通常情況下，來自人體某個部分(手指)的放電將給給不同的材料充電，隨后傳遞到附著在電子器件的導電觸點。這將造成IC損壞，并有理由指責終端用戶器件制造商。

不幸地是，這項任務經常遵循事后回想的設計原則：首先搭建沒有額外過壓瞬間抑制的電路，依靠板上的IC來進行保護。如果測試能顯示在原型階段的靈敏度，那么就加上保護器件。如果這種方法被采用來滿足當今更低放大電壓，增加頻率和更低噪聲的要求的話，整個設計必須最優的并是集成的。在末端增加保護可能非常昂貴，或由于時間限制而不切實際。

通常，ESD事件是由根據充電過程類型和瞬態電泳嚴重程度的三種主要ESD算法描述的：人體模型(HBM)、充電器件模型(CDM)和機器模型(MM)。這些模型定義了瞬變效應的類型，因此設計工程師們就可以定義明確的半導體過壓芯片瞬變等級靈敏度，以及芯片及裝配產品測試規程。利用這些模型，電路設計工程師可以測試芯片和產品的ESD保護效率相一致，而且可以定量地與可選方案進行比較。

電荷通過一系列電阻器直接傳遞，例如人的手指，是最普遍的ESD損壞原因。因此，優秀的ESD模型是HBM。在測試中待測器件中(DUT)，這是由一個100pF的電容通過一個1500Ω的電阻向器件放電來表示的。這個標準的商業版本是軍用規范883方法3015(圖1a)。

最流行的HBM變種是國際電工委員會IEC1000-4-2標準，定義為150pF電容通過一個330Ω電阻放電(圖1b)。這是歐盟對在其區域內商品銷售所必須的國際測試。

但是，明顯的瞬間電壓威脅和能量等級的不同存在于兩個模型之中。于是設計工程師可以使測試過程適合他們所期望的具體應用。例如，IEC1000-4-2具有一個非常快速的電平脈沖上升時間，能應用更多的脈沖和更高的峰值電流(見表格)。

最近，電路設計工程師已經正在通過一定數量的瞬間電壓抑制器(TVS)器件增加保護。一些例子包括固狀器件(二極管)、金屬氧化物變阻器(MOV)、可控硅整流器、其他可變電壓的材料(新聚合物器件)、氣體電子管和簡單的火花隙。

這類器件被放置在輸入端和地之間。當輸入電壓達到引起它們“開路”或導通的水平時，它們能迅速把阻抗降低。理想地，輸入威脅被部分地反射回去，而平衡被部分地通過導通的TVS器件分流到地上。所以，在電路中只有更小比例的威脅能夠達到敏感的IC。

但是ESD抑制器件也有著其自身的優缺點，隨著新一代高速電路的出現，一些缺點被放大了。例如，TVS必須迅速響應到來的浪涌電壓。浪涌電壓在0.7ns達到8KV(或更高)峰值時，TVS器件的觸發或調整電壓(與輸入線平行)必須要足夠低以便作為一個有效的電壓分配器。

一些器件可保護電路，但在僅幾次電流脈沖和/或陷入進入低阻(短路)狀態后就老化了，形成電路到地的大電電流通道。這點對由電池驅動的器件來說是致命的。

每個器件有其自身的差異。氣體放電管可通過大電流，但是響應速度很慢。它們也會老化且不能恢復。MOV能為高速電路提供相對緩慢的導通響應。硅二極管的觸發響應速度非常快，導通電壓低，但它們像MOVS和其他器件一樣，電容比較高，從而影響高速信號。

頻率越高，電容效應就越大。全新的ESD變壓器件是當前僅有能夠提供極低電容和非常低關斷漏電流的產品。此外，在多次脈沖之后它們能自我恢復。

現在考慮成本因素。設計工程師盡可能地把非主要器件的成本降到最低。由于供大于求，二極管的價格一直以來都很低。一些新的高頻聚合物器件的價格也十分有競爭力。

過去幾個主要的設計因素簡化了ESD抑制器問題。工作電壓更高、速度更慢、更魯棒的IC對浪涌電壓不那么敏感。更低的工作頻率也意味著保護速度不那么重要。同時，阻抗更高線路和引腳元件的電路、金屬更多的封裝以及更少的外部節點，也使事情變得更加簡單。