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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業元件占位面積

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業元件占位面積

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2009-12-31 09:59:441421

Diodes MOSFET H橋節省50%占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產品通過減少元件數量及縮減50%的印刷電路板占位面積,簡化電機驅動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459

TI推出業內電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州儀器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管,電阻實現業內最低,比傳統60-V負載開關低90%,同時,使終端系統功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝,其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476

新型60V FemtoFET MOSFET減少您的元件占用面積

在中國深圳,我最近遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。你碰巧在你的設計中用過60V的負載開關嗎?我問。他說用過,并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形尺寸晶體管(SOT)-23,漏源導通電阻RDS(ON)通常100m左右。
2017-04-18 07:52:11784

TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低導通電阻

關鍵詞:MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源,延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電
2018-10-13 11:03:01308

60V轉5V,60V轉12V的降壓芯片規格書,0.1A-10A

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2020-11-25 17:54:4238

現貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274

60V零漂移

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2021-05-14 21:27:110

60V電池煤氣表

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2021-05-16 15:54:071

你碰巧在你的設計中用過60V的負載開關嗎

有,于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面積5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1),是專為諸如信息
2022-01-27 14:51:08684

NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)

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2022-07-13 10:49:341560

12V至60V輸入36W工業PoE隔離式反激參考設計

電子發燒友網站提供《12V至60V輸入36W工業PoE隔離式反激參考設計.zip》資料免費下載
2022-09-06 16:53:352

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的元件占位面積

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2022-11-02 08:16:250

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

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2023-02-15 18:44:250

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P

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2023-02-17 18:44:050

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2023-02-17 18:45:550

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE

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2023-02-17 18:46:150

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

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2023-02-20 19:13:270

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2023-02-20 19:14:442

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2023-02-20 19:57:030

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2023-02-20 19:57:430

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2023-02-20 20:03:400

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2023-02-20 20:04:170

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2023-02-22 18:53:020

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2023-02-23 19:05:270

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2023-03-03 19:34:480

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