TTL或非門、集電極開路門和三態門電路

1.TTL或非門

　　下圖為TTL或非門的邏輯電路及其代表符號。

　　由圖可見 ，或非邏輯功能是對TTL與非門的結構改進而來，即用兩個 三極管T_2A和T_2B代替T₂。
　　若兩輸入端為低電平，則T_2A和T_2B均將截止 ，i_B3＝0，輸出為高電平。
　　若A、B兩輸入端中有一個為高電平 ，則T_2A或T_2B將飽和 ，導致i_B3＞0，i_B3便使T₃飽和 ，輸出為低電平。這就實現了或非功能。即。

2.集電極開路門

　　在工程實踐中將兩個門的輸出端并聯以實現與邏輯的功能稱為線與。
　　考察下圖所示的情況。當將圖中所示的兩個邏輯門的輸出連接在一起，并且當第一個門的輸出為高電平（第一個門的T₄導通），第二個門的輸出為低電平（第二個門的T₃導通）時，正如圖中紅線所示將出現一個大電流通道，很可能導致晶體管的損壞。

　　為了避免線與時的產生大電流，可以采用集電極開路門（簡稱OC門）來解決 。所謂集電極開路是指從TTL與非門電路的推挽式輸出級中刪去電壓跟隨器，如下圖所示：

　　對于一個兩輸入端的OC門，其在電路中的符號可用下圖來表示：

　　為了實現線與的邏輯功能，可將多個門電路輸出管T₃的集電極至電源V_CC之間，加一公共的上拉電阻R_P，如下圖所示。為了簡明起見，圖中以兩個OC門并聯為例，其中圖標“”表示集電極開路之意。

　　上拉電阻R_p的值可以這樣來計算，主要考慮OC門必須驅動一定的拉電流或灌電流負載。有關這兩類負載的概念前已討論，這里仍然適用 ，所不同的是驅動門是由多個TTL門的輸出端直接并聯而成。當OC門中的一個TTL門的輸出為低電平 ，其他為高電平時，灌電流將由一個輸出BJT（如T₁或T₂）承擔 ，這是一種極限情況，此時上拉電阻R_P具有限制電流的作用。為保證I_OL不超過額定值I_OL(max)，必須合理選用R_P的值。例如V_CC＝5V，R_P＝1kΩ，則I_OL＝5mA。
　　另一方面，由于門電路的輸出、輸入電容和接線電容的存在，R_P的大小必將影響OC門的開關速度。R_P的值愈大，負載電容的充電時間常數亦愈大，因而開關速度愈慢。R_P的最小值R_P(min)可按下式來確定
：

R_P的最大值R_P(max)可按下式來確定：

　　實際上，R_P的值選在R_P(min)和R_P(max)之間，并且選用靠近R_P(min)的標準值。

　　例：設TTL與非門74LS01(OC)驅動8個74LS04（反相器），試確定一合適大小的上拉電阻R_P，設V_CC=5V。

　　由以上計算可知R_p的值可在985Ω至18.75kΩ之間選擇 。為使電路有較快的開關速度，可選用一標準值為１kΩ的電阻器為宜。
　　集電極開路門除了可以實現多門的線與邏輯關系外，還可用于直接驅動較大電流的負載。

3.三態與非門（TSL）

　　利用OC門雖然可以實現線與的功能，但外接電阻R_p的選擇要受到一定的限制而不能取得太小，因此影響了工作速度。同時它省去了有源負載，使得帶負載能力下降。為保持推拉式輸出級的優點，還能作線與聯接，人們又開發了一種三態與非門，它的輸出除了具有一般與非門的兩種狀態，即輸出電阻較小的高、低電平狀態外，還具有高輸出電阻的第三狀態，稱為高阻態，又稱為禁止態。

　　一個簡單的TSL門的電路如上圖所示。其中CS為片選信號輸入端，A、B為數據輸入端。
　　當CS=1時，TSL門電路中的T₅處于倒置放大狀態 ，T₆飽和，T₇截止，即其集電極相當于開路。此時輸出狀態將完全取決于數據輸入端A、B的狀態，電路輸出與輸入的邏輯關系與一般與非門相同。這種狀態稱為TSL的工作狀態。
　　當CS=0時T₇導通，使T₄的基極鉗制于低電平。同時由于低電平的信號送到T₁的輸入端，迫使T₂和T₃截止 。這樣T₃和T₄均截止，門的輸出端L出現開路，既不是低電平，又不是高電平 ，這就是第三工作狀態。這樣，當CS為高電平時，TSL門的輸出信號送到總線 ，而當CS為低電平時，門的輸出與數據總線斷開，此時數據總線的狀態由其他門電路的輸出所決定。

