電動汽車電池系統方面的耐久性,換個說法就是耐久性方面的考慮。原則上,就是需要在考慮使用時間、使用公里數、使用條件和使用環境等條件下,輸入給電池系統一個等效的負荷環境。
2017-06-06 15:24:101963 其延長的寫周期耐久性和數據保留時間,FRAM技術可幫助設計人員滿足使用可用FRAM IC和基于FRAM的MCU的十年,低功耗NVM操作的要求,這些MCU來自賽普拉斯半導體,富士通半導體,ROHM Semiconductor等制造商和德州儀器。
2019-03-18 08:08:002973 NRAM則兼具FRAM的高速寫入、高讀寫耐久性(比NOR Flash高1000倍),又具備與NOR Flash相當的大容量與造價成本并實現很低的功耗(待機模式時功耗幾乎為零),同時可靠性非常高,在80度時存儲數據時限高達1000年,在300度時亦可達到10年。
2020-07-21 14:17:361146 富士通高級產品工程師伍宏杰先生表示,“恰恰是FRAM高速讀寫的特性,決定了FRAM可以實現在無電池或是突然斷電的情況下實現讀寫,避免數據的丟失。”
2014-07-29 16:59:271410 FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存,已有對傳統非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
2020-05-11 10:37:431004 0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
多個品牌總代理資質,主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品,是一家專業提供存儲方案解決商。
2020-10-09 14:27:35
EDR實施將配對具有2 Mb或4 Mb密度的無限耐久性FRAM器件和高密度閃存。存儲器通常將配置為連續存儲最新的1到5 s的數據,而閃存陣列用于批量存儲較舊的數據。對于Excelon-Auto設備,有一
2020-08-12 17:41:09
多年,并長期保持數據的能力建立這些強大的設備進入低功耗能量收集應用程序。設備配置設計人員可以找到FRAM存儲器支持并行,SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如,連同其平行的1Mb MB85R1001A
2021-12-09 08:28:44
FRAM的特點是速度快,能夠像RAM一樣操作,讀寫功耗極低,不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題;但受鐵電晶體特性制約,FRAM仍有最大訪問(讀)次數的限制。
2019-09-11 11:30:59
Altera公司產品和企業市場副總裁DannyBiran低功耗是一種戰略優勢 在器件的新應用上,FPGA功耗和成本結構的改進起到了非常重要的作用。Altera針對低功耗,同時對體系結構和生產工藝進行
2019-07-16 08:28:35
BLE低功耗藍牙的優勢及典型應用
2021-04-02 06:50:06
在Siga-S16開發板使用ddr2操作讀寫數據時 怎么判斷讀寫數據命令是否執行完畢 如果根據fifo的輸出count進行讀寫數據命令的發送 要求高速時會出錯 目前只能自己加延時等待 降低速度保證數據的正確 請教怎么提速啊
2013-07-11 19:47:31
FM17520是一款高度集成的工作在13.56MHz下的非接觸讀寫器芯片,支持符合ISO/IEC?14443?TypeA協議的非接觸讀寫器模式。?FM17520具有低電壓、低功耗、驅動能力強等特點
2017-09-28 10:14:40
FM17520 是一款高度集成的工作在 13.56MHz 下的非接觸讀寫器芯片,支持符合 ISO/IEC 14443TypeA 協議的非接觸讀寫器模式。FM17520 具有低電壓、低功耗、驅動
2019-02-15 17:37:54
傳輸數據。我們想知道是否需要對數據包采用前向糾錯,因為我們不確定EEPROM的可靠性。該數據表引用了1,000,000個周期的“最大寫入耐久性循環耐久性”。這個數字是否意味著在預期發生單個故障之前
2019-07-26 16:36:20
寫或讀高耐久性閃存(在這種情況下,我讀/寫從0x7f0到0x7FF)。我正在使用最新版本的代碼配置器生成的讀/寫函數。這聽起來像是我遺漏的“常見”功能嗎?謝謝,塞爾吉奧
2019-10-21 13:01:27
PSoC? 6 中嵌入式閃存的正確最低耐久性是多少?
