Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件
2011-05-13 08:44:56
928 在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
的500 mA雙通道內(nèi)置電阻晶體管(RET)系列產(chǎn)品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)中的負(fù)載開關(guān)，也可用于功率要求更高的數(shù)字電路。例如空間受限的計(jì)算、通信、工業(yè)和汽車應(yīng)用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節(jié)省方案，可加倍提高空間利用率。首先
2023-09-27 09:19:43340 
`Diodes公司繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達(dá)450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產(chǎn)品系列非常適合各種應(yīng)用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
X2-DFN1410-6封裝供應(yīng)，而今年稍後時(shí)間推出的雙通道AZV3002則采用八引腳U-FLGA1616-8。 兩款比較器提供低至0.8μs的傳遞延遲時(shí)間及1pA的低輸入偏置電流，即使在輸入過載的情況下也不會(huì)出現(xiàn)倒相現(xiàn)象。新產(chǎn)品為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供通用解決方案，有效滿足絕大多數(shù)低壓便攜式設(shè)備的要求。
2018-10-08 15:44:43
的固定開關(guān)頻率工作，可減少外部元件數(shù)量，其小型U-DFN2020-8封裝則有效縮減電路板面積。 脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 同步降壓轉(zhuǎn)換器AP3405以電流模式工作，提供2.3V到5.5V的輸入電壓范圍
2018-10-09 10:59:43
橋電路結(jié)構(gòu)，每個(gè)橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）筆記本電腦輸入回路串聯(lián)的、起防反接和負(fù)載開關(guān)作用
2017-11-15 08:14:38
（5）和（6）可知，影響MOSFET電流速率的源極引腳電感被消除了。根據(jù)等式（2）和（5），較之TO247封裝MOSFET,這縮短了器件的開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗。最新推出的TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
3、開關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過程中會(huì)產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代價(jià)是開關(guān)速度的降低并出現(xiàn)拖尾電流，開關(guān)損耗增加，失去了MOSFET的高速的優(yōu)點(diǎn)。 以上兩種辦法
2023-02-27 11:52:38
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計(jì)算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
IGBT系列器件采用改進(jìn)的門控制來降低開關(guān)損耗，具有非常高效的帶Field Stop技術(shù)的溝槽，TJmax等于175℃。獨(dú)立的發(fā)射器驅(qū)動(dòng)引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對(duì)高速
2020-07-07 08:40:25
公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進(jìn)獨(dú)自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實(shí)現(xiàn)了650V的高耐壓，還實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，開關(guān)速度也非常快。這將大大改善開關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗。這
2019-04-29 01:41:22
VC 10V 1A(8/20uS)·工作電壓：5V·低漏電流0.5uA·低電容0.8PFSOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝
2020-09-29 07:55:40
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
產(chǎn)品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用中，我們發(fā)現(xiàn)：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進(jìn)一步降低器件的開關(guān)損耗，也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19
`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴 手機(jī)號(hào)碼：***QQ：1275294458XB6091全網(wǎng)超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機(jī)二合一保護(hù)IC專用XB6091ISC產(chǎn)品是一個(gè)高鋰的集成解決方案?離子
2019-05-05 19:42:04
`<p>Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
、電動(dòng)車應(yīng)用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽能源、舞臺(tái)燈照明、加濕器、美容儀等電壓開關(guān)應(yīng)用。【高頻率 大電流 SGT工藝 開關(guān)損耗小】
2021-01-07 15:37:15
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
模塊電源的開關(guān)頻率來降低驅(qū)動(dòng)損耗，從而進(jìn)一步提高輕負(fù)載條件下的效率，使得系統(tǒng)在待機(jī)工作下，更節(jié)能，進(jìn)一步提高蓄電池供電系統(tǒng)的工作時(shí)間，并且還能夠降低EMI的輻射問題;2.通過降低、來減少MOSFET
2019-09-25 07:00:00
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。08、開關(guān)管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
充電器時(shí)的損耗降低情況① 與使用Si快速恢復(fù)二極管（Si FRD）的IGBT相比，開關(guān)損耗降低67%② 與損耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？一、開關(guān)損耗
2021-11-18 07:00:00
開關(guān)條件得以改善，降低硬開關(guān)的開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲，從而 提高了電路的效率。 圖1 理想狀態(tài)下軟開關(guān)和硬開關(guān)波形比較圖軟開關(guān)包括軟開通和軟關(guān)斷兩個(gè)過程： 理想的軟開通過程是：開關(guān)器件兩端的電壓先下
2019-08-27 07:00:00
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時(shí)提高跨導(dǎo)，也可以提高開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗。但過低的閾值電壓會(huì)使MOSFET容易受到干擾誤導(dǎo)通，而跨導(dǎo)和工藝有關(guān)。
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
時(shí)的損耗：阻性關(guān)斷的損耗和上面過程相類似，二者相加，就是阻性開關(guān)過程中產(chǎn)生的總的開關(guān)損耗。功率MOSFET所接的負(fù)載、變換器輸出負(fù)載和變換器所接的輸出負(fù)載是三個(gè)完全不同的概念，下面以BUCK變換器為例來說
