你好,我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。為了驅(qū)動這些MOSFET,我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的問題是我需要在門到源之間安裝二極管和電阻,如下
2018-10-26 14:46:14
柵極與源極之間加一個電阻,這個電阻起到什么作用?一是為場效應管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用:保護柵極G-源極S;
2019-05-23 07:29:18
了一種獨特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動電路,為快速開關HPA提供了另一種方法,同時消除了與漏極開關有關的電路。實測切換時間小于200 ns,相對于1 s的目標還有一些裕量。其他特性包括:解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
地在MOS管的漏-源穩(wěn)態(tài)截止電壓上,出現(xiàn)電壓尖峰。我的問題如下【1】MOS管的漏極就是相當于三極管的集電極,為什么要說成漏極,漏這個說法我一直不明白?【2】經(jīng)常可以看到說變壓的漏磁,漏磁通,或者電感的漏感,怎么理解這些定義?【3】上文說的,漏磁通下降了,漏感就任然可以釋放儲能,是根據(jù)什么?謝謝
2017-07-22 11:57:00
1、電壓負載 在具有直流穩(wěn)壓大功率電路的應用中,通常首先考慮選擇漏源電壓VDS。這里的理由是,在實際工作環(huán)境中,MOSFET的最大峰值漏極-源極電壓小于器件規(guī)格的標稱漏極-源極中斷電壓的90
2021-11-12 08:12:11
如圖,IC幾個管腳是代表不同的幾組漏源極?這幾組管腳有什么區(qū)別呢?
2020-12-24 15:43:21
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎?柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎?
2023-05-16 14:33:51
MOSFET驅(qū)動電路中自舉電容如何發(fā)揮作用?為何漏極48V導通后柵極就變成63V了?
2015-07-30 14:49:53
管正向電流(ISM):72A漏源電壓(VDSS):200V柵極閾值電壓(VGS):±30V靜態(tài)漏源導通電阻(RDS(on)):0.18Ω二極管正向壓降(VSD):1.5V零柵極電壓漏極電流(IDSS
2021-12-28 17:08:46
小女子初次進入這個行業(yè)請多多幫忙 ………………不勝感激{:soso_e100:}MOS管漏極與源極并聯(lián)一個穩(wěn)壓二極管是什么作用???上圖中PD3的作用
2011-10-09 14:42:41
MOS管漏極振鈴Q6換成了YJN02N10A,100V2A的MOS,電感換成了47uH(某品牌樣機的是47uh)負載電流要求≤90ma,輸出電壓0-45V可調(diào),負載電阻500歐,我買了一個水泥電阻
2022-05-23 19:16:03
普通N MOS管給柵極一個高電壓 ,漏極一個低電壓,漏源極就能導通。這個GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管,給柵極一個4-10V的電壓,漏源極不能導通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO(30v)才可以?
2019-06-21 13:30:46
簡稱上包括NMOS、PMOS等。1、三個極的判定G極(gate)—柵極,不用說比較好認 S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是
2023-02-10 16:17:02
傳說中的米勒電容。 這三個等效電容是構成串并聯(lián)組合關系,它們并不是獨立的,而是相互影響,其中一個關鍵電容就是米勒電容Cgd。這個電容不是恒定的,它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化,同時會影響柵極和源
2023-03-15 16:55:58
數(shù)字電路中MOS管常被用來作開關管,所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中,根據(jù)構成和導通特性可分為四類MOS管:g被稱為柵極,d為漏極,s為源極,B為襯底,在實際生產(chǎn)中,襯底與源極相連,所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
MOS管驅(qū)動電機,負載接在漏極端;MOS+運放組成的恒流源,負載也在漏極端。想問一下,負載可以放在源極嗎?兩者有什么區(qū)別?
2021-07-08 18:07:57
形成電子導電溝道,將源極和漏極連起來。2. 漏極加正電壓(VDS>0),形成橫向電場,電子逆著電場方向漂移到漏極,形成漏極到源極的電流。深入了解:1. 如果柵極家的電壓不夠大,即
2012-07-04 17:27:52
形成電子導電溝道,將源極和漏極連起來。2. 漏極加正電壓(VDS>0),形成橫向電場,電子逆著電場方向漂移到漏極,形成漏極到源極的電流。深入了解:1. 如果柵極家的電壓不夠大,即
2012-07-06 16:06:52
MOS管的開關電路中柵極電阻R5和柵源極級間電阻R6是怎么計算的?在這個電路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可變電阻狀態(tài)中,作為開關電路是怎么計算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09
MOS管在什么情況下流過連續(xù)漏記電流?在什么情況下流過脈沖漏極電流?正常用方波脈沖驅(qū)動MOS管通斷的話,流過MOS管的是連續(xù)漏極電流還是脈沖漏極電流?