PSoC? 6 的數據表聲稱閃光燈耐久性至少為 100k 次。
TRM 聲稱續航時間為 10k 個周期。
請參閱第 6.5 節 62x7 數據表
2024-02-26 06:46:06
SD卡的傳輸協議和讀寫程序SD/MMC 卡是一種大容量(最大可達4GB)、性價比高、體積小、訪問接口簡單的存儲卡。SD/MMC 卡大量應用于數碼相機、MP3 機、手機、大容量存儲設備,作為這些便攜式設備的存儲載體,它還具有低功耗、非易失性、保存數據無需消耗能量等特點。[hide][/hide]
2009-12-08 09:53:05
SI522(超低功耗13.56M芯片)替代RC522 完全兼容 PIN對PINSI522是應用于13.56MHz 非接觸式通信中高集成度讀寫卡系列芯片中的一員。 Si522 主要優勢點:1. 直接
2019-07-06 11:06:46
400kBd,高速模式速率達 3400kBd串行 UART,速率達 1228.8kBd·64 字節 FIFO·靈活的中斷模式·低功耗硬復位功能·支持軟掉電模式·集成可編程定時器·27.12MHz 內部
2022-10-11 09:20:34
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優點與富士通FRAM相比,升級到Everspin MRAM具有許多優勢:?更快的隨機訪問操作時間?高可靠性和數
2023-04-07 16:26:28
ntfs格式文件更加方便。 快速讀寫Windows NTFS文件系統使用Tuxera NTFS for Mac我們可快速進行磁盤訪問、編輯、存儲等操作,讓NTFS磁盤兼容Mac和Win平臺。 基礎功能
2020-09-11 11:35:51
電源范圍內工作。此外,與存儲電荷的存儲器設備,FRAM裝置具有耐α粒子和通常表現出軟錯誤率(SER)檢測極限以下。FRAM的優勢的影響漣漪通過的系統,例如無線傳感器節點,需要高速寫入和低功耗工作的組合
2016-02-25 16:25:49
,“讀寫數據后最對比,若數據一致則記錄一次成功,重復記錄N次直至數據不一致”但是進行測試的時候,我突然意識到一個問題。我在FRAM的介紹里面看到說:“FRAM讀寫次數超限之后它只是不再有非易矢性,但是
2013-09-03 10:52:35
文件③ DSP讀寫U盤文件④ FPGA讀寫U盤文件⑤ PLC讀寫U盤文件二、 通過高速串口快速讀寫U盤文件的解決方案① 單片機SPI口讀寫U盤文件② 用ARM的SPI口讀寫U盤文件暫不同步③ 用DSP
2014-04-14 15:59:44
嗨,哪里可以獲得有關X射線輻射損傷的設備耐久性和X射線輻射損傷的KRads總劑量閾值的信息,我需要在這些設備上具有高度重要性的信息:1 .SPARTAN2 2.5V FPGA 150,000
2019-05-15 14:18:56
要求。”在類似如上所述的系統中,FRAM 可帶來多種優勢。 結合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護單元的集成,使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
低功耗應用提高安全性。此外,它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩健統一的存儲器架構,從而可簡化安全系統設計。
2019-07-08 06:03:16
通信通道安全的加密數據(如安全密鑰及密碼等)等。最新低功耗微處理器(MCU)集成降低安全應用成本與功耗所需的高性能以及各種特性,可幫助開發人員為低功耗應用提高安全性。此外,它們還采用非易失性FRAM替代
2014-09-01 17:44:09
本文介紹了汽車PCM耐久性測試系統的整體設計思路和測試規范,重點討論了關鍵子系統的設計原理,并通過原型樣機對幾種PCM模塊長久性測試,驗證了該系統的可靠性和通用性。
2021-05-17 06:53:06
德州儀器推出業界首款超低功耗 FRAM 微控制器開發人員藉此可讓世界變得更加智能MSP430FR57xx FRAM 微控制器系列可為開發人員帶來高達100倍的寫入速度增幅及250倍的功耗降幅,因而
2011-05-04 16:37:37
、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性靜態存儲器)等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢:存儲器
2019-07-23 06:15:10
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器(MCU)系列包含幾款器件,采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外設集,面向各種感應和測量應用。該架構、FRAM和外設,結合大量低功耗模式,可以延長
2021-11-03 07:28:04
采用FRAM的MCU為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:TI做了一個實驗,如果要寫13Kbps的數據到DRAM里需要花1秒時間,大約要用2200uA的功耗去做寫的功能,但如果用FRAM來做只要10ms
2021-11-24 07:19:40
1 引言RFID(Radio Frequency Identification Technology,無線射頻識別技術)由于具有高速移動物體識別、多目標識別和非接觸識別等特點,顯示出巨大的發展潛力
2019-07-29 06:04:33
電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比,具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2020-05-07 15:56:37
什么是FRAM?FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取器)的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性
2014-06-19 15:49:33
高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數據保留能力和耐久性,適用于廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微米,讀取速度為10ns,讀取功率為0.8mA/MHz/b,在低功耗待機模式
2020-07-02 16:33:58
鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器,應用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應用, 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設計。
