美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新，其開(kāi)始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來(lái)改善
2019-08-20 10:22:36
7258 在合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。本月中，紫光宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長(zhǎng)坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級(jí)副總裁
2019-12-01 00:32:002416 傳感器的分類可以用不同的觀點(diǎn)對(duì)傳感器進(jìn)行分類：它們的轉(zhuǎn)換原理（傳感器工作的基本物理或化學(xué)效應(yīng)）；它們的用途；它們的輸出信號(hào)類型以及制作它們的材料和工藝等。根據(jù)傳感器工作原理，可分為物理傳感器和化學(xué)傳感器二大類
2016-12-09 14:53:323356 一、前言：長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存，可能會(huì)覺(jué)得他們不是一線頂尖品牌，顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn)，不過(guò)這一次，臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存100%用了原廠顆粒，而且
2020-10-30 15:33:146349 熱管理問(wèn)題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)也在不斷發(fā)展，并可能影響為耐用性和性能而構(gòu)建的設(shè)計(jì)。值得信賴的系統(tǒng)級(jí)和板級(jí)合作伙伴關(guān)系以及對(duì)與 DRAM 內(nèi)存模塊相關(guān)的當(dāng)前熱概念的更深入了解可以使最終產(chǎn)品取得成功。
2022-07-12 11:24:33754 
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
RAM有哪些分類？特點(diǎn)是什么？DRAM和SRAM對(duì)比分析哪個(gè)好？
2022-01-20 07:16:10
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
每日開(kāi)講---學(xué)習(xí)STM32不得不看的剖析（詳細(xì)分析stm32f10x.h）摘要: 學(xué)習(xí)STM32不得不看的剖析（詳細(xì)分析stm32f10x.h）。/**這里是STM32比較重要的頭文件***************************************************************************
2021-08-05 07:44:05
本文跟大家一起詳細(xì)分析一下USB協(xié)議。
2021-05-24 06:16:36
上一篇文章中，我們詳細(xì)分析了VTIM和VMIN的功能，《嵌入式Linux 串口編程系列2--termios的VMIN和VTIME深入理解》 也明白了這兩個(gè)參數(shù)設(shè)計(jì)的初衷和使用方法，接下來(lái)我們 就詳細(xì)
2021-11-05 07:09:55
在嵌入式Linux專題（一）中已經(jīng)對(duì)嵌入式Linux系統(tǒng)的架構(gòu)及啟動(dòng)流程有了初步的介紹，本文將詳細(xì)分析嵌入式Linux系統(tǒng)啟動(dòng)流程。
2021-11-05 09:25:29
。所以這一節(jié)我們就詳細(xì)分解一下電源分布網(wǎng)絡(luò)，看看電源分布網(wǎng)絡(luò)都有哪些部分。通常情況下，一個(gè)系統(tǒng)級(jí)的電源分布網(wǎng)絡(luò)主要包含四個(gè)部分： 電壓調(diào)節(jié)器（也就是我們通常說(shuō)的電源變換電路），PCB，封裝以及硅片，如...
