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AVR芯片使用熔絲來設(shè)定時鐘、啟動時間、一些功能的使能、BOOT區(qū)設(shè)定、當(dāng)然還有最讓初學(xué)者頭疼的保密位，設(shè)不好鎖了芯片很麻煩。要想使MCU功耗最小也要了解一些位的設(shè)定。
1：未編程
0：編程
1.BOD(Brown-out Detection) 掉電檢測電路
BODLEVEL(BOD電平選擇): 1: 2.7V電平； 0：4.0V電平
BODEN(BOD功能控制): 1：BOD功能禁止；0：BOD功能允許
使用方法：如果BODEN使能(復(fù)選框選中)啟動掉電檢測，則檢測電平由BODLEVEL決定。一旦VCC下降到觸發(fā)電平(2.7v或4.0v)以下，MCU復(fù)位；當(dāng)VCC電平大于觸發(fā)電平后，經(jīng)過tTOUT 延時周后重新開始工作。
因為M16L可以工作在2.7v～5.5v，所以觸發(fā)電平可選2.7v(BODLEVEL=1)或4.0v(BODLEVEL=0);而M16工作在4.5～5.5V，所以只能選BODLEVEL=0，BODLEVEL=1不適用于ATmega16。
2.復(fù)位啟動時間選擇
SUT 1/0: 當(dāng)選擇不同晶振時，SUT有所不同。
如果沒有特殊要求推薦SUT 1/0設(shè)置復(fù)位啟動時間稍長，使電源緩慢上升。
3.CKSEL3/0: 時鐘源選擇（時鐘總表）
時鐘總表
時鐘源 啟動延時 熔絲
外部時鐘 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT="00"
外部時鐘 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT="01"
外部時鐘 6 CK + 65 ms CKSEL="0000" SUT="10"
內(nèi)部RC振蕩
1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0001" SUT="00"
內(nèi)部RC振蕩1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0001" SUT="01"
內(nèi)部RC振蕩1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSEL="0001" SUT="10"
內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0010" SUT="00"
內(nèi)部RC振蕩
2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0010" SUT="01"
內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL="0010" SUT="10"
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0011" SUT="00"
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0011" SUT="01"
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL="0011" SUT="10"
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0100" SUT="00"
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0100" SUT="01"
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL="0100" SUT="10"
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL="0101" SUT="00"
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0101" SUT="01"
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="0101" SUT="10"
外部RC振蕩≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0101" SUT="11"
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL="0110" SUT="00"
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0110" SUT="01"
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="0110" SUT="10"
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT="11"
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT="00"
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0111" SUT="01"
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT="10"
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0111" SUT="11"
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT="00"
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="1000" SUT="01"
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="1000" SUT="10"
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="1000" SUT="11"
低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1001" SUT="00"
低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1001" SUT="01"
低頻晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL="1001" SUT="10"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="1010" SUT="00"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="1010" SUT="01"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT="10"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1010" SUT="11"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1011" SUT="00"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT="01"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="1011" SUT="10"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="1011" SUT="11"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="1100" SUT="00"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="1100" SUT="01"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT="10"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1100" SUT="11"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1101" SUT="00"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL="1101" SUT="01"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="1101" SUT="10"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="1101" SUT="11"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="111"0 SUT="00"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="111"0 SUT="01"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL="111"0 SUT="10"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="111"0 SUT="11"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1111" SUT="00"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL="1111" SUT="01"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="111"1 SUT="10"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="1111" SUT="11"
AVR熔絲位的設(shè)置分析
本文導(dǎo)航
- 第 1 頁：AVR熔絲位的設(shè)置分析
- 第 2 頁：高位(BOOT區(qū)設(shè)置)
- AVR(77913)
- 熔絲位(11164)
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2021-03-18 07:40:38
怎么設(shè)置AVR單片機(jī)熔絲位
AVR芯片使用熔絲來設(shè)定時鐘、啟動時間、一些功能的使能、BOOT區(qū)設(shè)定、當(dāng)然還有最讓初學(xué)者頭疼的保密位，設(shè)不好鎖了芯片很麻煩。要想使MCU功耗最小也要了解一些位的設(shè)定。1：未編程0：編程1.BOD
2011-11-15 15:16:53
怎么使用USBasp下載AVR開發(fā)板實驗箱程序
到相應(yīng)的功能模塊對應(yīng)IO引腳，才能看到程序正常運(yùn)行的效果，每個程序的頭部介紹部分都會注明連接方式。 注意：如果上面的操作中，熔絲位設(shè)置錯誤會導(dǎo)致熔絲位鎖死的，這是很多初學(xué)者經(jīng)常犯的錯誤。 如熔絲位
2021-01-13 16:45:09
怎樣去設(shè)置AVR單片機(jī)熔絲位呢
AVR單片機(jī)熔絲位設(shè)置熔絲位可以控制avr單片機(jī)的一些功能也有保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)的作用，正確配置熔絲位使單片機(jī)正常工作防止鎖死，這里以atmega128單片機(jī)為例（使用軟件為progisp）。'0’表示熔斷'1’表示不起作用...
