Intersil公司（納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL）今天宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低壓差的新型超低壓差線性穩(wěn)壓器系列---ISL8011x。
2012-08-01 13:55:04
891 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:081422 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341235 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 宣布推出汽車級(jí)COOLiRFET ? MOSFET系列，為重載應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻
2013-05-20 15:13:301738 `IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開(kāi)關(guān)，可通過(guò)軟啟動(dòng)為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過(guò)故障保護(hù)和電源良好信號(hào)提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
實(shí)現(xiàn)直接控制·低導(dǎo)通電阻RDS（ON），典型值為150mΩ（VIN = 5V、ID = 0.5A、Tj = 25°C）·表面貼裝，SOP-J8封裝·已通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證（等級(jí)1）BM2LB150FJ-C低側(cè)開(kāi)關(guān)IC應(yīng)用領(lǐng)域·驅(qū)動(dòng)電阻·電感負(fù)載·電容負(fù)載
2019-04-29 05:23:26
MOS做開(kāi)關(guān)，導(dǎo)通電壓2-4V，SOT23封裝，符合這樣條件的MOS管有沒(méi)有？平時(shí)電路設(shè)計(jì)時(shí)找電子元件一般在什么地方找？新手求解？
2020-05-14 22:13:42
`浪拓電子微型表面貼裝三端子氣體放電管（GDT）B3DL-C系列產(chǎn)品，用于保護(hù)敏感型電子設(shè)備，免受中低強(qiáng)度的雷擊感應(yīng)浪涌和其他電壓瞬變的侵害。B3DL-C系列微型SMT GDT直徑為5.0mm，屬于
2017-12-25 16:54:44
又適應(yīng)編帶包裝； 具有電性能以及機(jī)械性能的互換性； 耐焊接熱應(yīng)符合相應(yīng)的規(guī)定。 表面貼裝元件的種類： 無(wú)源元件SMC泛指無(wú)源表面安裝元件總稱、單片陶瓷電容、鉭電容、厚膜電阻器、薄膜電阻器、軸式電阻
2021-05-28 08:01:42
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表面貼裝印制板的設(shè)計(jì)技巧在確定表面貼裝印制板的外形、焊盤(pán)圖形以及布線方式時(shí)應(yīng)充分考慮電路板組裝的類型、貼裝方式、貼片精度
2013-10-15 11:04:11
在確定表面貼裝印制板的外形、焊盤(pán)圖形以及布線方式時(shí)應(yīng)充分考慮電路板組裝的類型、貼裝方式、貼片精度和焊接工藝等。只有這樣，才能保證焊接質(zhì)量，提高功能模塊的可靠性。表面貼裝技術(shù)（SMT)和通孔插裝技術(shù)
2018-09-14 16:32:15
表面貼裝印制板的設(shè)計(jì)技巧有哪些？
2021-04-25 06:13:10
光學(xué)傳感器實(shí)物圖值得一提的是，RPI-1035具有超低的體積，封裝體積均為3.9mm*3.9mm*2.4mm，可用于對(duì)體積有嚴(yán)格要求的緊湊型應(yīng)用場(chǎng)合。RPI-1035表面貼裝式4方向檢測(cè)光學(xué)傳感器
2019-04-09 06:20:22
`表面貼裝的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產(chǎn)品，用于保護(hù)高速xDSL調(diào)制解調(diào)器、分路器、DSLAM設(shè)備、AIO打印機(jī)、基站以及安防系統(tǒng)，防止過(guò)電壓造成損壞。新型表面貼裝GDT產(chǎn)品不僅
2013-10-12 16:43:05
日前，Vishay Intertechnology, Inc.）宣布，推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的TCPT1300X01和TCUT1300X01表面貼裝透射式(斷續(xù)式)光電傳感器，可用于汽車市場(chǎng)
2019-09-02 07:02:22
。但是在工業(yè)系統(tǒng)迄今很少有其他工藝要求可以與SMT中的貼裝技術(shù)相比。貼裝對(duì)象（SMC／SMD）的幾何尺寸和形狀、表面性質(zhì)和重量的范圍，貼裝速度及貼裝準(zhǔn)確度的要求，與其工作原理相比是天壤之別。貼裝元器件
2018-09-05 16:40:48
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
LM317高壓穩(wěn)壓電源輸入100V輸出75V資料分享
2021-05-11 07:35:22
大，而MOSFET的導(dǎo)通電阻大，卻有著驅(qū)動(dòng)電流小的優(yōu)點(diǎn)。IGBT正是結(jié)合了這兩者的優(yōu)點(diǎn)：不僅驅(qū)動(dòng)電流小，導(dǎo)通電阻也很低。 具有四個(gè)交替層（P-N-P-N）的IGBT由不具有再生作用的金屬氧化物半導(dǎo)體
2020-07-07 08:40:25
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
MAX=125℃；θJC≈100℃/W。 5.計(jì)算采用SO-8封裝的參數(shù)： PD=[14V-5V]×150mA+(14V×8mA)=1.46W； 升高的溫度=125℃-50℃=75℃； 熱阻θJA
2018-11-26 11:06:13
地提升小封裝尺寸內(nèi)的電流處理能力，同時(shí)有助于器件冷卻，并提高器件可靠性。 當(dāng)今的功率MOSFET封裝 采用Power SO8封裝的MOSFET通常用在電信行業(yè)輸入電壓范圍從36V至75V的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1
2018-09-12 15:14:20
，ROHM還會(huì)面向要求更高耐壓的工業(yè)設(shè)備開(kāi)發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品，以擴(kuò)大本系列產(chǎn)品的陣容，通過(guò)降低各種應(yīng)用的功耗和實(shí)現(xiàn)其小型化來(lái)助力解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)問(wèn)題。新產(chǎn)品特點(diǎn)1、實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻在
2021-07-14 15:17:34
