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電子發燒友網>嵌入式技術>MediaTek ASIC服務推出硅驗證的7nm制程112G遠程SerDes IP

MediaTek ASIC服務推出硅驗證的7nm制程112G遠程SerDes IP

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聯發科:從6年就開始布局研發ASIC芯片

聯發科從6年就開始布局研發ASIC芯片,現在聯發科基于16nm制程ASIC芯片已經占據智能音箱市場超8成市占率。為了進一步擴充 ASIC產品陣線,聯發科推出了業界第一個通過 7nm FinFET 硅驗證(Silicon-Proven)的 56G PAM4 SerDes IP
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隨著AMD 7nm制程芯片的加速落地,AMD將爆發更強悍的性能

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臺積電已經在著手將其7nm制程工藝擴大到大規模生產,臺積電的7nm制程工藝被稱作N7,將會在今年下半年開始產能爬坡。
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臺積電7nm開始量產 5nm制程將于明年年底投入量產

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蘋果、華為和高通下代手機芯片都是7nm制程工藝,有什么優勢?

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2021-12-25 16:44:024102

112G PAM4 DAC如何實現機柜內布線

隨著數據速率不斷攀升,在112Gbps PAM4下,DAC傳輸距離縮減至兩米,但這個長度可能不足以將架頂式(TOR)交換機與機架較低位置的服務器連接起來,那該如何實現112G PAM4 DAC的部署呢?
2022-06-17 15:45:381474

2nm芯片與7nm芯片的差距

全球首顆2nm芯片已經被IBM研制出來了,在這一顆指甲蓋大小面積的芯片上可以容納500億顆晶體管,芯片制程工藝的進步必將讓半導體行業的發展越來越快。接下來我們詳細了解下這款2nm芯片的特性、功耗等,跟7nm芯片做個對比,看下2nm芯片與7nm芯片之間有何差距。
2022-06-22 09:52:434352

2nm芯片與7nm芯片的差距有多大?

的重要性,我國目前最先進的制程7nm還正在研發當中,那么2nm芯片與7nm芯片的差距有多大呢? 拿臺積電的7nm舉例子,臺積電最初用DUV光刻機來完成7nm工藝,當時臺積電7nm工藝要比上一代16nm工藝密度高3.3倍,性能提升達到了35%以上,同樣性能下功耗減少了65%,在當時
2022-06-24 10:31:303662

7nm芯片和12nm芯片的區別是什么?

近年來,我國芯片行業發展迅速,以中芯國際為主的芯片企業都在對相關制程進行研發,而中芯國際正在對12nm7nm這兩種制程進行研發工作。 今年3月份左右,中芯國際表示其基于14nm的12nm制程工藝
2022-06-27 11:19:344561

5nm 112Gbps最新一代SerDes IP時鐘設計詳解

112Gbps SerDes設計將根據應用情況在各種配置中被采用。下圖展示了長距離(LR)、中距離(MR)、極短距離(VSR)和超短距離(XSR)拓撲,其中112G信令路徑在每個拓撲中都突出顯示。
2022-07-27 15:05:161090

智原發布FPGA-Go-ASIC驗證平臺 協助客戶加速進行電路設計與系統驗證

ASIC設計服務IP研發銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日發布FPGA-Go-ASIC驗證平臺。
2022-07-29 10:08:16784

臺積電新廠7nm制程擴產被暫緩

臺積電7nm產能利用率目前已跌至50%以下,預計2023年第一季度跌勢將加劇,臺積電高雄新廠7nm制程的擴產也被暫緩。
2022-11-10 11:12:08416

IP_數據表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數據表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461

IP_數據表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數據表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220

IP_數據表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數據表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:31:340

IP_數據表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數據表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:35:091

Cadence發布基于臺積電N4P工藝的112G超長距離SerDes IP

楷登電子(美國 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)今日發布基于臺積電 N4P 工藝的 112G 超長距離(112G-ELR)SerDes IP,該 IP 適用于超大規模 ASIC
2023-04-28 10:07:36944

Cadence發布面向TSMC 3nm工藝的112G-ELR SerDes IP展示

3nm 時代來臨了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術研討會期間發布了面向臺積電 3nm 工藝(N3E)的 112G 超長距離(112G-ELR)SerDes IP 展示,這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產品的新成員。
2023-05-19 15:23:07675

Cadence發布面向TSMC 3nm 工藝的 112G-ELR SerDes IP 展示

3nm 時代來臨了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術研討會期間發布了面向臺積電 3nm 工藝(N3E)的 112G 超長距離(112G-ELR)SerDes IP 展示,這是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產品的新成員。
2023-07-10 09:26:20407

IP_數據表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數據表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP_數據表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數據表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410

IP_數據表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數據表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540

IP_數據表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數據表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220

Cadence擴大TSMC N3E制程IP產品組合,推出新一代224G-LR SerDes IP,助力超大規模SoC設計

內容提要 ● ?經過驗證的接口 IP,可顯著提升 TSMC N3E 制程節點的性能和能效 ● ?224G-LR SerDes PHY IP 在 TSMC N3E 制程上實現一次性流片成功
2023-09-26 10:10:01320

為什么我們需要SERDESSERDES的優點有哪些?

盡管設計和驗證很復雜,SERDES 已成為 SoC 模塊不可或缺的一部分。隨著 SERDES IP 模塊現已推出,它有助于緩解任何成本、風險和上市時間問題。
2023-10-23 14:44:59449

自動化建模和優化112G封裝過孔 ——封裝Core層過孔和BGA焊盤區域的阻抗優化

自動化建模和優化112G封裝過孔 ——封裝Core層過孔和BGA焊盤區域的阻抗優化
2023-11-29 15:19:51179

高速 112G 設計和通道運行裕度

高速 112G 設計和通道運行裕度
2023-12-05 14:24:34299

臺積電7nm制程降幅約為5%至10%

據供應鏈消息透露,臺積電計劃真正降低其7nm制程的價格,降幅約為5%至10%。這一舉措的主要目的是緩解7nm制程產能利用率下滑的壓力。
2023-12-01 16:46:23508

智原推出14納米ASIC整合設計服務邁向人工智能新時代

ASIC設計服務IP研發銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)提供完整的FinFET 14納米ASIC整合設計開發服務,搭配SoC驗證平臺與高速傳輸IP解決方案
2023-12-26 18:20:56356

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