2014年，中國成立了集成電路產業投資基金（簡稱“大基金”）一期，募集資金1387億元人民幣；2019年中美貿易摩擦升溫，大基金二期推出，募資規模2000億元人民幣。國家大基金一期加二期撬動的社會資本總規模預計超過1萬億元。

2020年8月，國務院印發《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》，集成電路成為中國戰略性新興產業，大量資本涌入半導體行業。在今年疫情期間其他所有產業投資都減少的情況下，只有對半導體、集成電路的投資還在翻倍增長。一級市場、二級市場資本如此熱情，足見國家發展這個行業的堅定決心。

芯片熱過頭，需警惕“芯騙”

政策支持、資本追捧，一二級市場火熱，讓中國芯片相關企業的數量在2020年上半年增長迅速。截至今年7月20日，中國共有芯片相關企業4.53萬家，僅今年第二季度新注冊企業就有4800家，同比增長20%，環比增長120%。

“還好中國的市場體量比較大，不然這是很崩潰的事情。”在日前TrendForce集邦咨詢舉辦的MTS2021存儲產業趨勢峰會上，深圳市時創意電子有限公司董事長倪黃忠表示，“芯片熱”現象是“天時、地利、人和”造成的，首先是天時——市場需求爆發式增長、國際貿易限制、國產替代政策；其次地利——中國是全球最大統一市場，具備完整的上下游產業鏈；最后是人和——產業政策、資金、市場和民眾的空前矚目。

但也要注意防范產業過熱。這么多新增企業中，相信也有很多沒經驗、沒技術、沒人才的三無企業涌入芯片中低端市場。他們不具備核心技術研發和設備生產能力，導致中低端市場產品同質化惡性競爭。同時這些企業也會造成行業人才過快流動，比如說現在行業里的核心人才不斷被挖，“本來他在這個公司做得很好的，但是被挖走了，這個公司的技術創新就會中斷。”企業知識產權得不到保護，最終損害下游顧客利益。

倪黃忠還分析了最近暴雷的“芯騙”問題，目前有很多打著高大上產業項目口號，百億、千億級項目已經暴雷，未來可能還有更多。因為資本過熱地投入，肯定會造成一些企業不能專注于技術研發，而是專注于搞資本運作。因為到資本市場賺錢更容易，還有什么必要費力氣搞創新？未來芯片企業如果不技術創新、同質化，便會為了短期市場份額對產品進行costdown操作，大打價格戰，破壞市場秩序，導致產品實際使用壽命不達標、兼容性不夠、使用后性能下降，使用一段時間后返修率偏高等惡性循環問題。

國內嵌入式存儲芯片行業現狀

存儲市場占比最高的有NAND和DRAM兩大類別，對應了手機、服務器和PC三大應用領域，在全球有著超過1000多億美金的年銷售。隨著5G、大數據、智能物聯網以及AI的迅速崛起，NAND存儲的應用還在增長，特別是NAND Flash的成長，因為大數據的成長和云存儲的成長。

原廠格局方面，NAND主要是三星、鎧俠、WD、美光、海力士、長江存儲、英特爾等等；DRAM以三星為龍頭，海力士、美光、南亞和長鑫等等為主。以前在存儲芯片領域是沒有國內廠商的，這幾年有了長江存儲和合肥長鑫。長江存儲2019年9月份量產了64層基于Xtacking架構的256Gb閃存顆粒，今年4月發布了128層的3D NAND存儲芯片，實現了跳躍式發展；長鑫方面已經成功量產19nm的DDR4/LPDDR4，正在推進LPDDR5 DRAM產品開發，預計會采用17nm以下工藝。

目前DRAM和NAND的主要應用還是智能手機，占比已經達到40%多，第二是服務器，因為大數據在服務器當中的應用比例非常大，第三個是PC端。倪黃忠在接受《電子工程專輯》等媒體采訪時表示，時創意公司成立于2008年，最早是做玩具起家，2013年進入存儲芯片封裝領域，2017年進入PC SSD市場，2019年進入嵌入式存儲領域，在這三個端口完成布局

他認為，嵌入式存儲芯片終端應用存在著四大常見問題：

由于NAND Flash顆粒品質不高，導致產品實際使用壽命不達標；

固件架構設計完善度和產品兼容性測試不夠，導致產品兼容性不夠；

固件架構不完善或NAND Flash顆粒品質較弱，導致產品長時間使用后性能下降明顯；

產品老化測試不夠或者NAND Flash顆粒品質較弱，導致產品使用一段時間后返修率偏高。

可見，嵌入式存儲芯片市場有別于其他類似SSD、DDR等可插拔的存儲設備市場，對產品的性能、使用壽命和數據安全性有異常嚴苛的要求，需要存儲廠商在晶圓和主控選型、基板設計和封裝工藝、軟件和固件方案設計、工程驗證和生產測試以及售后服務等方面具備全面的完整技術能力。如果沒有全產業鏈的自主核心技術，最終將很難長期立足于該市場。