七、改進型TTL門電路——抗飽和TTL電路

　　抗飽和TTL電路是目前傳輸速度較高的一類TTL電路。這種電路由于采用肖特基勢壘二極管SBD鉗位方法來達到抗飽和的效果 ，一般稱為SBDTTL電路（簡稱STTL電路），其傳輸速度遠比基本TTL電路為高。

肖特基勢壘二極管的工作特點如下：
　　（1）它和PN結一樣，同樣具有單向導電性，這種鋁-硅勢壘二極管導通電流的方向是從鋁到硅。
　　（2）AL－SiSBD的導通閾值電壓較低，約為0.4～0.5V ，比普通硅PN結約低0.2V。
　　（3）勢壘二極管的導電機構是多數載流子 ，因而電荷存儲效應很小。
　　根據前面的學習，我們已經知道，BJT工作在飽和時 ，發射結和集電結都處在正向偏置，集電結正向偏置電壓越大，則表明飽和程度越深。
　　為了限制BJT的飽和深度，在BJT的基極和集電極并聯上一個導通閾值電壓較低的肖特基二極管，如下圖所示。

　　當沒有SBD時，隨著基級電壓的升高，電流沿著藍線方向流動。由于SBD的作用，當基級電壓大于0.4V時， SBD首先電導通，電流沿著紅線方向流動（如下圖所示），從而使T的基極電流不會過大（而且使T的集電結正向偏壓將被鉗制在0.4V左右），因此SBD起到抵抗過飽和的作用，因而又將這種電路稱為抗飽和電路，使電路的開關時間大為縮短。

　　下圖為肖特基TTL（STTL）與非門的典型電路。與基本TTL與非門電路相比，作了若干改進。在基本的TTL電路中 ，T₁、T₂和T₃工作在深度飽和區，管內電荷存儲效應對電路的開關速度影響很大。現在除T₄外，其余的BJT均采用SBD鉗位，以達到明顯的抗飽和效果。其次，基本電路中的所有電阻值這里幾乎都減半。這兩項改進導致門電路的開關時間大為縮短。由于電阻值的減小也必然會引起門電路功耗的增加。

STTL門電路還有以下三點對基本TTL電路的性能作了改進：
　　（1）二極管D被由T₄和T₅所組成的復合管所代替，當輸出由低電平向高電平過渡時，由于復合管電路的電流增益很大，輸出電阻很小
，從而減小了電路對負載電容的充電時間。
　　（2）電路輸入端所加的SBD—D_A和D_B，用來減小由門電路之間的連線而引起的雜散信號。
　　（3）基本電路中的R_e2（1kΩ）改為由T₆與R_c6 、R_b6的組合電路所代替。這個組合電路是有源非線性電阻。當其兩端的電壓（發射極e2對地）較低時，呈現很大的電阻，而當其兩端的電壓達到0.7V左右時，則呈現很小的電阻。這樣，當與非門的全部輸入端由低電平轉向高電平時，有源電阻開始不導通使T₃很快達到飽和；反之，當電路的全部輸入端（或其中之一）由高電平轉向低電平時，T₂和T₃將截止，由于T₃飽和時，V_BE=0.7V，在轉換開始的瞬間，有源電阻的阻值很小
T₃基區存儲的電荷通過此低阻回路很快消散。由于這個緣故，有源非線性電路稱為有源下拉電路 ，它與有源上拉電路是對應的 。意即將 V_BE3從0.7 V很快拉到０V，從而使輸出電壓很快升高，即提高了開關速度。

　　基于上述特點,STTL與非門具有較為理想的傳輸特性。與基本TTL反相器的傳輸特性相比，Ｃ點不再存在了，由Ｂ點直接下降到Ｄ點，即傳輸特性變化非常陡峭，見下圖。

　　除典型的肖特基型（STTL）外，尚有低功耗肖特基型（LSTTL）、先進的肖特基型（ASTTL），先進的低功耗型（ALSTTL）等，它們的技術參數各有特點，是在TTL工藝的發展過程中逐步形成的。

TTL門電路的各種系列的性能比較