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進(jìn)獨(dú)自開(kāi)發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實(shí)現(xiàn)了650V的高耐壓，還實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，開(kāi)關(guān)速度也非常快。這將大大改善開(kāi)關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
浪拓電子表面貼裝的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產(chǎn)品，用于保護(hù)高速xDSL調(diào)制解調(diào)器、分路器、DSLAM設(shè)備、AIO打印機(jī)、基站以及安防系統(tǒng)，防止過(guò)電壓造成損壞。 表面貼裝GDT產(chǎn)品
2014-04-17 09:05:38
表面貼裝方法分類 根據(jù)SMT的工藝制程不同，把SMT分為點(diǎn)膠制程（波峰焊）和錫膏制程（回流焊）。它們的主要區(qū)別為： 貼片前的工藝不同，前者使用貼片膠，后者使用焊錫膠。貼片后的工藝不同，前者過(guò)回流爐只
2016-05-24 15:59:16
專門(mén)的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個(gè)凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。 因此，在相同的耐壓值情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。 例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1
2023-02-07 16:40:49
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-04-09 04:58:00
情況下，SiC可以得到標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻（單位面積導(dǎo)通電阻）更低的器件。例如900V時(shí)，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實(shí)現(xiàn)相同
2019-05-07 06:21:55
Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面貼裝電阻。該器件是率先采用 0603 芯片尺寸的產(chǎn)品，當(dāng)溫度范圍在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
日前，Vishay公司宣布其IHLP表面貼裝電感器系列(IHLP-5050FD-01)已增添了四個(gè)最新產(chǎn)品。此系列電感器的標(biāo)準(zhǔn)電感值范圍介于0.10μH～10.0μH，典型DCR電感值低至
2018-10-24 11:33:47
表面安裝技術(shù)，英文稱之為“Surface Mount Technology”,簡(jiǎn)稱SMT，它是將表面貼裝元器件貼、焊到印制電路板表面規(guī)定位置上的電路裝聯(lián)技術(shù)，所用的負(fù)責(zé)制電路板無(wú)無(wú)原則鉆孔
2018-11-26 11:00:25
第一類 只有表面貼裝的單面裝配 工序: 絲印錫膏=>貼裝元件=>回流焊接 TYPE IB 只有表面貼裝的雙面裝配 工序: 絲印錫膏=>貼裝元件=>回流焊
2018-11-26 17:04:00
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒(méi)有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
描述此參考設(shè)計(jì)可從 36V 至 75V 電信輸入生成 5V/15A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低柵極和低導(dǎo)通電阻
2018-11-21 14:57:50
。 圖2 SnAgCu元件移除溫度曲線 對(duì)于錫鉛裝配，具有“實(shí)際意義”的元件重新貼裝溫度曲線可以描述如下，如圖3所示。 ·焊點(diǎn)回流溫度212℃； ·元件表面溫度240℃； ·上表面加熱器溫度
2018-11-22 11:04:18
電源型產(chǎn)品，皆有提供。 BD9E100FJ-LB、BD9E101FJ-LB是ROHM推出的內(nèi)置低導(dǎo)通電阻功率MOSFET的同步整流降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，具有非常寬的輸入電壓范圍。采用電流控制模式，具有高速
2019-04-01 22:19:17
需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43
表面貼裝技術(shù)(SMT)和通孔插裝技術(shù)(THT)的PCB板設(shè)計(jì)規(guī)范大不相同。SMT工藝對(duì)PCB板的要求非常高,PCB板的設(shè)計(jì)直接影響焊接質(zhì)量。在確定表面貼裝PCB板的外形、焊盤(pán)圖形以及布線方式時(shí)應(yīng)
2012-10-23 10:39:25
型區(qū)。在功率MOSFET的內(nèi)部，由許多這樣的單元，也稱“晶胞”，并聯(lián)而成。硅片的面積越大，所能加工的單元越多，器件的導(dǎo)通電阻越小，能夠通過(guò)的電流就越大；同樣，在單位的面積的硅片上，能夠加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
裝各種元器件甚至最新的IC封裝和片式元件，因而在科研工作和企業(yè)的產(chǎn)品研發(fā)試制中具有不可或缺的作用。一部分企業(yè)針對(duì)這種需求新開(kāi)發(fā)的貼裝機(jī)構(gòu)具有很高的精確度和元器件適應(yīng)能力，同樣屬于高科技產(chǎn)品。 圖是用于產(chǎn)品研發(fā)、實(shí)驗(yàn)室和科研的半自動(dòng)貼裝設(shè)各。 圖 用于產(chǎn)品研發(fā)、實(shí)驗(yàn)室和科研的半自動(dòng)貼裝設(shè)備
2018-09-05 16:40:46
DN77- 單個(gè)LTC1149提供3.3V和5V表面貼裝
2019-07-30 11:16:24
的需求，在中國(guó)構(gòu)建了與羅姆日本同樣的集開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的一條龍?bào)w制。ROHM公司推出了兩款表面貼裝肖特基勢(shì)壘二極管RB051LAM-40和RB081LAM-20，兩者二極管的反向電壓都為20V，正向
2019-04-17 23:45:03
描述 此參考設(shè)計(jì)可從 36V 至 75V 電信輸入生成 5V/15A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低柵極和低導(dǎo)通電阻
2022-09-20 07:45:51
電源中廣泛使用耐壓1000V以上的Si-MOSFET。然而，超過(guò)1000V的高耐壓Si-MOSFET的導(dǎo)通電阻大，必須處理導(dǎo)通損耗帶來(lái)的發(fā)熱問(wèn)題。SCT2H12NZ就是為解決這類工業(yè)設(shè)備輔助電源的課題而
2018-12-05 10:01:25
浪拓電子 BA201系列氣體放電管采用微型封裝，具有高額定浪涌。 專為小尺寸（4.5x3.2x2.7mm）的PCB表面貼裝而設(shè)計(jì)。 插入損失低，尤其適用于寬帶設(shè)備。電容不隨電壓而改變，不會(huì)給不希望
