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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節省占位面積

Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節省占位面積

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Diodes直流-直流轉換器節省LED照明應用空間

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為LED照明及通用功率管理應用,推出支持升、降壓和電壓反向電路拓撲的微型直流-直流轉換器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封裝,只需少量外部元件,就能有效減少電路占位面積及物料清單成本。
2013-07-24 15:19:151121

Diodes公司推出行業最小雙極型晶體管

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行業首款采用了DFN0806-3微型封裝的小信號雙極型晶體管。這些器件的占位面積為0.48mm2,離板厚度僅0.4mm面積采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封裝的同類型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271220

Diodes MOSFET H橋節省50%占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品通過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板占位面積,簡化電機驅動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459

Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負載開關損耗

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝,分別
2015-12-16 16:57:431159

Diodes新款邏輯器件采微型封裝,大幅節省便攜產品空間

關鍵詞:邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02220

Vishay推出0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET

最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380

C1301系列4.5mm線對線卡扣連接器的數據手冊免費下載

本文檔的主要內容詳細介紹的是C1301系列4.5mm線對線卡扣連接器的數據手冊免費下載
2019-06-19 08:00:000

4.5mm高貼片電解電容封裝規格說明

本文檔的主要內容詳細介紹的是4.5mm高貼片電解電容封裝規格說明。
2021-01-07 08:00:001

DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中,以在緊湊狹小的空間提供 準確的電流限制和負載電流監視

DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中,以在緊湊狹小的空間提供 準確的電流限制和負載電流監視
2021-03-18 21:25:585

4mm x 7mm 占板面積的 IC 可產生 7 個穩定輸出

4mm x 7mm 占板面積的 IC 可產生 7 個穩定輸出
2021-03-19 06:09:497

具擴展頻譜調制功能的 17V、4MHz、雙輸出 3.5A 同步 降壓型穩壓器降低了 EMI 并采用緊湊型 3mm x 5mm QFN 封裝

具擴展頻譜調制功能的 17V、4MHz、雙輸出 3.5A 同步 降壓型穩壓器降低了 EMI 并采用緊湊型 3mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-19 08:14:058

采用 3mm x 5mm QFN 封裝的 6A、4MHz、同步降壓型穩壓器

采用 3mm x 5mm QFN 封裝的 6A、4MHz、同步降壓型穩壓器
2021-03-21 05:15:158

15V、4MHz、同步雙輸出 3A 電流降壓型穩壓器采用 4mm x 5mm QFN 封裝

15V、4MHz、同步雙輸出 3A 電流降壓型穩壓器采用 4mm x 5mm QFN 封裝
2021-03-21 06:00:377

占位面積為 9mm<sup>2</sup> 并內置微功率比較器的獨立鋰離子電池充電器

占位面積為 9mm2 并內置微功率比較器的獨立鋰離子電池充電器
2021-03-21 15:22:500

5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高達 140oC 工作

5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高達 140oC 工作
2021-03-21 17:14:028

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積
2022-11-02 08:16:250

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,8.7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,8.8 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,9 mΩN溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290

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