據(jù)介紹，相變存儲(chǔ)器是一種兼具壽命長(zhǎng)且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點(diǎn)的存儲(chǔ)器，而目前通用的存儲(chǔ)器技術(shù)主要是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和閃存兩種，占了95%的市場(chǎng)份額。其中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器雖然速度快壽命長(zhǎng)，但一斷電數(shù)據(jù)就沒了；閃存掉電可以保存數(shù)據(jù)，但速度慢壽命短。

相變存儲(chǔ)器具有速度快、壽命長(zhǎng)、功耗低、掉電不丟失數(shù)據(jù)等優(yōu)點(diǎn)，上可改變計(jì)算機(jī)體系架構(gòu)、大幅提高計(jì)算性能，下可提高電子產(chǎn)品的速度、功耗、性價(jià)比，為用戶帶來更好的體驗(yàn)，被業(yè)界認(rèn)為是下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。

目前，國(guó)際上英特爾、鎂光、三星等國(guó)際知名半導(dǎo)體公司都在開發(fā)相變存儲(chǔ)器技術(shù)。2017年英特爾和鎂光共同研發(fā)的“傲騰”存儲(chǔ)器，被稱為是25年來存儲(chǔ)領(lǐng)域最大的革新，即是一種三維相變存儲(chǔ)器技術(shù)。

中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所相變存儲(chǔ)器課題組從2003年于國(guó)內(nèi)率先開展相變存儲(chǔ)器的研發(fā)。在存儲(chǔ)材料、制造工藝、電路設(shè)計(jì)、芯片測(cè)試、應(yīng)用等實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片的所有環(huán)節(jié)進(jìn)行了深入研究。2011年，課題組在130nm工藝平臺(tái)上成功研制出了我國(guó)第一款自主設(shè)計(jì)、制造的相變存儲(chǔ)器芯片。2012年，課題組決心把相變存儲(chǔ)器芯片推向商業(yè)化。

上海微系統(tǒng)所把高速低功耗嵌入式市場(chǎng)作為我國(guó)相變存儲(chǔ)器芯片商業(yè)化應(yīng)用的突破口，并將其首先應(yīng)用于打印機(jī)耗材領(lǐng)域。在推向市場(chǎng)前，課題組科研人員又與制造商、客戶一起，對(duì)芯片進(jìn)行了數(shù)千次反復(fù)測(cè)試和技術(shù)修補(bǔ)，終于突破了相變存儲(chǔ)芯片商業(yè)化應(yīng)用的一個(gè)個(gè)技術(shù)瓶頸，并通過了全球市場(chǎng)60余種型號(hào)打印機(jī)的實(shí)測(cè)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)上的空白。

據(jù)了解，接下來課題組將繼續(xù)推進(jìn)嵌入式芯片的產(chǎn)業(yè)化，進(jìn)一步開發(fā)110納米和40納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的相變存儲(chǔ)器芯片；同時(shí)在研發(fā)大容量高密度的三維相變存儲(chǔ)器上發(fā)力，對(duì)包括雙向閾值開關(guān)器件、三維制造工藝、三維集成電路等重大科學(xué)工程問題展開攻關(guān)。