現在大多數電子系統都要支持熱插拔功能，所謂熱插拔，也就是在系統正常工作時，帶電對系統的某個單元進行插拔操作，且不對系統產生任何影響。

　　熱插拔對系統的影響主要有兩方面：

　　其一，熱插拔時，連接器的機械觸點在接觸瞬間會出現彈跳，引起電源振蕩，如下圖所示：

　　這個振蕩過程會引起系統電源跌落，引起誤碼，或系統重啟，也可能會引起連接器打火，引發火災。

　　解決的辦法就是延遲連接器的通電時間，在連接器抖動的那十幾毫秒內（（t1至t2）不給連接器通電，等插入穩定后（t2后）再通電，即防抖動延時。

　　其二，熱插拔時，由于系統大容量儲能電容的充電效應，系統中會出現很大的沖擊電流，大家都知道，電容在充電時，電流呈指數趨勢下降（左下圖），所以在剛開始充電的時候，其沖擊電流是非常大的。

　　此沖擊電流可能會燒毀設備電源保險管，所以在熱插拔時必須對沖擊電流進行控制，使其按理想的趨勢變化，如右上圖所示，圖中0~t1為電源緩啟動時間。

　　綜上所述，緩啟動電路主要的作用是實現兩項功能：

　　1）。防抖動延時上電;

　　2）?？刂戚斎腚娏鞯纳仙甭屎头怠?/p>

　　緩啟動電路有兩種類型：電壓斜率型和電流斜率型。

　　電壓斜率型緩啟動電路結構簡單，但是其輸出電流的變化受負載阻抗的影響較大，而電流斜率型緩啟動電路的輸出電流變化不受負載影響，但是電路結構復雜。

　　下面重點介紹電壓型緩啟動電路。

　　設計中通常使用MOS管來設計緩啟動電路的。MOS管有導通阻抗Rds低和驅動簡單的特點，在周圍加上少量元器件就可以構成緩慢啟動電路。通常情況下，在正電源中用PMOS，在負電源中使用NMOS。

　　下圖是用NMOS搭建的一個-48V電源緩啟動電路，我們來分析下緩啟動電路的工作原理。

　　1）.D1是嵌位二極管，防止輸入電壓過大損壞后級電路;

　　2）.R2和C1的作用是實現防抖動延時功能，實際應用中R2一般選20K歐姆，C1選4.7uF左右;

　　3）.R1的作用是給C1提供一個快速放電通道，要求R1的分壓值大于D3的穩壓值，實際應用中，R1一般選10K左右;

　　4）.R3和C2用來控制上電電流的上升斜率，實際應用中，R3一般選200K歐姆左右，C2取值為10 nF~100nF;

　　5）.R4和R5的作用是防止MOS管自激振蕩，要求R4、R5lt;

　　6）。嵌位二極管D3的作用是保護MOS管Q1的柵-源極不被高壓擊穿;D2的作用是在MOS管導通后對R2、C1構成的防抖動延時電路和R3、C2構成的上電斜率控制電路進行隔離，防止MOS柵極充電過程受C1的影響。

　　下面來分析下該電路的緩啟動原理：

　　假設MOS管Q1的柵-源極間的寄生電容為Cgs，柵-漏極間的寄生電容為Cgd，漏-源極間的寄生電容為Cds，柵-漏極外部并聯了電容C2 （C2gt;》Cgd），所以柵-漏極的總電容C’gd=C2+ Cgd，由于相對于C2 來說，Cgd的容值幾乎可忽略不計，所以C’gd≈C2，MOS管柵極的開啟電壓為Vth，正常工作時，MOS管柵源電壓為Vw（此電壓等于穩壓管D3的嵌位電壓），電容C1充電的時間常數t=（R1//R2//R3）C1，由于R3通常比R1、R2大很多，所以t≈（R1//R2）C1。

　　下面分三個階段來分析上述電壓緩啟動電路的工作原理：

　　第一階段：-48V電源對C1充電，充電公式如下。

　　Uc=48*R1/（R1+R2）［1-exp（-T/t）］，其中T是電容C1電壓上升到Uc的時間，時間常數t=（R1//R2）C1。所以，從上電到MOS管開啟所需要的時間為：Tth=-t*ln［1-（Uc*（R1+R2）/（48*R1））］

　　第二階段：MOS管開啟后，漏極電流開始增大，其變化速度跟MOS管的跨導和柵源電壓變化率成正比，具體關系為：dIdrain/dt = gfm *dVgs/dt，其中gfm為MOS管的跨導，是一個固定值，Idrain為漏極電流，Vgs為MOS管的柵源電壓，此期間體現為柵源電壓對漏源電流的恒定控制，MOS管被歸納為壓控型器件也是由此而來的。

　　第三階段：當漏源電流Idrain達到最大負載電流時，漏源電壓也達到飽和，同時，柵源電壓進入平臺期，設電壓幅度為Vplt。由于這段時間內漏源電流Ids保持恒定，柵源電壓Vplt=Vth+（Ids/gfm），同時，由于固定的柵源電壓使柵極電流全部通過反饋電容C’gd，則柵極電流為Ig= （Vw-Vplt）/（R3+R5），由于R5相對于R3可以忽略不計，所以Ig≈（Vw-Vplt）/R3。因為柵極電流Ig≈Icgd，所以，Icgd=Cgd*dVgd/dt。由于柵源電壓在這段時間內保持恒定，所以柵源電壓和漏源電壓的變化率相等。故有：dVds/dt=dVgd /dt=（Vw-Vplt）/（R3*C2）。

　　由此公式可以得知，漏源電壓變化斜率與R3*C2的值有關，對于負載恒定的系統，只要控制住R3*C2的值，就能控制住熱插拔沖擊電流的上升斜率。

　　緩啟動階段，柵源電壓Vgs，漏源電壓Vds和漏源電流Ids的變化示意圖如下所示。

　　在0~t1階段，肖特基二極管D2尚未開啟，所以Vgs等于0，在這段時間內，-48V電源通過R3、R5對C2充電，等C2的電壓升高到D2的開啟電壓，MOS管的柵極電壓開始升高，等柵源電壓升高到MOS管的開啟電壓Vth時，MOS管導通，漏源電流Ids開始增大，等MOS管的柵源電壓升高到平臺電壓Vplt時，漏源電流Ids也達到最大，此時，漏源電壓Vds進入飽和，開始下降，平臺電壓Vplt結束時，MOS管完全導通，漏源電壓降到最低，MOS管的導通電阻Rds最小。