2009-05-13 16:25:4525 51 系列單片機慢速讀寫的時序擴展
2009-05-15 14:28:1618 FM25C160 是美國Ramtron 公司生產的非易失性鐵電介質讀寫存儲器。它具有高速讀寫,超低功耗和無限次寫入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點﹑管腳定義﹑內部結構和工作
2009-11-12 14:11:0335 為滿足手持式RFID 讀寫器的低功耗要求,提出了一種在低功耗硬件的基礎上,通過軟件調節系統的工作時鐘頻率和管理系統的工作模式來降低讀寫器系統功耗的設計方法。并為測
2009-12-19 15:48:1328 燈具耐久性試驗設施設計方案
摘要:文章根據標準GB7000.1-2007《燈具 第一部分:一般要求與試驗》標準12.3 規定和附錄K 中的要求,介紹了燈具耐久性試驗設施的
2010-04-14 15:59:4139 :低功耗模式寫入工作,實現相同的讀/寫通信距離。? 大容量內置存儲單元:記錄信息于電子標簽,實現追溯應用所需的大容量內存單元。? 讀寫工作高耐久性:保證最高1萬億次
2023-12-27 13:53:33
利用SD卡研究、設計一種大容量心電存儲及回放系統。系統基于高速低功耗的msp430單片機,利用串行外圍接口總線與SD卡相連,實現對sD卡的數據讀寫。為方便微處理器和pc機對sD卡
2010-10-20 16:07:43813 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器(FRAM)產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 STCl2C5A60S2單片機的SD卡讀寫
摘要:分析了基于STC單片機的SD卡的讀寫操作,給出了一種基于高速、低功耗、超強抗干擾的新一代STCl2C5A60S2系列IT單片機的SD卡讀寫方法。該方
2010-04-23 14:59:503842 本文將具體闡述低功耗設計理念在基于MSP430和MFRC522的非接觸式讀寫器上的應用與實現。
2011-08-25 10:31:471372 本文介紹一款便攜式巡更機(射頻讀寫器)的設計。該讀寫器主要由MCU、射頻IC卡讀寫模塊、天線及USB通信接口等部分組成。為了方便對巡更情況的實時記錄,系統采用了具有時間基準
2012-07-10 13:58:46687 FRAM(鐵電隨機存取存儲器)是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取器)的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。
2017-03-28 18:05:301459 本視頻主要內容:介紹了富士通半導體的FRAM產品特性:低功耗,快速讀寫,高讀寫次數和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:27951 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢?
2017-09-04 14:46:3010691 FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外設的FRAM產品。 不同接口的產品各自都有哪些特點呢?
2017-09-17 16:34:229446 選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014
2018-06-02 02:46:0014463 MSP430 (3) 超低功耗FRAM
2018-08-14 01:50:009499 本文檔的主要內容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532 關鍵詞:RFID , FRAM , EEPROM , 非易失性存儲器 在RFID中嵌入FRAM,打破傳統RFID標簽的一系列限制 開車的朋友可能會有這樣的經歷,當經過高速公里收費站時,交通收費卡在
2019-03-09 12:55:01496 富士通半導體利用FRAM的高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數)特長, 提供RFID用LSI以及應用于電子設備的FRAM內置驗證IC產品。富士通提供使用無限接口的FRAM內置RFID用LSI。富士通
2020-05-21 14:01:03751 FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數據,即使數據沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面具有
2020-09-27 14:32:311634 是具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。本篇文章主要介紹關于FRAM的耐久性。 SRAM具有無限的耐久性,可以無限地對其進行讀寫。FRAM具有高(數量),將應用程序限制為讀取或寫入單個字節不超過指定的周期數。緩解的最佳方法是通過設計知道
2020-10-19 14:22:59626 UV膠粘接耐久性 UV膠粘接力是UV膠水各項性能中相當重要的一項,而提高UV膠水粘接的耐久性是粘接技術面臨的重要任務,也是結構連接的的可靠保證。AVENTK作為UV膠水生產廠家,在UV膠水領域已有
2020-12-23 15:10:572341 內存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數。對于盡管嚴格和廣泛使用仍需要高數據完整性的應用程序,內存耐用性是關鍵的系統性能特征和設計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05455 獨特性能成就技術“硬核”,FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外, FRAM 還具備三大主要優勢:高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 相比,具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片,由262,144字×16位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術制造。能夠保留數據,而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02823 FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢
