;2024一起加油\"則表達了大家共同努力,相互支持的決心和信念。
在2024年,無論你的目標是什么,都希望你能保持這種積極的心態,勇敢地面對挑戰,不斷地學習和進步。同時,也希望大家能夠相互鼓勵,共同前進,一起創造更美好的未來。
所以,讓我們在2024年一起加油,為實現我們的夢想和目標而努力!
2024-02-26 21:01:12
任何工具和工具知識。將ECAD設計人員,采購人員,電路板制造商和裝配商連接在一起,使他們能以前所未有的方式一起協同工作。這是一個隔離且安全的環境,您可在其中定義團隊成員,配置等。它是一個存儲您所有
2021-03-12 15:59:24
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器,可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機驅動器在減小尺寸和重量的同時,可以實現更平穩的運行。這些優勢對于倉儲和物流機器人、伺服驅動器、電動自行車和電動滑板車、協作
2023-06-25 13:58:54
的器件進行測試時,我們所使用的GaN特定測試方法遠遠超過了傳統硅質量鑒定做法。
借助于合格的器件,電源設計人員能夠實現GaN的滿功率運行,打破市場普及阻礙,而最為重要的一點是,使我們有可能生活在一個能效
2018-08-31 06:50:34
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
(86) ,因此在正常體溫下,它會在人的手中融化。
又過了65年,氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代,制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物,氮化鎵的熔點超過1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵充電器從最開始量產至今,已過去了四年多,售價也從原本數百元天價到逐漸走向親民,近日發現,聯想悄然地發動氮化鎵快充價格戰,65W 雙口氮化鎵快充直接將價格拉低至 59.9 元,一瓦已經不足一
2022-06-14 11:11:16
早已摩拳擦掌,嚴陣以待,紛紛推出了順應市場的配件產品。而當各大主流手機廠商把氮化鎵快充做為手機的標準配件時,整個產業鏈將迎來一個新的發展高峰。面對氮化鎵快充市場的爆發,你準備好了嗎?我準備好了,你呢?我們一起加油。
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間,所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了,氮化鎵充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么,氮化鎵充電器有哪些優點,下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優勢,如主動有源鉗位反激式(ACF)、圖騰柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變,初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵功率晶體管的引入,氮化鎵器件市場發生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經濟高效的替代品,并成為實現新一代高功率超小型功率模塊的關鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設計人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
德州儀器在線支持社區氮化鎵解決方案論壇,與同行工程師和TI專家一起尋找解決方案、獲得幫助、分享知識和解決問題。
1-分布式能源系統和輸配電應用的電力電子技術,ORNL,2005年
?
原文鏈接
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵電源設計從入門到精通,這個系列直播共分為八講,本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧,助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧(點擊下方內容查看上期直播):- 第一講:元器件選型
2021-12-29 06:31:58
應對能力以及供應鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無線基礎設施獨一無二的出色半導體技術,硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結構實現優異的氮化鎵性能,并且具備支持大規模需求的商業制造擴展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
。為了確保可靠性和穩健耐用性,在對TI的器件進行測試時,TI所使用的GaN特定測試方法的有效性遠遠超過了傳統硅質量鑒定做法。借助于合格的器件,電源設計人員能夠實現GaN的滿功率運行,從而打破市場普及阻礙,而最為重要的一點是,這使我們有可能生活在一個能效更高的世界中。
2018-08-30 15:28:26
大家一起來學哈
2013-03-14 00:04:56
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信電子技術有限公司專業開發設計電子產品方案鈺泰,智融,賽芯微一級代理吉娜:*** 微信:mphanfan歡迎行業客戶聯系,獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及,使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
兼首席執行官John Croteau表示:“本協議是我們引領射頻工業向硅上氮化鎵技術轉化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天,MACOM通過化合物半導體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術的優勢,射頻性能和可靠
2018-02-12 15:11:38
工具包也可以單獨,或者與其他遠程編程或嵌入任意數量的射頻矢量(功率、相位、頻率、時間和能量)的控制器一起運行復雜配方,以控制復雜或可變的過程。該工具連接到功率放大器 - 無需特殊集成。我將它看作射頻能量
2017-08-03 10:11:14
不同,MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點,又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢,采用硅來做氮化鎵襯底,與碳化硅基氮化鎵相比,硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的優勢,近年來在功率器件市場大受歡迎。然而,其居高不下的成本使得氮化鎵技術的應用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術的深入研究,我們逐漸發現了一條完全不同的道路,甚至可以說是顛覆性的半導體技術。這就
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點:國外某知名品牌半導體企業,深圳氮化鎵實驗室測試對象:氮化鎵半橋快充測試原因:因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管,需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭:麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達優勢供應NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印:NV6115芯片介紹:NV6115氮化鎵MOS,是針對
2021-01-08 17:02:10
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:46 編輯
VS1053 Hifi Player 資料共享 讓我們一起打造完美聽覺感受
2012-12-27 10:55:43
這些成年程序猿,攻城獅來說,學習好,掌握好鴻蒙并不是一件很困難的事。期待國產系統光芒萬丈,讓我們一起參與進來吧!
