（a）截止區（又稱阻斷區）
iB＝0，開關處于斷態
GTR承受高電壓而僅有極小的漏電流存在
集電結反偏UBC<0，發射結反偏UBE<0 ；或集電結反偏UBC<0 ，發射結偏壓為零UBE=0
（b）有源區（又稱放大區或線性區）
iC與iB之間呈線性關系，特性曲線近似平直
UBC<0， UBE>0
對于工作于開關狀態的GTR來說，應當盡量避免工作于有源區，否則功耗很大，要快速通過有源區，實現截止與飽和之間的狀態轉換。
（c）飽和區
開關處于通態，iB變化時，iC不再隨之變化
導通電壓和電流增益均很小
UBC>0， UBE>0
（d）準飽和區
指有源區與飽和區之間的一段區域，即特性曲線明顯彎曲的部分
iC與iB之間不再呈線性關系，UBC<0， UBE>0
（e）失控區
當UCE 超過一定值時，晶體管進入失控區，會導致雪崩擊穿。
UCEO：基極開路，對應的反向擊穿電壓；
UCEs ：基極和發射極短路所對應的電壓；
UCEx : 基極負偏所對應的電壓。
（2）動態特性?????????????
開通過程
延遲時間td和上升時間tr，二者之和為開通時間tontd主要是由發射結勢壘電容和集電結勢壘電容充電產生的。增大IB1的幅值并增大diB/dt，可縮短延遲時間，同時可縮短上升時間，從而加快開通過程

GTR的開通和關斷過程電流波形

關斷過程
儲存時間ts和下降時間tf，二者之和為關斷時間toff
ts是用來除去飽和導通時儲存在基區的載流子的，是關斷時間的主要部分
減小導通時的飽和深度以減小儲存的載流子，或者增大基極抽取負電流IB2的幅值和負偏壓，可縮短儲存時間，從而加快關斷速度
減小導通時的飽和深度的負面作用是會使集電極和發射極
????? 間的飽和導通壓降UCES增加，從而增大通態損耗
GTR的開關時間在幾微秒以內，比晶閘管和GTO都短很多
3. GTR的主要參數
?????? 電流放大倍數? 、直流電流增益hFE（一般可認為hFE ）、集射極間漏電流ICEO、集射極間飽和壓降UCES、開通時間ton和關斷時間toff? ;? 之外有：
1）最高工作電壓UCEM?
GTR上電壓超過規定值時會發生擊穿
擊穿電壓不僅和晶體管本身特性有關，還與外電路接法有關如圖所示，有UCBO> UCEX> UCES> UCEO，實際使用時，為
?????? 確保安全，最高工作電壓要比UCEO低得多?
2）?集電極最大允許電流ICM
通常規定為hFE下降到規定值的1/2~1/3時所對應的IC實際使用時要留有裕量，只能用到ICM的一半或稍多一點
3） 集電極最大耗散功率PCM
最高工作溫度下允許的耗散功率產品說明書中給PCM時同時給出殼溫TC，間接表示了最高工作溫度
4. GTR的二次擊穿現象與安全工作區

一次擊穿
集電極電壓升高至擊穿電壓時，IC迅速增大，出現雪崩擊穿
特點：在IC增大過程中，集電結電壓基本不變，只要IC不超過限度，GTR一般不會損壞，工作特性也不變；

二次擊穿
一次擊穿發生時IC增大到某個臨界點時會突然急劇上升，并伴隨集電極電壓的陡然下降，即出現了負阻效應，這種現象稱為二次擊穿。
二次擊穿的持續時間很短，一般在納秒至微秒范圍，常常立即導致器件的永久損壞，必需避免。
安全工作區（Safe Operating Area——SOA）最高電壓UCEM、集電極最大電流ICM、最大耗散功率PCM、
二次擊穿臨界線PSB
限定（GTR特有）
電力電子器件都有安全
???? 工作區，通常由最大工作電流、最大耗散功率、最高工作電壓構成。實際應用時器件必須工作于安全工作區的范圍內，以免損壞。???????????????????????????