Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出DMN61D8LVTQ雙通道電感負載驅動器,適用於汽車電感負載開關應用,包括窗戶、門鎖、天線繼電器、螺線管及小型直流電機。片上集成式齊納二極管和偏置電阻器可排除對多個外部元件的需求,有效節省成本及縮減印刷電路板占位面積。
2015-09-22 09:19:09782 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:58799 2*5mm Bi-Color(Multi-Color)Rectanaular with Flanae LED 產品說明:ChipMaterial:GaPEmitted Color
2008-09-28 17:58:44
2*5mm Rectangular Flangless LED封裝尺寸及參數說明 產品說明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm
2008-09-28 17:42:08
2*5mm Rectangular Type LED封裝尺寸及參數說明產品說明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:44:49
2*5mm Rectangular With Flange LED封裝尺寸及參數說明 產品說明:ChipMaterial:GaAsP/GapEmitted Color:Yellow
2008-09-28 17:41:25
2.4*4.5mm Rectangular LED封裝尺寸及參數說明 產品說明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Yellowλσ(nm):590Lens
2008-09-28 17:47:24
惠海直銷30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 貼片 mos管【惠海半導體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252
2020-11-12 09:52:03
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
的技術信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1),是專為諸如信息娛樂系統等空間受限的應用情況設計的。圖1:CSD18541F5l與網格陣列封裝相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝(參見圖2…
2022-11-16 07:06:25
:HN型號:HN0801VDS:100VIDS:8A封裝:SOT-89溝道:N溝道HN03N10D參數:100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應管品牌:HN型號:HN03N10DVDS
2021-05-08 15:10:13
、SL3038等100V降壓IC,已經在POE和GPS行業應用多年,各大廠商都有使用SL3036、SL3036H、SL3038等系列芯片。100V降壓12V 100V轉5V3A恒壓IC電動車SL3036H
2018-12-07 16:12:14
5*5mm Square Type LED封裝尺寸及參數說明 產品說明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Orangeλσ(nm):700Lens
2008-09-28 17:43:30
`5MM草帽紅光LED燈珠相關參數:產品品牌:鑫光碩LED產品包裝:3000個/袋產品型號:5MM草帽紅光色區(X/Y)/波長 :615-630nm產品尺寸:5MM(±0.2)半功率角度:120度電
2019-03-07 11:59:06
);5MM草帽紅光LED燈珠相關參數:產品品牌:鑫光碩LED產品包裝:3000個/袋產品型號:5MM草帽紅光色區(X/Y)/波長 :615-630nm產品尺寸:5MM(±0.2)半功率角度:120度電
2019-03-07 11:55:22
5mm Backlighting Wide Angle LED封裝尺寸及參數說明 產品說明:ChipMaterial:GaAsp/GapEmitted Color:Orange
2008-09-28 17:39:06
5mm Bi-Color(Multi-Color)with Common產品說明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Greenλσ(nm):571Lens Color
2008-09-28 17:58:22
5mm Bi-Color(Multi-Color)without Common Polarity LED產品說明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Redλσ(nm
2008-09-28 17:57:52
5mm Low Profile Shape LED封裝尺寸及參數說明產品說明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:07:40
5mm Round Flangeless LED封裝尺寸及參數說明 產品說明:ChipMaterial:GaN/SicEmitted Color:Blueλσ(nm
2008-09-28 17:50:25