2016-12-16 16:53:16
電路結(jié)構(gòu)，每個(gè)橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）筆記本電腦輸入回路串聯(lián)的、起防反接和負(fù)載開關(guān)作用的二個(gè)
2019-04-04 06:30:00
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開關(guān)頻率的同時(shí)減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
`快速充電過壓充電保護(hù)器件TVS DFN1610DFN2020P2E封裝DFN1610-2L封裝浪涌保護(hù)器件 DC0371P6 (Marking Code: 73)DC0571P6 (Marking
2019-09-24 09:16:59
MOSFET通過降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時(shí)
2012-12-06 14:32:55
的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段
2018-08-30 15:47:38
。這可使開關(guān)速度加快，從而大幅降低開關(guān)損耗。盡管在這項(xiàng)技術(shù)成功開發(fā)之前，許多應(yīng)用仍將需要采用TO220、甚至TO247的插件封裝，但如今也有可能免去采用昂貴而復(fù)雜的散熱系統(tǒng)。相反，如今有可能采用不帶額外
2018-12-06 09:46:29
，在這兩種情況下估算時(shí)間t3作為MOSFET的上升和下降時(shí)間，您可使用等式4估算開關(guān)損耗：開關(guān)損耗取決于頻率和輸入電壓。因此，輸入電壓和開關(guān)頻率較高時(shí)，總效率相對(duì)降低。在輕負(fù)載時(shí)，LM2673非同步降壓
2018-06-05 09:39:43
今天開始看電源界神作《開關(guān)電源設(shè)計(jì)》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁有個(gè)名詞，叫“交流開關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
CPC7582線路卡接入交換機(jī)的典型CPC7582應(yīng)用框圖。 CPC7582是采用16引腳SOIC或DFN表面貼裝封裝的單片固態(tài)開關(guān)
2020-07-30 10:21:46
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對(duì)快充應(yīng)用設(shè)計(jì)需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)
2009-07-20 16:03:00564 
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線
2011-06-01 08:54:01452 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS，開關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類
2012-05-04 11:34:53926 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出具有可編程軟啟動(dòng)功能及放電率的5V單通道負(fù)載開關(guān)AP22800。這款配備超低導(dǎo)通電阻的N通道開關(guān)可降低電壓降和功耗，以及處理6.0A的連續(xù)電流，從而為超極筆記本和平板電腦提供更精準(zhǔn)的系統(tǒng)功率調(diào)整。
2015-02-11 15:05:55994 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:05
38 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361384 FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測(cè)量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 09:28:578162 
矮型 DFN2020 封裝的 BCR420UFD 及 BCR421UFD 裝置，非常適合 12V 及 24V LED 邊緣照明應(yīng)用。
2018-03-22 14:27:001395 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
Mosfet的損耗主要有導(dǎo)通損耗，關(guān)斷損耗，開關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動(dòng)損耗
2020-01-08 08:00:0011 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確評(píng)估功率MOSFET的開關(guān)損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關(guān)損耗
讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn)，課件開關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 。此外，今天的開關(guān)元件沒有非常高的運(yùn)行速度，不幸的是，在轉(zhuǎn)換過程中不可避免地會(huì)損失一些能量（幸運(yùn)的是，隨著新電子元件的出現(xiàn)，這種能量越來越少）。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關(guān)損耗率。
2022-08-05 08:05:075936 
MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:05666 開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
采用 DFN2020 封裝的 N 通道 100 V、81 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)級(jí)“具有增強(qiáng)型 SOA 的 ASFET”，專為以太網(wǎng)供電 (PoE) 應(yīng)用而設(shè)計(jì)-PSMN071-100NSE
2023-02-09 21:35:370 N 溝道 100 V、53 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) ASFET，具有增強(qiáng)型 SOA，采用 DFN2020 封裝。專為大功率 PoE 應(yīng)用而設(shè)計(jì)-PSMN047-100NSE
2023-02-09 21:35:550 －接下來，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識(shí)意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動(dòng)能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:35556 
的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設(shè)計(jì)原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導(dǎo)損耗：碳化硅MOSFET比超結(jié)MOSFET要求更高的G級(jí)電壓
2022-11-30 15:28:282647 
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 16:51:224675 
采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝，并集成BJT和電阻，加倍節(jié)省空間
2023-09-27 14:36:141020 同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開關(guān)損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動(dòng)可以降低MOS的開關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)
2023-10-25 11:45:14522 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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