2021-05-04 10:17:001850 監控,記錄和分析處理。因此需要提高存儲器性能和耐久性設計。只有非易失性?高速?高讀寫耐久性的車規級的存儲器FRAM才可以滿足所要求的可靠性和無遲延的要求。 FRAM在電池管理系統BMS應用 高燒寫耐久性,高速寫入操作: ?系統每0.1或1秒,
2021-05-04 10:18:00376 存儲器的性能和耐久性設計,這些要求使FRAM成為理想的存儲選擇。 FRAM在Car Infotainment中的應用 高速燒寫,高讀寫耐久性: 系統經常會會受到發動機關閉,導航,倒車攝像或電話進入時的干擾,高端的car infotainment需要實時記錄當前狀態,并在干擾之后回復當前
2021-05-04 10:15:00289 與傳統的存儲技術相比,FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產20年以來,出貨量更是超過了41億顆!咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48422 FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點,在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 2882lite是一款高性能的UHF超高頻電子標簽讀寫器,完全自主知識產權設計,結合專有的高效信號處理算法,在保持高識讀率的同時,實現對電子標簽的快速讀寫處理,可廣泛應用于物流、門禁系統、防偽系統
2021-04-29 17:22:06435 仍有最大訪問(讀)次數的限制。FRAM在耐久性、讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個優勢: 1、壽命,讀寫的次數比較多, EEPROM和flash
2021-04-30 17:10:171083 FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經應用于IC卡和MCU中,預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產品具有明顯的高新技術特點,符合科創板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產品的開發。
2021-05-11 17:32:202107 的數據傳輸速率。 MB85RQ4ML具有高速運行和非易失性的特點,非常適合用于需要快速數據重寫的工業計算和網絡設備,如可編程邏輯控制器(PLC)和路由器。代理商英尚微支持樣品測試及技術支持。 富士通半導體20多年來量產的FRAM產品與EEPROM和閃存相比,具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54713 FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數據保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片,這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579 仍讓它無法滿足高速RAM應用必須兼具高速寫入、無限耐久性,以及可接受的數據保存能力之需求。 ? STT-MRAM(也稱為STT-RAM或有時稱為ST-MRAM和ST-RAM)是一種高級類型的MRAM設備。與常規設備相比,STT-MRAM可實現更高的密度、低功耗和更低的成本。 STT-MRAM 相對于
2021-12-11 14:47:44519 ? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20351 鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優點,具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周期耐久性。也稱為FeRAM。FRAM鐵電存儲器
2022-02-17 15:33:241666 Si522A_13.56MHz超低功耗非接觸式讀寫器芯片,支持ISO/IEC 14443A/MIFARE,支持自動載波偵測功能(ACD)
2022-03-09 17:40:46590 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器相比,FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 低功耗高性能SI512非接觸式讀卡芯片讀寫模式與參數
2022-10-12 17:50:01611 后數據不會丟失,是非易失性存儲器; 讀寫速度快:無延時寫入數據,可覆蓋寫入; 壽命長:可重復讀寫,重復次數可達到萬億次,耐久性強,使用壽命長; 功耗低:待機電流低,無需后備電池,無需采用充電泵電路; 可靠性高:兼容CMOS工藝,工作溫度范圍寬,可靠性
2022-11-10 17:00:141784 13.56MHz 的非接觸式讀寫器Si522A-內部集成低功耗自動尋卡與定時喚醒功能
2022-12-13 18:25:06777 PB85RS128鐵電存儲器是不需要備用電池就可以保持數據,和EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比,具有優越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32671 FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優點。相對于閃存/EEPROM的寫入優勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數據。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56696 本文將探討戶外儲能電池的可靠性和耐久性設計,以確保其在使用過程中具備高效、安全和長壽命的特點。
2023-08-08 13:50:06379 型號是在易燃氣體環境中開關的理想選擇。這些器件在額定負載下具有低功耗和高電氣耐久性。 圖:Omron 的 G5PZ 緊湊型 PCB 功率繼電器 01 產品特性 250 VAC 時 20A,以超薄封裝
2023-09-20 20:10:14278 FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46416 與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比,具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
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