2014-03-03 14:52:43
”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來(lái)推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開(kāi)關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
表面貼連接器無(wú)疑提供了許多優(yōu)點(diǎn)，包括減少組裝成本、提供雙倍的密度和改善高速性能的完整性。但是，表面貼連接器同時(shí)也包含一些已經(jīng)被認(rèn)知的缺點(diǎn)-從可靠性問(wèn)題(如連接器自電路板上脫落)到共面性所導(dǎo)致
2018-11-22 15:43:20
日前，Vishay公司宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當(dāng)溫度范圍在0°C至+60°C以及55°C至+125°C(參考溫度為+25°C)時(shí)，該分壓器將±0.05ppm/°C
2018-08-30 16:22:34
逐年下降。然而， 傳統(tǒng)的熱釋電紅外傳感器只針對(duì)鉛型手工焊接貼裝，成了自動(dòng)化的瓶頸。 這次的研制品，適應(yīng)了這些市場(chǎng)需求，有利于自動(dòng)化而引起的成本降低，以及矮板設(shè)備的小型化、薄型化。 通過(guò)表面貼裝化
2018-11-19 16:48:31
` （1）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
溝道MOSFET工作。這款N溝道MOSFET在VIN接近0V時(shí)支持超過(guò)2A的連續(xù)電流，并具有超低導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低功耗
2020-04-21 10:02:39
組成。印制線路板PWB(Printed Wire Board)是含有線路和焊盤(pán)的單面或雙面多層材料。表面貼裝元器件包括表面貼裝元件和表面貼裝器件兩大類。其中表面貼裝元件是指各種片狀無(wú)源元件，如電阻
2018-09-14 11:27:37
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
DN58- 簡(jiǎn)單的表面貼裝閃存Vpp發(fā)生器
2019-07-04 10:12:40
40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達(dá)到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
使用COOLMOS技術(shù)的MOSFET。 IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級(jí)MOSFET，額定電流分別為35A，59A，導(dǎo)通電阻分別為 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問(wèn)題開(kāi)發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導(dǎo)通電阻，4A 集成負(fù)載開(kāi)關(guān) 特性 說(shuō)明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)
2009-08-18 12:00:511176 IR推出75V低側(cè)智能功率開(kāi)關(guān)，適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境
國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低側(cè)智能功率開(kāi)關(guān)(IPS) ，適用于嚴(yán)苛的24V汽
2009-11-04 08:50:54671 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開(kāi)關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 TI推出具有同步MOSFET控制輸出的全新環(huán)保型相移全橋控制器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備同步 MOSFET 控制輸出與輕負(fù)載電源管理功能的相移全橋 PWM 控制器 UCC289
2010-03-01 08:39:27848 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444 IR智能電源開(kāi)關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551003 IR推出智能電源開(kāi)關(guān)AUIPS7111S
IR推出AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開(kāi)關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），適用于卡車引擎罩接線盒等嚴(yán)苛的 24V 汽車環(huán)
2010-03-22 12:16:321289 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32746 IR推出二款DirectFET MOSFET芯片組
國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)
2010-04-20 10:24:32900 
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411162 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
2011-07-12 08:40:54966 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制
2011-09-15 09:27:391312 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 一種超低比導(dǎo)通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:03
4 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0012629 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:403728 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開(kāi)始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 ROHM開(kāi)發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:49626 
ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021451 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56189 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316
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