2021-12-29 06:26:39
DVI接口詳細(xì)分析DVI 接口規(guī)格和定義 DVI 有DVI 1.0 和DVI 2.0 兩種標(biāo)準(zhǔn)，其中 DVI 1.0 僅用了其中的一組信號(hào)傳輸信道（data0-data2 ），傳輸圖像的最高像素時(shí)鐘
2012-08-11 09:51:00
MSP430寄存器詳細(xì)分類
2015-06-19 10:52:01
proteus器件詳細(xì)分類資料，看了之后都知道是什么器件了，學(xué)習(xí)和查找很方便很容易，更加能夠加深我們的學(xué)習(xí)興趣，因?yàn)槭且淮蠖延⑽模约恿烁鱾€(gè)分類，且有中文解釋，這樣就簡(jiǎn)單明了了。
2016-06-16 00:15:45
[url=]uboot代碼詳細(xì)分析[/url]
2016-01-29 13:51:41
基于FPGA的步進(jìn)電機(jī)細(xì)分驅(qū)動(dòng)控制設(shè)計(jì)一、基本要求：在理解步進(jìn)電機(jī)的工作原理以及細(xì)分原理的基礎(chǔ)上，利用FPGA實(shí)現(xiàn)四相步進(jìn)電機(jī)的8細(xì)分驅(qū)動(dòng)控制。二、評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)：1、設(shè)計(jì)方案介紹 （共15分）要求：詳細(xì)
2013-06-14 22:03:43
一般來(lái)說(shuō)DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
三極管特性曲線詳細(xì)分析，特性曲線看不懂，
2015-06-29 16:34:40
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
無(wú)法兼容，因此30pin SIMM內(nèi)存被時(shí)代淘汰出局。早期的內(nèi)存頻率與CPU外頻是不同步的，是異步DRAM，細(xì)分下去的話包括FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁(yè)模式動(dòng)態(tài)
2022-10-26 16:37:40
來(lái)源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長(zhǎng)15.5%。主要原因來(lái)自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
工程師應(yīng)該掌握的20個(gè)模擬電路(詳細(xì)分析及參考答案)
2013-08-17 09:58:13
工程師應(yīng)該掌握的20個(gè)模擬電路(詳細(xì)分析及參考答案).pdf
2013-04-07 13:28:38
求大神詳細(xì)分析電路圖個(gè)元器件作用
2013-08-04 15:46:35
內(nèi)含參考答案以及詳細(xì)分析
2023-10-07 07:15:56
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是硬件工程師必須掌握的20個(gè)重要模擬電路的概述和參考答案以及詳細(xì)分析
2023-09-27 08:22:32
電子工程師需要掌握的20個(gè)模擬電路的詳細(xì)分析
2023-09-28 06:22:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
電源電路圖最最最最最詳細(xì)分析(轉(zhuǎn)一網(wǎng)友)
2012-07-31 11:37:21
給大家詳細(xì)分析一下艾德克斯車(chē)載充電機(jī)的測(cè)試方案
2021-05-08 08:38:05
請(qǐng)問(wèn)一下怎樣對(duì)stm32的啟動(dòng)代碼進(jìn)行詳細(xì)分析呢？
2021-11-26 07:10:48
從技術(shù)發(fā)展來(lái)看，貼片頭已經(jīng)由機(jī)械對(duì)中發(fā)展到光學(xué)對(duì)中校正。目前，從主流貼片頭結(jié)構(gòu)形式來(lái)看，主要有平動(dòng)式、轉(zhuǎn)動(dòng)式和組合式3種，轉(zhuǎn)動(dòng)式中細(xì)分為轉(zhuǎn)塔式、旋轉(zhuǎn)式和小轉(zhuǎn)塔式3種。本節(jié)詳細(xì)介紹平動(dòng)式、旋轉(zhuǎn)式和轉(zhuǎn)塔式3種主要的貼片頭。 各種貼片頭主要特點(diǎn)及應(yīng)用如表所示。 表 貼片頭分類與主要特點(diǎn)
2018-09-03 10:46:01
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存
2008-08-05 11:41:30
0 DIMM DRAM 168線內(nèi)存條引腳定義
正面，左方：
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2007-11-21 12:39:411489
DIMM DRAM 168線內(nèi)存條
2009-02-12 10:39:121132 傳感器的分類詳細(xì)圖解
2009-12-02 09:55:594710 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451224 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 什么是EDO DRAM/All-in-One
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM。對(duì)DRAM的訪問(wèn)模式進(jìn)行一些改進(jìn)，縮短內(nèi)存有效訪問(wèn)
2010-02-05 09:34:05631 3月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新型移動(dòng)DRAM內(nèi)存芯片。
2011-03-25 10:45:30870 uboot 1-1-6版本的 代碼詳細(xì)分析
2015-11-02 11:02:1925 關(guān)于MSP430寄存器詳細(xì)分類，超級(jí)詳細(xì)
2015-11-10 11:08:174 十二五規(guī)劃教材大學(xué)電路(邱關(guān)源、羅先覺(jué)版）二端口網(wǎng)絡(luò)的詳細(xì)分析和經(jīng)典例題以及解題方法
2015-12-23 18:15:360 MSP430寄存器詳細(xì)分類，感興趣的可以看看。
2016-07-12 11:54:402 下一代內(nèi)存的讀取速度會(huì)比現(xiàn)在快多少?來(lái)自美國(guó)斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為，相變內(nèi)存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存性能的1000倍。