如何做好一顆嵌入式存儲芯片？

倪黃忠分享了如何做好一顆嵌入式存儲芯片的心得，第一個階段就是主控和晶圓的選型。

在晶圓選擇上，每家原廠出貨的晶圓都有等級之分，以美光的晶圓料號MT29F256G08EBCAG B16A 3W C1 -R舉例，其中最后字母如果是“R”則代表Fortis級別，“M”則代表Meida級別，“U”代表Removable級別等。所以在跟模組廠采購嵌入式存儲芯片的時候，要看一下是用什么晶圓做的，如果為了節約成本，買低等級的晶圓來做嵌入式存儲，最后出現問題是不能怪原廠的。

除了選擇晶圓等級，還要選擇晶圓工藝，例如2D和3D，SLC、MLC和TLC。NAND層面現在基本選擇64層TLC，隨著96層TLC量產和128層技術的成熟了，會慢慢推進。

最后是晶圓架構的選擇，包括Block Size、Page Size等。拿英特爾的晶圓來說，“是為服務器而生的，非要拿去做嵌入式可能會產生很多問題。”倪黃忠說到，“再如QLC晶圓，本來是為了服務器去做的，如果因為QLC便宜而拿來做嵌入式，估計會死得很慘。”

第二個階段是基板設計和封裝工藝。首先要保證堆疊設計和焊線設計的合理性，然后要考慮信號設計的完整性。市場上有很多封裝廠為了降低成本用了兩層板，對系統廠商造成了很多麻煩。封裝工藝中，設備非常重要，另外還要有好的生產環境、員工管理和品控體系。

剩下幾個階段分別是固件和軟件方案設計、工程驗證和生產測試。時創意因為把實驗室建到了產線，任何一個批次的產品都會先進入實驗室先做好工程實驗、工程認證，所以目前封裝生產直通率達99.9%以上。

長江長鑫兩巨頭加持，國內存儲行業未來可期

倪黃忠用之前提到實現“跳躍式發展”的長江存儲舉例，時創意采用他們的64層TLC晶圓做封裝，SDP（32GB * 1）封裝良率是99.98%，超過了以往采用國際大廠晶圓 99.9%的均值。DDP （32GB * 2）達到 99.88%的良率，分四迭代做封裝數量級比較大的情況下是99.69%的封裝良率。

“這樣的良率國內很難找得到第二家，國際上面也和幾大原廠的良率水平相當。做到這么高的良率，主要是基于兩點，”倪黃忠總結道，“一是我們的封裝技術已經非常成熟，第二點說明長江存儲的wafer的穩定性已經達到非常高的要求，這也是他們可以從64層直接跳到128層的原因。”

雖然這兩年大家都在喊芯片國產化，但國產化不應該僅僅是低端產品的國產化，而是高端產品的國產化。國際大廠做到的東西，中國廠商要想辦法把它做到，這才是具備國產化替代的意義。而長江存儲和合肥長鑫兩家出來以后，正在逐漸打破存儲芯片市場的格局，倪黃忠表示，未來市場有多少變化值得期待，這也是國內所有存儲廠商都期待的事情。

以長江存儲、長鑫存儲為代表的國內龍頭廠商未來可期，相信在國家政策扶持下，以及5G、AI、AIoT、大數據等新技術創新的拉動下，我國存儲產業規模快速發展，將會產生一大批優秀的存儲模組廠商，并會誕生中國的世界級存儲領軍企業。

時創意去年開始推出8GB eMMC嵌入式產品，2020年11月推出了256GB版本。據倪黃忠稱，這是國內最短時間內推出最大容量的eMMC產品，應用在了一些4G手機上。相關的UFS產品也在研發中，預計明年下半年開始出貨，和LPDDR產品一起用在5G手機中。據悉時創意的LPDDR產品今年已開始量產，TLC eSSD產品已實現1TB封裝能力，QLC可以做到2TB。“時創意期待能夠跟所有系統廠商和產業上下游合作伙伴們一起，共同構建起資源優勢互補、技術開放共享、產業資本對接的存儲產業生態鏈。“
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