2018-08-23 15:30:44
Multisim里單獨一個PMOS管什么也不接只給源極加個電壓,用示波器測它漏極為什么會有和源極一樣的電壓
2016-12-03 15:12:13
N型IGBT的門極、集電極、發(fā)射極怎么區(qū)分?
2015-11-26 00:00:45
Pmos關閉狀態(tài)下,源極輸入5v,漏極空載(斷開)的電壓為什么實測是4V左右,不是應該是0嗎?
2019-12-22 14:04:20
漏源導通電阻:156 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:10 VVgs th-柵源極閾值電壓:1 VQg-柵極電荷:6.8 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散
2020-09-24 14:33:55
STM8S105 / 103的I / O引腳的“安全”漏極/源極電流是多少?以上來自于谷歌翻譯以下為原文 What is 'safe' sink/source current for I/O pins for STM8S105/103
2019-02-19 15:50:27
設計。 01 TO-247-3與TO-247-4兩種封裝類型介紹 圖1 傳統(tǒng)TO-247-3封裝的MOSFET類型 傳統(tǒng)的TO-247-3封裝的MOSFET類型如圖1所示,其管腳由柵極、漏極和源極構成。從
2023-02-27 16:14:19
TVS二極管的正負極一般用萬用表測量測量二極管的檔位,單向側(cè)有連接,雙向兩側(cè)有電壓;直流測量的雪崩擊穿特性是雙向?qū)ΨQ的,只有反向單向的。一般來說,它測量在1mA。所有的TVS二極管經(jīng)過放大后,都會有一個陰極線,用來區(qū)分二極管的正負極,它是獨立于單極和雙向的。TVS二極管規(guī)格書下載:
2021-12-17 11:51:05
全橋逆變后接的是容性負載,全橋的高壓是220v整流的,驅(qū)動是用的ir21834做的 自舉電容是用的1uf快速二極管用的是rf107mos管耐壓是500v 電流8a 全橋逆變接容性負載工作大概3分鐘mos管的漏極和柵極通了且mos管的封轉(zhuǎn)裂了 是由于負載引起的過熱還是什么其他原因
2015-01-30 00:35:51
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎?為什么?
2015-10-25 20:56:23
“ ON”,因此需要相對于源極的負柵極電壓來調(diào)制或控制漏極電流。只要不存在輸入信號且Vg保持柵極-源極pn的反向偏置,只要穩(wěn)定電流流過JFET,就可以通過從單獨的電源電壓偏置或通過自偏置裝置來提供該負電
2020-09-16 09:40:54
發(fā)現(xiàn)表針有輕微擺動,就證明第三腳為柵極。欲獲得更明顯的觀察效果,還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳,只要看到表針作大幅度偏轉(zhuǎn),即說明懸空腳是柵極,其余二腳分別是源極和漏極。判斷理由:JFET的輸入電阻
2019-08-04 07:00:00
是柵極,其余二腳分別是源極和漏極。判斷理由:JFET的輸入電阻大于100MΩ,并且跨導很高,當柵極開路時空間電磁場很容易在柵極上感應出電壓信號,使管子趨于截止,或趨于導通。若將人體感應電壓直接加在柵極上
2019-07-30 07:30:00
“ ON”,因此需要相對于源極的負柵極電壓來調(diào)制或控制漏極電流。只要不存在輸入信號并且Vg保持柵極-源極pn的反向偏置,只要穩(wěn)定電流流過JFET,就可以通過從單獨的電源電壓偏置或通過自偏置裝置來提供該
2020-11-03 09:34:54
控制小信號。對于大電流,三極管發(fā)熱會比較嚴重。mos管因為導通電阻非常小,所以特別適合控制大電流的電路。mos管(場效應管)的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們
2017-10-26 23:45:23
的方向。MOSFET管是另一種非常常見的晶體管類型。它也具有三個引腳:柵極(G)、漏極(D)、源極(S)MOS管和三極管同為晶體管,它們之間的工作原理也有些類似之處:1).MOS管的源極S、柵極G、漏極
2023-02-20 15:30:11
在使用三極管的時候,按照top view的圖中,看到三極管的柵極、源級和漏級所對應的引腳,但在使用的時候(參看原理圖和PCB圖)實際原件按照對應封裝對應引腳連入電路,當G和S極調(diào)換連接時,電路才會
2015-01-01 15:04:25
,因此,下管的寄生二極管在死區(qū)時間內(nèi)具有導通損耗,同時具有二級管的反向恢復損耗。 功率MOSFET的寄生參數(shù)模型如圖1所示,其中,G、D、S分別為封裝好的器件外部的柵極、漏極和源極,G1、S1分別為內(nèi)部
2020-12-08 15:35:56
電壓。將這些式子結(jié)合起來,可得到MOSFET柵極驅(qū)動電壓是漏源電壓的函數(shù):VGS=-(R2/R1)VDS二極管規(guī)格書下載:
2021-04-08 11:37:38
什么是集電極開路(OC)?什么是漏極開路(OD)?