2016-08-18 10:39:06996 2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑，除了游戲相關(guān)的硬件之外，活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了，2016下半年開(kāi)始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存及NAND閃存
2017-01-16 10:40:24638 隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來(lái)不同的效果。本文將對(duì)不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
2017-03-28 11:43:371299 
Buck變換器原理詳細(xì)分析
2017-09-15 17:26:2530 政府已將其產(chǎn)業(yè)分類方案細(xì)分為三個(gè)部門(mén)，在韓國(guó)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)分類（KSIC）的指導(dǎo)下又細(xì)分了十個(gè)部門(mén)。這些細(xì)分包括針對(duì)EOS、以太坊和NEO等應(yīng)用程序的塊驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的詳細(xì)考慮、基于塊的云計(jì)算服務(wù)和加密貨幣挖掘。
2018-07-06 18:22:00519 2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)大動(dòng)亂，2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會(huì)有所變化，據(jù)悉，DRAM熱度可望延續(xù)依然存在，但是2018年DRAM并無(wú)新增產(chǎn)能，同時(shí)服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)續(xù)漲。
2018-01-25 16:09:371324 本文主要是對(duì)常用二極管和可控硅分類及參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)分析講解。
2018-01-26 17:02:288727 
內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車(chē)用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 本文主要圍繞DRAM、邏輯器件和NAND這三大尖端產(chǎn)品來(lái)進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2018-04-21 08:19:0011965 
使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM（Static RAM）不需要刷新電路
2018-09-22 00:06:011049 
日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出將下滑8%，其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%，三星針對(duì)DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià)，砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。
2018-10-09 10:46:393673 全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，業(yè)界認(rèn)為，由于建廠時(shí)間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過(guò)受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。
2018-10-25 15:59:261006 2018年全球移動(dòng)寬帶論壇期間，華為分組核心網(wǎng)產(chǎn)品線總裁劉康發(fā)表主題演講，詳細(xì)分析了運(yùn)營(yíng)商面向5G演進(jìn)面臨的業(yè)務(wù)上線慢、運(yùn)營(yíng)成本高和單Bit成本高的三大挑戰(zhàn)，提出華為通過(guò)構(gòu)建極致敏捷、極簡(jiǎn)運(yùn)營(yíng)和極致效能的5G極簡(jiǎn)核心網(wǎng)，幫助運(yùn)營(yíng)商持續(xù)提升收入，優(yōu)化TCO。
2018-11-23 15:49:243958 今年的NAND閃存價(jià)格降了，但是DRAM內(nèi)存價(jià)格還是居高不下，唯一的變化就是今年的漲價(jià)沒(méi)有2016年、2017年那么夸張，Q2季度中全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)到了256.91億美元，環(huán)比增長(zhǎng)11.3
2019-01-18 14:38:53904 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是Proteus的常用元件列表和元件庫(kù)詳細(xì)分類及主窗口菜單中英文對(duì)照免費(fèi)下載。
2019-07-05 17:20:090 在合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。本月中，紫光宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長(zhǎng)坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級(jí)副總裁及日本公司CEO，負(fù)責(zé)開(kāi)拓日本市場(chǎng)，他會(huì)負(fù)責(zé)在日本招募人才。
2019-11-28 14:28:552132 在合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。
2019-11-28 15:37:512314 相信在前不久的雙11活動(dòng)中，上車(chē)內(nèi)存、SSD的用戶不在少數(shù)。在經(jīng)過(guò)了一年的行業(yè)低迷讓利期后，DRAM內(nèi)存芯片行情似乎要風(fēng)云突變了。
2019-12-06 09:22:25780 今日，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)公布了全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營(yíng)收最新排名。
