08
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
應用而設計,功耗在這些應用中至關重要。應尋找 5 mm x 5 mm 或更小的傳感器。精度和分辨率:了解應用的精度和分辨率要求,然后選擇能夠輕松滿足這些要求的傳感器。這可以簡化開發(fā)和節(jié)省時間。此外
2019-01-02 16:30:00
(WBG) 器件中實現(xiàn)更高效率的功率轉換,可減少其中一部分問題。要通過 WBG 實現(xiàn)更高的能源效率與電源密度(更小的封裝),器件需要以更高的速度切換,并(或)在更高的溫度(相對于硅)下運行。這需要低寄生
2018-09-14 14:40:23
DN358- 緊湊型升壓轉換器可節(jié)省電池電量
2019-08-30 06:02:07
: 電路板尺寸和可用空間 精度和可靠性 設計和生產總成本 電路板尺寸和可用空間 選擇一個組合式傳感器來代替兩個獨立傳感器的最明顯優(yōu)勢也許就是“在單個傳感器尺寸的封裝中可以提供更多的功能”.在
2018-11-13 16:10:20
,將其電能傳送至二次側。Q1在ON時Ids流動,但因為并非無限制流動,是故利用R8檢測電流并加以限制。請參照“絕緣型反激式轉換器電路設計”項中的整體電路內容。MOSFET Q1的選定首先,要先理解只有
2018-11-27 16:58:28
輸入動作禁止功能)、過流保護、二次側電壓過壓保護等。在高耐壓應用中,與Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET具有開關損耗及傳導損耗少、溫度帶來的特性波動小的優(yōu)點。這些優(yōu)點有利于解決近年來的重要課題
2018-11-27 16:54:24
,飛兆半導體開發(fā)了稱為SuperFET的技術,針對RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。這種對RDS(ON)的關注十分重要,因為當標準MOSFET的擊穿電壓升高時,RDS(ON)會隨之呈指數(shù)級
2011-08-17 14:18:59
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制,采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節(jié)省了空間,并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
用MOSFET來替代或二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間
高可用性電信繫統(tǒng)采用冗餘電源或電池供電來增強繫統(tǒng)的可靠性。人們通常采用分立二極管來把這些電源組
2010-03-18 10:11:1330 薄型封裝版本MicroFET MOSFET
日前,飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領先的薄型封裝版本,幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工
2009-11-23 09:12:22456 Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET,為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案,極大地降低了電路的復雜性
2009-12-03 09:50:37764 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 飛兆UniFET II MOSFET優(yōu)化消費產品功率轉換器
2011-02-09 10:53:02936 IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列,與傳統(tǒng)的TO-262封裝相比,可減少 50%引線電阻,并提高30%電流
2011-05-24 08:54:351452 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積,較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線
2011-06-01 08:54:01452 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術
2011-06-16 09:35:042537 英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 應用,把高效同步DC/DC降壓轉換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進小尺寸5mm x 6mm封裝里,比使用分立MOSFET的方案節(jié)省空間,低邊MOSFET的最大導通電阻低至6.4mΩ。
2013-12-13 15:07:13843 有傳聞稱iPhone 7將變得比iPhone 6s更輕更薄。根據(jù)韓國網站ETNews獲得的一份新報告,我們獲知了部分或被蘋果使用的技術細節(jié)。其有望節(jié)省寶貴的內部空間,讓設備的尺寸精簡1毫米。
2016-04-01 10:45:40756 轉換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里,低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171004 您的功耗相關設計可以節(jié)省雙MOSFET的空間,因為您經常成對使用這些功能。飛兆半導體(圖片)的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護應用(V GS
2019-08-12 15:08:402772 意法半導體的ST1PS01降壓轉換器專門采用小尺寸和低靜態(tài)電流設計,能夠在負載的所有電流值下保持高能效,為始終工作的負載點電源和資產跟蹤器、可穿戴設備、智能傳感器、智能電表等物聯(lián)網設備節(jié)省電能和空間。
2020-07-06 09:18:22449 DN363 - 用 MOSFET 來替代“或”二極管以減少發(fā)熱和節(jié)省空間
2021-03-21 13:46:510 節(jié)省空間,降低EMI
2021-05-20 11:42:156 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設計
2022-12-29 10:02:53785 Vishay TrenchFET Gen V MOSFET? 節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% 有助于減少元器件數(shù)量并簡化設計 Vishay? 推出
2023-02-04 06:10:04502 隨著新一代5G網絡、IoT物聯(lián)網技術和AI人工智能技術的迅猛發(fā)展,小型化已成為筆電服務器、智能穿戴、智能家居等各種電子產品最重要的發(fā)展趨勢之一。中微愛芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片,可最大程度地減少外部元器件尺寸,節(jié)省PCB的寶貴空間。
2023-05-31 09:34:23642 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,面向消費類產品和工業(yè)設備推出電機驅動IC“TB67S581FNG”、“TB67S580FNG”、“TB67H481FNG”和“TB67H480FNG”,其需要的外部部件數(shù)量不僅有所減少,而且還采用了極為通用且節(jié)省空間的小型封裝。
2023-06-16 09:05:51316 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET,特別為空間受限的便攜式應用優(yōu)化的新一代MOSFET,這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39988 每個FDMS96xx模塊在單一MLP封裝中集成了三個單獨的分立元件,從而節(jié)省超過50%的電路板空間。傳統(tǒng)的同步降壓轉換器則通常包含兩個SO8封裝MOSFET和一個肖特基二極管。
2023-10-18 15:10:3787
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