在我們應用開發時，經常會有一些程序運行參數需要保存，如一些修正系數。這些數據的特點是：數量少而且不需要經常修改，但又不能定義為常量，因為每臺設備可能不一樣而且在以后還有修改的可能。將這類數據存在指定的位置，需要修改時直接修改存儲位置的數值，需要使用時則直接讀取，會是一種方便的做法。考慮到這些數據量比較少，使用專門的存儲單元既不經濟，也沒有必要，而STM32F103內部的Flash容量較大，而且ST的庫函數中還提供了基本的Flash操作函數，實現起來也比較方便。

　　以大容量產品STM32F103ZET為例，其Flash容量達到512K，可以將其中一部分用作數據存儲。如下是大容量的Flash組織模式：

　　STM32的閃存模塊由：主存儲器、信息塊和閃存存儲器接口寄存器等 3 部分組成。

　　1）主存儲器，該部分用來存放代碼和數據常數（如 const 類型的數據）。對于大容量產品，其被劃分為 256 頁，每頁 2K 字節。注意，小容量和中容量產品則每頁只有 1K 字節。從上圖可以看出主存儲器的起始地址就是0X08000000， B0、B1 都接 GND 的時候，就是從 0X08000000開始運行代碼的。

　　2）信息塊，該部分分為 2 個小部分，其中啟動程序代碼，是用來存儲 ST 自帶的啟動程序，用于串口下載代碼，當 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的時候，運行的就是這部分代碼。用戶選擇字節，則一般用于配置寫保護、讀保護等功能，本章不作介紹。

　　3）閃存存儲器接口寄存器，該部分用于控制閃存讀寫等，是整個閃存模塊的控制機構。對主存儲器和信息塊的寫入由內嵌的閃存編程/擦除控制器（FPEC）管理；編程與擦除的高電壓由內部產生。

　　在執行閃存寫操作時，任何對閃存的讀操作都會鎖住總線，在寫操作完成后讀操作才能正確地進行；既在進行寫或擦除操作時，不能進行代碼或數據的讀取操作。

　　根據上面的Flash組織模式，我們可以根據自己的使用方便來作相應的定義。因為大容量每個扇區定義為2K，而小容量和中容量都定義為1K，所以我們做如下宏定義：

　　#define FLASH_SIZE 512 //所選MCU的FLASH容量大小（單位為K）

　　#if FLASH_SIZE《256

　　#define SECTOR_SIZE 1024 //字節#else

　　#define SECTOR_SIZE 2048 //字節#endif

　　雖然ST的庫函數比較全面，但都是基本操作，為了使用方面，根據我們自己的需要對其進行再次封裝。

　　對于讀操作相對比較簡單，內置閃存模塊可以在通用地址空間直接尋址，就像讀取變量一樣。

　　//從指定地址開始讀取多個數據void FLASH_ReadMoreData（uint32_t startAddress，uint16_t *readData，uint16_t countToRead）

　　{

　　uint16_t dataIndex;

　　for（dataIndex=0;dataIndex《countToRead;dataIndex++）

　　{

　　readData［dataIndex］=FLASH_ReadHalfWord（startAddress+dataIndex*2）;

　　}

　　}

　　//讀取指定地址的半字（16位數據）uint16_t FLASH_ReadHalfWord（uint32_t address）

　　{

　　return *（__IO uint16_t*）address;

　　}

　　//讀取指定地址的全字（32位數據）uint32_t FLASH_ReadWord（uint32_t address）

　　{

　　uint32_t temp1，temp2;

　　temp1=*（__IO uint16_t*）address;

　　temp2=*（__IO uint16_t*）（address+2）;

　　return （temp2《《16）+temp1;

　　}

　　對于寫操作相對來說要復雜得多，寫操作包括對用戶數據的寫入和擦除。為了防止誤操作還有寫保護鎖。但這些基本的操作ST的庫函數已經為我們寫好了，我們只需要調用即可。

　　STM32復位后，FPEC模塊是被保護的，只有在寫保護被解除后，我們才能操作相關寄存器。STM32閃存的編程每次必須寫入16位，任何不是半字的操作都會造成錯誤。如下圖是Flash寫的過程：

　　STM32的FLASH在編程的時候，也必須要求其寫入地址的FLASH 是被擦除了的（也就是其值必須是0XFFFF），否則無法寫入。Flash的擦除要求必須整頁擦除，所以也必須整頁寫入，否則可能會丟失數據。如下圖是Flash頁擦除過程：

　　如下為Flash全擦除過程，

　　根據以上圖示我們便寫數據寫入函數如下：

　　//從指定地址開始寫入多個數據void FLASH_WriteMoreData（uint32_t startAddress，uint16_t *writeData，uint16_t countToWrite）

　　{

　　if（startAddress《FLASH_BASE||（（startAddress+countToWrite*2）》=（FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE）））

　　{

　　return;//非法地址 }

　　FLASH_Unlock（）; //解鎖寫保護

　　uint32_t offsetAddress=startAddress-FLASH_BASE; //計算去掉0X08000000后的實際偏移地址

　　uint32_t sectorPosition=offsetAddress/SECTOR_SIZE; //計算扇區地址，對于STM32F103VET6為0~255

　　uint32_t sectorStartAddress=sectorPosition*SECTOR_SIZE+FLASH_BASE; //對應扇區的首地址

　　FLASH_ErasePage（sectorStartAddress）;//擦除這個扇區

　　uint16_t dataIndex;

　　for（dataIndex=0;dataIndex《countToWrite;dataIndex++）

　　{

　　FLASH_ProgramHalfWord（startAddress+dataIndex*2，writeData［dataIndex］）;

　　}

　　FLASH_Lock（）;//上鎖寫保護

　　}

　　在擦除之前應該將頁面上的數據讀取出來與要寫入的數據合并，待擦除后再寫入，但這樣數據量很大（大容量是2K一個扇區），所以考慮到是少量數據存儲，所以每次都將全部數據同時寫入，簡化操作，也減少數據處理量。經測試以上程序寫入和讀出數據均正確，可以實現內部Flash的讀寫操作。