2020-02-19 16:11:123987 
DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲(chǔ)器，DRAM通常被稱為內(nèi)存，也有些朋友會(huì)把手機(jī)中的Flash閃存誤會(huì)成內(nèi)存。SRAM的存在感相對(duì)較弱，但他卻是CPU性能發(fā)揮的關(guān)鍵。
2020-07-29 11:14:1611866 美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品，DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:331589 DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一，大家對(duì)于DRAM也較為熟悉。但是，大家真的了解DRAM嗎？DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢？DRAM的工作原理是什么呢？如果你對(duì)DRAM具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2942481 
DRAM作為PC必備器件之一，大家自然對(duì)DRAM較為熟悉。但是，大家知道DRAM存儲(chǔ)具有哪些分類嗎？大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計(jì)出來(lái)的嗎？如果你對(duì)DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 
開(kāi)始導(dǎo)入DRAM運(yùn)作頻率和CPU的總線頻率同步。所以稱為同步DRAM.同步控制的技術(shù)使得CPU和內(nèi)存的Timingcycle同步，計(jì)算機(jī)的整體效率亦大幅提升，目前DRAM都是架構(gòu)在SDR之上演進(jìn)而成。
2020-11-27 11:08:387220 
日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價(jià)格情況。
2020-12-02 09:51:261705 
LTH7的完整方案詳細(xì)分4部分 (1)
2020-12-08 18:11:4014 1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商美光科技今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha） 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:031970 美光今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088 
DRAM內(nèi)存從2018年進(jìn)入周期性下跌，經(jīng)過(guò)兩年多的低潮期之后，內(nèi)存市場(chǎng)在2020年底開(kāi)始止跌，部分產(chǎn)品甚至開(kāi)始漲價(jià)。 內(nèi)存漲價(jià)的主要原因在于三星、美光、SK海力士、削減內(nèi)存產(chǎn)能，預(yù)計(jì)從2021年內(nèi)存
2021-02-05 18:18:517706 正激有源鉗位的詳細(xì)分析介紹。
2021-06-16 16:57:0756 內(nèi)存又叫內(nèi)存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器，是計(jì)算機(jī)的重要部件之一，內(nèi)存條由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成。接下來(lái)簡(jiǎn)單介紹內(nèi)存的主要分類。
2022-01-20 13:00:3451147 熱管理問(wèn)題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)也在不斷發(fā)展，并可能影響為耐用性和性能而構(gòu)建的設(shè)計(jì)。值得信賴的系統(tǒng)級(jí)和板級(jí)合作伙伴關(guān)系以及對(duì)與 DRAM 內(nèi)存模塊相關(guān)的當(dāng)前熱概念的更深入了解可以使最終產(chǎn)品取得成功。
2022-08-17 09:51:17884 
的 IDD 值的差異，實(shí)際減少量可能會(huì)略小。內(nèi)存設(shè)計(jì)人員通常會(huì)探索內(nèi)存控制器芯片組是否可以支持更寬的 DRAM 數(shù)據(jù)總線寬度。
2022-10-24 11:04:09526 
DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分，盡管多年來(lái)一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它，甚至將其嵌入到 SoC 中。
2023-02-06 10:34:20687 內(nèi)存電路結(jié)構(gòu)**
首先，從電路結(jié)構(gòu)上看來(lái)，內(nèi)存分為DRAM和SRAM，DRAM由線陣列MOS管和電容組成
2023-02-17 15:39:251002 
BOSHIDA三河博電科技 模塊電源的詳細(xì)分類 AC/DC電源模塊的基本原理是從交流源中獲取電壓,然后由整流器轉(zhuǎn)換為直流電壓,且輸出能量比輸入的電壓高,從而達(dá)到電路輸出直流電壓、電流的目的。 交流
2023-03-13 10:31:04396 
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093293 
DRAM 由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)體積小，在服務(wù)器的內(nèi)存中占主導(dǎo)地位，并得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，從 DRAM 逐漸演進(jìn)到 SDRAM 再到 DDR SDRAM 系列。SDRAM為同步的動(dòng)態(tài)隨機(jī)處理器，同步
2023-09-15 10:13:03965 
濾波器的詳細(xì)分類? 濾波器是一種電子器件，用于濾波電路中的某些頻率分量或頻帶，將它們從信號(hào)中截除或衰減。根據(jù)其工作原理和傳遞特性，濾波器可以分為多種類型。本文將對(duì)各種濾波器進(jìn)行詳細(xì)描述和分類，以幫助
2023-09-28 16:36:211879 溫控開(kāi)關(guān)可以根據(jù)不同的分類標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行分類，以下是幾種常見(jiàn)的分類方式
2023-12-13 14:46:27464
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