5mm Round High Efficiency LED封裝尺寸及參數說明產品說明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:46:48
5mm Round LED封裝尺寸產品說明:ChipMaterial:GaAsP/GaPEmitted Color:Redλσ(nm):700Lens Color:Color DiffVF(V
2008-09-28 17:00:02
5mm Round LED封裝尺寸及參數說明產品說明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Super Greenλσ(nm):571Lens Color:Water
2008-09-28 17:51:08
5mm Round Standard LED封裝尺寸及參數說明產品說明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Redλσ(nm):650Lens Color:Color
2008-09-28 17:37:47
`Diodes公司繼續擴展其功率MOSFET產品組合,采用新型N和P通道器件,擊穿電壓高達450V,并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產品系列非常適合各種應用,包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉3.3V 100V轉5V 100V轉12V。
產品描述
H6203G是一種內置150V耐壓MOS,支持輸入高達120V的高壓降壓開關控制器,可以向負載
2024-01-26 14:13:26
北京 - 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降壓型開關穩壓器 LT1912,該器件采用 3mm x 3mm DFN (或
2018-11-26 16:59:46
BLDC電機,則需要使用三個半橋(六個MOSFET)組成一個三相逆變器。憑借TI采用堆疊管芯架構的CSD88584Q5DC和 CSD88599Q5DC功率塊(小型無引線(SON),5mm×6mm封裝
2019-03-05 06:45:07
雙通道H橋電流控制電機驅動器2.驅動兩路直流電機或者一個步進電機3.低RDS(ON)電阻4. 1.0A驅動輸出5.輸出可以并用,最大提供2A驅動輸出6.寬電壓供電,2.7V-15V7.PWM電流整流/限流8.過溫關斷電路9. 短路保護10.欠壓鎖定保護
2018-07-04 19:53:16
C8051F020的封裝TQFP-100引腳間距是0.5mm還是0.508mm,做過板子的朋友給個確切答案,謝謝
2011-11-28 09:54:19
`編輯-ZD45XT100在DXT-5封裝里采用的玻璃鈍化硅整流二極管芯片,外殼采用環氧樹脂,是一款大功率三相整流橋。D45XT100的浪涌電流Ifsm為450A,漏電流(Ir)為10uA,其工作
2021-07-16 14:15:18
`編輯-ZD50XT100在DXT-5封裝里采用的玻璃鈍化硅整流二極管芯片,外殼采用環氧樹脂,是一款配電箱整流橋。D50XT100的浪涌電流Ifsm為550A,漏電流(Ir)為10uA,其工作時耐溫
2021-07-19 16:17:54
`編輯-ZD55XT100在DXT-5封裝里采用的玻璃鈍化硅整流二極管芯片,外殼采用環氧樹脂,是一款大功率三相整流橋。D55XT100的浪涌電流Ifsm為550A,漏電流(Ir)為10uA,其工作
2021-07-21 13:47:58
概述:LTC3811采用5mm x 7mmQFN和G36封裝,全部采用N溝道MOSFET、用4.5V至30V的輸入電壓工作,為0.6V至3.3V的低輸出電壓而優化。
2021-04-12 07:08:14
`ESD5Z器件系列為便攜式產品和電池供電應用提供單線保護,具有優異的ESD 鉗制性能,占位面積僅1.6 mm x 0.8 mm 新系列中的五個ESD5Z器件包括ESD5Z2.5T1(2.5 V
2020-03-17 12:23:52
(POL)、高效負載開關和低端切換、穩壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設計人員使用FDMC8010器件,能夠將封裝尺寸從5mmx6mm減小為3.3mmx3.3mm,節省66%的MOSFET占位面積
2012-04-28 10:21:32
深圳Fast-print Circuit Technology公司推出系列8層PCB,其線寬和間距分別為0.15mm和0.2mm。板厚度為5mm,過孔直徑為0.3mm。該系列多層PCB板尺寸為364.5×259mm,采用FR-4碾壓基材制造,表面覆鎳金鍍層。
2018-08-27 16:14:02
求助各位大神,LGA封裝(3mm×3mm×1mm)是標準的封裝嗎?在protel 2004 ***中哪個庫里面?自己畫的話怎么畫啊?新手
2013-05-09 21:32:34
擴頻使能輸入,最大程度降低電磁干擾(EMI)輻射以及提供工廠可編程同步I/O,實現更佳的噪聲抑制性能。MAX16993采用5mm x 5mm x 0.75mm、32引腳TQFN-EP和5mm x 5mm
2018-09-27 15:16:50
輸出電容器時,在 12A 時達到約 97% 的峰值效率。TPS40170 是輸入電壓為 4.5V 至 60V 的全功能同步降壓控制器,采用 3.5mm x 4.5mm 20 引腳 QFN 封裝。
2018-07-13 03:33:47
STTS751溫度傳感器是否可以測量200mm到5mm變化距離的液體溫度呢?