2021-11-23 09:01:02
更改AVR單片機(jī)的熔絲位為什么會使開發(fā)板無法燒錄進(jìn)入任何程序
如何去使用progisp軟件？有哪些操作步驟？更改AVR單片機(jī)的熔絲位為什么會使開發(fā)板無法燒錄進(jìn)入任何程序？
2021-09-10 07:30:32
求助，關(guān)于AVR單片機(jī)熔絲位的問題
最近燒寫一個avr單片機(jī) ，F(xiàn)lash文件是唯一的 ，熔絲位應(yīng)該選擇內(nèi)部振蕩器，可是我選擇外部晶振一樣可以燒錄，并且上電可以讀出數(shù)據(jù)，之前有說過熔絲位鎖死，不能寫錯，我又改寫了內(nèi)部振蕩器仍然可以寫入和讀出，難道這個熔絲位隨便寫，對電路沒有影響？？
2023-11-06 07:10:45
求助，關(guān)于晶振熔絲選擇問題
最近在燒錄ATmega8的時候，之前的燒錄一直都選擇內(nèi)部振蕩器，最近試試看外部晶振也一樣工作，燒完內(nèi)部重新改寫成外部或者燒寫外部改寫成內(nèi)部，結(jié)果都一樣，那可是熔絲位選項，我有點懵了，難道熔絲位選項是忽悠人的？
2023-11-02 07:28:13
求助：ATMEGA162熔絲擴(kuò)展位寫不進(jìn)去
第一次使用ATmega162，熔絲擴(kuò)展位默認(rèn)為FF，但是一旦燒寫程序或者寫入了其他熔絲位，熔絲擴(kuò)展位全變成0，而且無法改變，寫入1顯示寫入成功，但是讀出還是0，但是熔絲位高低字節(jié)都可以正常寫入，試了五六片全都是一樣的情況求高手解答如果寫入atmega162的熔絲擴(kuò)展位
2016-11-16 08:13:29
用Proteus仿真AVR外部晶振怎么不起振？？
`小弟初學(xué)AVR和Proteus仿真，想用外部的晶振給單片機(jī)起振，感覺自己熔絲位配置的沒錯。可是就是提示晶振沒有起振，請問怎么回事啊？？？`
2013-03-28 13:19:45
自制AVR高壓編程器
自制AVR高壓編程器，解鎖熔絲位錯誤的avr單片機(jī)這段時間在用atmel的系列單片機(jī)at90u***128x/64x和atmega32u4設(shè)計鍵盤，有一塊at90的單片機(jī)由于熔絲位設(shè)置錯誤被鎖死
2021-11-23 07:42:41
請問ATtiny2313芯片有哪幾種通過Flash熔絲位進(jìn)行選擇的時鐘源？
ATtiny2313芯片有哪幾種通過Flash熔絲位進(jìn)行選擇的時鐘源？
2020-11-19 06:56:15
轉(zhuǎn)：詳談關(guān)于AVR熔絲位的設(shè)置
初學(xué)者對熔絲經(jīng)常不解，AVR芯片使用熔絲來設(shè)定時鐘、啟動時間、一些功能的使能、BOOT區(qū)設(shè)定、當(dāng)然還有最讓初學(xué)者頭疼的保密位，設(shè)不好鎖了芯片很麻煩。要想使MCU功耗最小也要了解一些位的設(shè)定。1：未
2016-08-06 14:48:20
工商網(wǎng)監(jiān)
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