2021-03-10 06:35:21
PLC輸入分為源型和漏型,什么是源型和漏型,是指傳感器的晶體管類型嗎?源型NPN和漏型PNP,還是指信號流入流出的方向,源極為流出,射極為流入?再或者是指信號輸出的方式,集電極輸出和射極輸出?電子專業(yè)常說的有源指的是什么?什么有源負載,有源電路的。
2024-01-14 00:29:14
TG傳輸門電路中。當C端接+5,C非端接0時。源極和襯底沒有連在一起,為什么當輸入信號改變時,其導通程度怎么還會改變?導電程度不是由柵極和襯底間的電場決定的嗎?而柵極和襯底間的電壓不變。所以其導通程度應該與輸入信號變化無關啊!而書上說起導通程度歲輸入信號的改變而改變?為什么?求詳細解釋!謝謝!
2012-03-29 22:51:18
和漏極電荷Qgs:柵極和源極電荷柵極電荷測試的原理圖和相關波形見圖1所示。在測量電路中,柵極使用恒流源驅(qū)動,也就是使用恒流源IG給測試器件的柵極充電,漏極電流ID由外部電路提供,VDS設定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構特點為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢?
2021-03-10 06:19:21
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點,也會使得漏極開機瞬間尖峰稍微減小,但也會導致低壓無法啟動。
請問是什么原因?qū)е翸OS管漏極開機瞬間電壓很大?如何解決?
2023-10-09 23:06:47
我的理解(將漏極d與源極s調(diào)換):B_VCC是USB供電,為5V。當沒有插入DC接口時,PSELF接地,則Ugs=-5V,PMOS導通,VCC=B_VCC;當插入DC接口時,PSELF懸空
2018-10-30 19:25:45
在開關電源中如何消除開關mos管漏極產(chǎn)生的振蕩成份呢?
2023-05-09 14:56:25
。 三、場效應管的參數(shù)場效應管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時關注以下主要參數(shù): 1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓U GS=0
2021-05-13 06:13:46
請教各位大蝦,場效應管導通后,源極和漏極的電壓是相等的嗎?
2013-07-22 11:40:31
小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。 制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐
2021-05-13 06:55:31
編輯-ZMOS管10N60的三個極是什么以及如何判斷MOS管10N60的三個極是:G(柵極)、D(漏極)和s(源極)。柵極和源極之間的電壓必須大于一定值,漏極和源極才能導通。 10N60參數(shù)描述
2021-10-22 17:01:01
!它在高側(cè)柵極驅(qū)動器源連接(R57、R58 和 R59)中也有 4R7 電阻,我不明白為什么需要這些。是否有任何設計指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動器可能需要對 MOSFET 源極施加一些電阻?
2023-04-19 06:36:06
第三腳懸空。若發(fā)現(xiàn)表針有輕微擺動,就證明第三腳為柵極。欲獲得更明顯的觀察效果,還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳,只要看到表針作大幅度偏轉(zhuǎn),即說明懸空腳是柵極,其余二腳分別是源極和漏極。 判斷理由
2012-12-14 11:34:42
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
反相電壓放大(共發(fā)射極(共源極)電路),輸入電壓(電流)增加,輸出電壓下降。是因為管壓降低了,相當于管子的電阻小了,電流大了
2012-07-09 17:45:33
我正在使用 NUCLEO-L552ZE-Q 并制作了一個非常簡單的測試電路來測試漏極開路輸出信號。我將引腳配置為漏極開路輸出,沒有上拉或下拉,信號通過 1K 電阻上拉至 3.3V。當我設置引腳時,我
2022-12-27 06:13:19
童詩白 模擬電子技術基礎 第四版 41頁 有一段話這樣說的:若U[sub]DS[/sub]>0V,則有電流i從漏極流向源極,從而使溝道中各點與柵極間的電壓不再相等,而是沿溝道從源極到漏極逐漸
2012-02-22 11:22:26
二極管,從而區(qū)分了源極和漏極。實際的元件,p型的,襯底是接正電源的,使得柵極預先成為相對負電壓,因此p型的管子,柵極不用加負電壓了,接地就能保證導通。相當于預先形成了不能導通的溝道,嚴格講應該是耗盡型了
2019-01-03 13:43:48
新手求助五極管簾柵極電容的作用是什么?
