在大學(xué)的時(shí)候很少關(guān)心單片機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用，只是大概的知道RAM和ROM的區(qū)別，甚至只是知道程序到ROM中就能運(yùn)行了。其他的如何工作程序如何啟動(dòng)的就不了了知了。因此在接觸嵌入式的時(shí)候就會(huì)出現(xiàn)很多盲區(qū)。在此本人將工作三個(gè)多月以來接觸到的一些關(guān)于嵌入式新的理解分享給大家，有什么錯(cuò)誤的地方在所難免，希望大家給予指正。

　　RAM和ROM在單片機(jī)中的相關(guān)應(yīng)用

　　ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。

　　RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的緩沖，二級緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。

　　DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。所謂內(nèi)存就是用來存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的“動(dòng)態(tài)”，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。

　　ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是，PROM是性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲(chǔ)器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價(jià)格很高，寫入時(shí)間很長，寫入很慢。

　　簡單來說，原始的單片機(jī)比如at89c51，內(nèi)部集成了ROM，RAM。ROM用來存儲(chǔ)編好的程序、常數(shù)、表格等，當(dāng)單片機(jī)掉電ROM中的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，因此單片機(jī)掉電再上電還會(huì)繼續(xù)運(yùn)行；RAM可以存放用戶的臨時(shí)變量、還有單片機(jī)內(nèi)部的特殊寄存器等，單片機(jī)掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，當(dāng)在上電后程序執(zhí)行，重新初始化寄存器和變量的值。

　　在這里簡單說一下MCS-51的程序執(zhí)行流程，MCS-51單片機(jī)的存儲(chǔ)器組織結(jié)構(gòu)，采用典型的哈佛結(jié)構(gòu)，即程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器完全獨(dú)立，擁有各自的尋址系統(tǒng)，包括片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器與片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器都擁有自己獨(dú)立的尋址系統(tǒng)。所以，在地址空間上允許重疊。如：程序存儲(chǔ)器的地址空間中有0000H這個(gè)單元，片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也有0000H這個(gè)單元，片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器中還有0000H這個(gè)單元。

　　89S51片內(nèi)有4kB的程序存儲(chǔ)單元，其地址為0000H—0FFFH，單片機(jī)啟動(dòng)復(fù)位后，程序計(jì)數(shù)器的內(nèi)容為0000H，所以系統(tǒng)將從0000H單元開始執(zhí)行程序。在這里會(huì)跳轉(zhuǎn)到main函數(shù)，但是據(jù)說在跳轉(zhuǎn)到main函數(shù)之前，還會(huì)做一些判斷的處理，具體沒有研究過。

　　Flash在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

　　現(xiàn)在很多的芯片內(nèi)部都是用flash，或者是外掛Flash來存儲(chǔ)程序。目前的Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。

　　NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。

　　NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以讀取一塊的形式來進(jìn)行的，通常是讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。

　　一般小容量的用NOR Flash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NAND FLASH。NOR Flash可以擁有 SDRAM的接口，擁有更多的地址線來方便讀取內(nèi)存中的每一個(gè)字節(jié)；NAND flash AND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。

　　Serial Flash 擁有spi的接口可以頁讀、任意地址讀。并且它可以有四線SPI，雙線SPI的DDR接口。它可以利用spi的外部地址總線的方式來直接在外部flash中運(yùn)行程序，不過運(yùn)行速度是個(gè)有待考慮的問題。

　　嵌入式Boot Loader

　　在嵌入式中一些產(chǎn)品中，采用的啟動(dòng)方式中，根據(jù)不同的芯片結(jié)構(gòu)而不同。拿計(jì)算機(jī)的啟動(dòng)來說，計(jì)算機(jī)引導(dǎo)加載程序由BIOS和位于硬盤MBR中的OS Boot Loader組成，其實(shí)BIOS就是一段固化程序，現(xiàn)在很多嵌入式的芯片內(nèi)部都會(huì)有一段類似的程序來，這段程序的用途通俗的講就是來加載Boot Loader的。計(jì)算機(jī)也一樣，BIOS在完成系統(tǒng)硬件檢測和資源分配后，將硬盤MBR中的Boot Loader讀到系統(tǒng)的RAM中，然后將控制權(quán)交給OS Boot Loader，Boot Loader的主要任務(wù)就是將內(nèi)核映像從硬盤讀到RAM中，然后跳轉(zhuǎn)到內(nèi)核的入口點(diǎn)運(yùn)行，即開啟操作系統(tǒng)。

　　我們常說的嵌入式的Boot Loader其實(shí)就是和上面提到的OS Boot Loader差不多，只不過很多嵌入式的CPU沒有BIOS那樣的固化程序，他們上電復(fù)位到0x0000000地址后一般是Boot Loader的開始地址。有些嵌入式的CPU會(huì)有片內(nèi)的ROM，會(huì)有一段固化的程序，去加載Boot Loader。

　　簡單來說Boot Loader有兩種模式，一種叫做Down Loader，一種叫做loader；DownLoader這種模式中主要是程序員開發(fā)階段需要一種模式，這種模式主要是通過調(diào)試器將程序代碼到內(nèi)部RAM中去，然后通過Boot Loader 寫到目標(biāo)機(jī)的Flash或者其他存儲(chǔ)設(shè)備中去。這種模式只是在開發(fā)人員在項(xiàng)目開發(fā)階段使用的一種模式。在項(xiàng)目完成后的成品中，Boot Loader會(huì)一直工作在loader 模式中。其大概做的事情就是硬件設(shè)備初始化，為Boot Loader以后的工作設(shè)定先決條件；設(shè)置堆棧、檢測系統(tǒng)內(nèi)存映射，將系統(tǒng)映像或者程序代碼段從Flash上讀取到內(nèi)部RAM中，有的系統(tǒng)會(huì)加載到SDRAM中，還有的會(huì)直接在外部FLASH上運(yùn)行。