2021-05-10 15:11:15
`歡樂可以無限放大,因為在一起。大學四年了,直到臨近畢業才發現我們四班是如此的團結,耳邊響起班歌《愛因為在心中》,大學在一起的點點滴滴就在眼前。。。我的大學我的班。`
2012-05-16 08:37:48
Canaccord Genuity預計,到2025年,電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50%或更多。本文將探討氮化鎵(GaN)電子器件,也涉及到一點碳化硅(SiC),在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
% 的能源浪費,相當于節省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統層面的能源利用率的提高。當我們發現,制造一顆片氮化鎵功率芯片,可以在生產制造環節減少80
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面,根據實際情況而言,歸一化導通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG)乘積得出的優值系數,氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑,氮化鎵充電器將能實現了
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領著提倡開發和實施全面性方法,確保在嚴苛操作環境下,GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此,我們用傳統的硅方法制作GaN的硅基,從而利用硅的內在特性。
2019-07-31 06:19:34
推廣應用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學的森勇介教授,一直在從事高品質的半導體研究,這一次,我們就氮化鎵的研發情況、研究成果對未來的應用前景產生的影響,森教授進行了訪談。目前,功率半導體的應用廣泛,其
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上,能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化鎵功率芯片,能令先進的電源轉換拓撲結構,從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質,確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多,所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區,從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
并排放在一起看看,內置氮化鎵充電器輸出功率達到27W,APPLE USB-C充電器輸出功率30W,兩者功率相差不大,但體積上卻是完全不同的級別,內置氮化鎵充電器比蘋果充電器體積小40%。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述:NV6127是一款升級產品,導通電阻更小,只有 125 毫歐,是氮化鎵功率芯片IC。型號2:AON6268絲印:6268屬性:分立半導體產品 - 晶體管封裝:DFN-8參數FET 類型:N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對測試過程提供了技術支持。測試背景:3C消費類產品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。測試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
我經常感到奇怪,我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統的MOSFET而言有很多不同和優勢,但在設計上也帶來一定挑戰。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品?
2021-06-15 06:30:55
使用氮化鎵開關管后,只需一顆氮化鎵開關管就能取代兩顆傳統硅MOS了。氮化鎵開關管內部沒有體二極管,只需一顆即可實現雙向開關,完全阻斷電池的充電和放電電流。氮化鎵具有低導阻高效率優勢,使用一顆氮化鎵開關管
2023-02-21 16:13:41
過程中不可或缺的一部分,因為電商品牌能夠根據客戶的痛點,更加快速開發出貼近市場需求的產品。比如為了實現產品的便攜性,氮化鎵快充配件越來越趨向于采用折疊插腳。同時為了讓產品能夠全球通用,部分產品還設計了可
2021-04-16 09:33:21
降低性能。行業內外隨著射頻能量通過加大控制來改進工藝的機會持續增多,MACOM將繼續與行業領導者合作,以應用最佳實踐并通過我們的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)解決方案實現射頻能量。確保了解有關射頻能量
2018-01-18 10:56:28
考慮問題。TI將系統組件與行業專業知識很好地融合在一起,為我們在這一領域取得成功提供了保障。同時,TI也正針對電源應用領域加速采用并推廣具有合適封裝方式、高性能和高可靠性的GaN技術,從而為其提供更廣闊的市場發展空間。
2018-08-30 15:05:40
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅動硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。 驅動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設計,帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術,可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么,為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢?
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
會可以組織線下活動,認識更多志同道合的工程師哦那么版主們需要做些什么才能一起推動我們共同目標的實現呢?1、我們可以一起策劃話題,提高論壇活躍度2、平時在論壇逛的時候,可以多多與壇友交流,維護論壇氛圍3
2017-02-24 14:25:33
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
回融反應。 氮化鎵和硅整合在一起很困難,前面做了很多工作,比如硅襯底表面刻槽,氮化鎵超晶格緩沖層,這些可以實現無裂紋,這是基本可行的路線。晶格失配17%,這個會影響材料的性能,現在生產到4微米氮化鎵沒有
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模,有可能實現嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
前景,但氧化鎵不太可能挑戰砷化鎵或氮化鎵在所有射頻應用中的地位。了解到它本質上是一款很好的開關后,我們希望它在開關模式放大器(如D類、E類,或F類)中具備優勢。在這些放大器中,該器件運行時的導通電阻非常
2023-02-27 15:46:36
` 好久沒發帖了,今天也來曬曬那些年我們一起做過的垃圾示波器,廢話不多說,直接上圖`
2013-06-09 21:02:53
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
我們全新的白皮書:“用一個集成驅動器優化GaN性能。”? 通過閱讀博文“我們一起來實現氮化鎵的可靠運行”,進一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇,尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們一起分享知識,解決難題。
2018-08-30 15:05:50
讓我們一起實現氮化鎵的可靠運行
2022-11-02 08:16:301 我們一起來實現氮化鎵的可靠運行
2022-11-03 08:04:272
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