2022-12-07 10:41:55
“TB67H450FNG”。新產品最大額定值為50V/3.5A[1],能以寬泛的工作電壓驅動電機。此外,該產品采用兼容引腳分配的小型HSOP8表面貼裝進行封裝,適用性更強。IC能在4.5V至44V
2022-11-03 14:30:02
哪位兄弟知道QFN 5mm*4mm 16-lead封裝的尺寸告訴我一下,謝謝啦。
2010-03-22 14:10:45
`<p>Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列,推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
proteus 上怎么找到φ5mm的紅外線發射管??求賜教
2017-11-15 21:47:06
為什么貼片電阻的封裝是3.81mm*1.27mm?應該是0805=2.0x1.2mm才對啊
2013-08-19 20:14:30
概述:MAX4937采用節省空間的5mm x 11mm、56引腳TQFN封裝,為八通道、高壓發送器/接收器(T/R)開關。T/R開關基于二極管橋拓撲,二極管橋的總電流可通過SPI?接口設置。
2021-04-14 06:16:52
美國凌特科技(Linear Technology)上市了采用9mm×9mm的64引腳QFN封裝,且連續輸出電流最大為12A的同步整流式降壓型穩壓器“LTC3610”(發布資料)。可應用于多節鋰離子
2018-08-27 15:24:31
的封裝內采用更高性能的MOSFET,業內的一個趨勢是從SO-8等標準引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉變。對于大電流應用,常用的是功率6mmx 5mm封裝,例如PowerPAK? SO-8。但對
2013-12-23 11:55:35
描述16針5mm MSOP轉DIP適配器我需要一個 MSOP 5mm 16 針到 PDIP 適配器,用于面包板和測試 LTC2645,很難找到,所以我為此制作了自己的 BoB。我建議也買一個小模板。耐心和小心,仔細檢查你的工作,但對我來說它有效!
2022-07-14 06:34:59
藍牙背光超薄鍵盤Light 1,其外觀大小為281mm X 143mm X7mm,重量為210克,最薄處僅4.5mm。這款鍵盤的按鍵采用先進的剪刀腳X架構設計,精準的剪刀式按鍵機械結構可以使受力
2013-01-21 13:53:23
MOSFET(5mm×6mm)相比,在同一封裝中集成兩個FET的功率塊可讓用于逆變器拓撲的三相PCB面積減少90 mm2(3 x 5mm-6mm)。MOSFET互連軌道將與在帶分立MOSFET的PCB中
2018-10-19 16:35:33
全橋拓撲。這種轉換使系統的輸出功率加倍。FDMF8811集成了一對100V的功率MOSFET、120 V驅動器IC和一個自舉二極管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封裝。通過集成所有的關鍵
2018-10-24 08:59:37
,需要使用三個半橋(六個MOSFET)組成一個三相逆變器。使用TI的采用堆疊管芯架構的CSD88584Q5DC 和CSD88599Q5DC電源模塊(小型無引線(SON),5mm×6mm封裝),您可
2018-07-18 16:30:55
持續擴大小型化分立元件產品系列的一部分。”器件 采用SOD-723 1.4mm x 0.6mm封裝的器件包括業內最低正向電壓(Vf)和反向漏電流(Ir)性能的肖特基二極管,以及ESD保護程度最高
2008-06-12 10:01:54
的 NTNS3193NZ使用最新XLLGA3 3導線亞芯片級封裝(見圖3),尺寸僅為0.62 x 0.62 x 0.4 mm,是業界極其微型化的分立小信號MOSFET,總占位面積僅為0.38mm2.N溝道
2018-09-29 16:50:56
型化。其中,要求MOSFET更加小型、大電流化。ROHM這次開發成功的MPT6 Dual(2元件)系列產品將2個元件裝入MPT6型封裝(4540規格尺寸:4.5×4.0×1.0mm)中,得到與原來
2018-08-24 16:56:26
MOSFET減小了75%。圖2:傳統SOT-23封裝,旁邊是CSD18541F5LGA封裝和這位工程師做了一些快速計算,我們的結論是如果每個電路板用10個元件,他就能節省大約55mm2占位面積——每個元件的節省
2018-08-29 16:09:11
有人知道4.5*4.5MM封裝的芯片嗎,麻煩告訴下型號,謝謝
2021-05-25 11:15:54
電機,需要使用三個半橋(六個MOSFET)組成一個三相逆變器。 使用TI的采用堆疊管芯架構的CSD88584Q5DC 和CSD88599Q5DC電源模塊(小型無引線(SON),5mm×6mm封裝
2019-03-19 06:45:07
TPS82671采用8引腳2.3mm×2.9mm×1mm的MICroSIP BGA封裝, 輸入電壓為4.5~14.5V,電源密度為800 W/in3;效率達95%。在85℃環境溫度、無風冷條件下
2021-04-16 06:39:33
降壓DC-DC穩壓器,集成44 mohm高側功率MOSFET和11 mohm同步整流MOSFET,采用緊湊的4 mm×4 mm LFCSP封裝,提供高效率解決方案
2020-05-01 13:36:09
×0.9mm的小型封裝、電路電流僅40μA的低耗電量,從而在以智能手機為首的便攜設備中廣為采用(圖5)。另外,H3REGTM 是實現快速瞬態響應的羅姆獨創的控制方式。與電壓模式、電流模式及ON Time