2023-03-13 17:50:46
求大神幫忙推薦一個輸入12v電壓的場效應管:具體就是漏極與源極之間的電壓為12v,柵極無輸入電壓時,源極與漏極截止,當柵極輸入電壓時,源極與漏極導通,求大神推薦一下產(chǎn)品,順便告知一下電阻選用哪個范圍的?謝謝
2015-08-17 16:07:41
;2)用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和源極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時表針指示的值一般是0,這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場
2020-03-20 17:11:50
漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏,漏源極之間無電流流過。導電:在柵源極間加正電壓UGS,柵極是絕緣的,所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區(qū)中的空穴推開,而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極
2020-03-04 10:11:00
MOSFET的柵極電荷特性與開關過程MOSFET的漏極導通特性與開關過程
2021-04-14 06:52:09
`絕緣型場效應管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離,因此而得名。又因柵極爲金屬鋁,故又稱爲MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場效應管大得多,可達1010Ω以上,還由于它比結(jié)型
2019-03-21 16:51:33
N溝型結(jié)型管,當柵極和源極之間不加電壓時,漏極與源極之間加正電壓。這時我們說溝道導通,而且隨著漏極與源極之間的電壓升高,電流也跟著升高。但是我覺得隨著漏極與源極之間的電壓升高,也就是漏極與柵極之間
2009-03-07 18:44:34
插入電池,打開開關后U3A導通,那不是漏極拉低,把U3A的柵極拉低?互相矛盾嗎
2020-04-02 10:22:38
`設計了一個D類功放,在不加大電壓的情況下,用示波器測量功放管的柵極處的驅(qū)動信號是正常的,但是在管子漏極加70V電壓工作時,驅(qū)動信號有毛刺,導致電源保護,請問大神們有遇到過這種情況的嗎,怎么解決?下圖分別為加入70V漏源電壓和不加漏源電壓時柵源極驅(qū)動信號波形。`
2019-02-21 11:23:53
請問NMOS管的漏極接3個LED負載(每個規(guī)格3.3V 150ma)使用DC12V供電,請問具體可以用什么樣的管子,漏極電阻RD與柵極電阻RB如何計算,謝謝
2019-01-06 01:38:20
在電流鏡像電路中,有時會把場效應管的源級接Vcc,漏極接地,那么當柵極與漏極相連構成電流鏡時,場效應管是怎么導通的????
2018-08-09 17:09:04
兩層電源板,板子設計中有4個MOSFET管串聯(lián),由于只有兩層,四個MOSFET管的3個源級要過大電流,所以用銅連接在一起;四個MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級和漏極之間(請看圖片),不知道這樣的柵極走線會不會受影響?
2018-07-24 16:19:28
這是一本單片機書上講開漏輸出的例圖,我感覺有問題。
mos管的漏極電壓取決于柵極電壓,并不是i/o口在控制柵極,不管柵極高還是低,i/o口并沒有在輸出或者控制,這樣的電路有什么用途呢?
還是例圖畫錯了?
2016-02-29 20:37:40
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對
2018-11-01 11:35:35
所示的電路圖進行了雙脈沖測試,在測試中,使低邊(LS)的MOSFET執(zhí)行開關動作。高邊(HS)MOSFET則通過RG_EXT連接柵極引腳和源極引腳或驅(qū)動器源極引腳,并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖
2022-06-17 16:06:12
高速柵極驅(qū)動器可以實現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管,對于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
什么是漏極?什么是源極?什么是柵極?柵極源極漏極怎么區(qū)分?漏極 源極 柵極相當于三極管的哪極? 漏極、源極和柵極都是指晶體管(如三極管)的不同極性。 首先,我們需要了解晶體管的基本結(jié)構,它由兩個PN
2023-11-21 16:00:457821
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