2019-04-07 22:57:55
和贊許,成為系統IC和最新半導體技術方面首屈一指的主導企業。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基勢壘二極管。二者的反向峰值電壓均為100V,反向電壓(VR)也均為
2019-07-23 04:20:37
QFN24的封裝圖,一個基島面積是2.8x2.8mm,一個是2.9x2.9mm,可以用嗎?(QFN24B) (QFN24LE)非常感謝。
2016-08-19 14:11:08
/1.8V/2.5V/3.3V/5V ●輸出電流:3A ●固定頻率:1MHz ●工作結溫:-40℃到125℃ ●面積縮小:26% ●峰值效率:90% ●封裝:16針腳3mm x 3mm MLF
2018-11-29 11:12:37
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 安華高推出高亮度藍光和綠光5mm直插型LED燈
Avago Technologies(安華高科技)今日宣布,推出新系列5mm藍光和綠光高亮度高性能直插型LED燈,適
2010-01-09 09:26:44952 太陽誘電推出直流重疊特性的5mm角形電感器
太陽誘電株式會社將兩種5mm角形的繞線型電感器投入生產,直流重疊特性達到行業最高水平,產品分別
2010-03-22 15:03:24741 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積,較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度只有0.4毫米,占板面積只有四平方毫米,是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度只有0.4mm,面積只有4mm2,是一款額定電壓為 -25V的P通道元件,較同類
2012-05-04 11:34:53926 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為LED照明及通用功率管理應用,推出支持升、降壓和電壓反向電路拓撲的微型直流-直流轉換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝,只需少量外部元件,就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24 15:19:151121 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行業首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2,離板厚度僅0.4mm,面積比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271220 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品通過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板占位面積,簡化電機驅動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝,分別
2015-12-16 16:57:431159 關鍵詞:邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02220 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 本文檔的主要內容詳細介紹的是C1301系列4.5mm線對線卡扣連接器的數據手冊免費下載
2019-06-19 08:00:000 本文檔的主要內容詳細介紹的是4.5mm高貼片電解電容封裝規格說明。
2021-01-07 08:00:001 DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中,以在緊湊狹小的空間提供 準確的電流限制和負載電流監視
2021-03-18 21:25:585 4mm x 7mm 占板面積的 IC 可產生 7 個穩定輸出
2021-03-19 06:09:497 具擴展頻譜調制功能的 17V、4MHz、雙輸出 3.5A 同步 降壓型穩壓器降低了 EMI 并采用緊湊型 3mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-19 08:14:058 采用 3mm x 5mm QFN 封裝的 6A、4MHz、同步降壓型穩壓器
2021-03-21 05:15:158 15V、4MHz、同步雙輸出 3A 電流降壓型穩壓器采用 4mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-21 06:00:377 占位面積為 9mm2 并內置微功率比較器的獨立鋰離子電池充電器
2021-03-21 15:22:500 5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高達 140oC 工作
2021-03-21 17:14:028 借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520 采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290
評論
查看更多