0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
電阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm μDFN封裝，待機(jī)電流低至0.5μA (典型值)，非常適合便攜式設(shè)備。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V電源電壓，內(nèi)置非易失存儲(chǔ)器可保存
2021-05-17 07:50:42
概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲(chǔ)芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20
一段時(shí)間相對(duì)是固定的，但是如果直接將其掩膜到內(nèi)部ROM中去的話，一方面受容量以及價(jià)格的**，另一方面則在系統(tǒng)代碼級(jí)上顯得不是很靈活方便。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲(chǔ)器，而且單位存儲(chǔ)
2011-07-08 11:10:56
X5165 - CPU Supervisor with 16Kbit SPI EEPROM - Intersil Corporation
2022-11-04 17:22:44
設(shè)備和RAM。
NOR Flash和NAND Flash都是非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，即使沒有電源，也可以保留數(shù)據(jù)。MultiMediaCard (MMC)和Secure Digital (SD)卡是符合相應(yīng)
2023-05-18 14:13:37
這幾種存儲(chǔ)器的共同特點(diǎn)其實(shí)是掉電后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失，所以可以歸類為非易失性存儲(chǔ)器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點(diǎn)是掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
1.簡(jiǎn)介有時(shí)我們需要保存一些信息，然后在下次啟動(dòng)時(shí)使用，比如 wifi的 ssid和passwd。我們希望這些數(shù)據(jù)在掉電的時(shí)候不會(huì)丟失。esp8266沒有自己的rom，所以我們需要保存
2022-01-26 08:28:38
，非易失性存儲(chǔ)器還需確保足夠的讀寫次數(shù)來(lái)記錄至少 20 年數(shù)據(jù)。此外，為了達(dá)到汽車級(jí)認(rèn)證和資格，所有子系統(tǒng)應(yīng)采用符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器組件。同時(shí)，功能性安全性能符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)是另外一
2018-05-21 15:53:37
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機(jī)模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫入周期相結(jié)合。控制電路持續(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
為cy14b256la數(shù)據(jù)表中提到的20年的數(shù)據(jù)保留。其他NVSRAM產(chǎn)品列出100年。這是從最近的店鋪經(jīng)營(yíng)20年，或者20年總在芯片的生活嗎？有沒有辦法從芯片上讀取選項(xiàng)狀態(tài)？如果AutoStore
2019-03-06 15:10:30
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優(yōu)勢(shì)通過(guò)將電荷捕獲在夾層氮化物層中來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢?b class="flag-6" style="color: red">數(shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
抵御外部黑客的攻擊。本文將介紹如何利用單芯片安全 EEPROM 來(lái)抵御黑客攻擊，安全地存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，而不過(guò)多地涉及詳細(xì)的加密功能。相反，本文將介紹一款來(lái)自知名供應(yīng)商的合適的安全 EEPROM 示例，并描述該 EEPROM 的工作原理和應(yīng)用方式。
2020-12-28 07:32:47
），查找表（LUT，Look up table）查找表（LUT, look up table）編程元素非易失性（Flash，EEPROM）易失性（SRAM）特點(diǎn)
非易失性 ：即使切斷電源，電路上的數(shù)據(jù)
2011-09-27 09:49:48
。 注意：在寫/讀操作中，一個(gè)典型3 V、256Kbit的SPI EEPROM消耗3 mA的有功電流。因此，需要寫入128字節(jié)數(shù)據(jù)的SPI EEPROM的功耗會(huì)為144 μW（3 V x 3 mA x
2020-10-09 14:27:35
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上，加入了多項(xiàng)創(chuàng)新的特性，使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
在那里，我正在編寫一個(gè)應(yīng)用程序的WYZBEE板從紅松信號(hào)。他們使用來(lái)自FM4的M9BFX6XM家族的M9MF568。對(duì)于我的應(yīng)用程序，我試圖在非易失性工作快閃存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)帳戶憑據(jù)和無(wú)線LAN配置。一
2019-11-01 10:53:50
在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-26 08:30:13
MSP430G 系列處理器是一款低成本16 位處理器，其并不具備 EEPROM。為了存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了 256 字節(jié)的 Flash 空間作為信息
2019-10-18 09:00:50
P89C51/89C52/89C54/89C58含有非易失FLASH、并行可編程的程序存儲(chǔ)器，所有器件都是通過(guò)引導(dǎo)裝載器串行編程（ISP）見P89C5 1RC+/89C51RD+數(shù)據(jù)手冊(cè)。
2020-07-20 17:25:52
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
上表顯示的STK11C68 / HSB引腳前頁(yè)的框圖，但引腳從來(lái)沒有提到的地方，或顯示在引腳說(shuō)明。是否存在AN/HSB引腳？9頁(yè)提到的自動(dòng)存儲(chǔ)，但文件意味著芯片沒有自動(dòng)存儲(chǔ)功能。芯片是否有自動(dòng)存儲(chǔ)
2019-02-14 15:04:53
非易失性數(shù)據(jù)但不配置比特流。這是我的問(wèn)題：XtrmeDSP Starter Platform -Spartan-3A DSP 1800A版板上有一個(gè)16Mx8并行閃存，是用于存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)的并行閃存
2019-06-13 14:49:29
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲(chǔ)器
2020-12-31 07:15:20
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來(lái)源：什么是基于閃存平臺(tái)的存儲(chǔ)管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問(wèn)速度高和機(jī)械故障少的優(yōu)勢(shì)已逐漸成為最流行的存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。然而，閃存常見
2019-07-31 08:17:49
與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲(chǔ)的高性價(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲(chǔ)裝置。
2019-09-03 07:22:10
概述：X93154 為數(shù)控電位器（XDCP）。該器件包含一個(gè)電阻陣列、滑動(dòng)開關(guān)、 一個(gè)控制段和非易失、 性存儲(chǔ)器滑動(dòng)端位置由三線接口端控制。電位器由一個(gè)包含31個(gè)電阻單元的電阻陣列和一個(gè)滑動(dòng)端開關(guān)網(wǎng)絡(luò)組成。
2021-04-21 06:21:48
有哪位大神知道什么型號(hào)芯片是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不易丟失，而且容量大于400MB的Flash存儲(chǔ)器芯片啊？很著急哈，想找一個(gè)這個(gè)芯片，可以與51單片機(jī)的某一個(gè)型號(hào)有相應(yīng)的接口連接……求大神們知道哈……
2013-01-29 10:18:45
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器，而
2019-06-26 07:11:05
在CH573存儲(chǔ)中，分為用戶應(yīng)用程序存儲(chǔ)區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲(chǔ)區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲(chǔ)區(qū)InfoFlash。一般在使用時(shí)
2023-04-07 11:46:50
還能當(dāng)做普通的RAM來(lái)用。”那是不是就是說(shuō)，只要一直上電著的話，后面沒有非易失性之后，只要一直通電還是能夠正確讀寫。所以如果要把它當(dāng)EEPROM來(lái)測(cè)試的話，按理說(shuō)是要“寫入數(shù)據(jù)后斷電再上電后讀取數(shù)據(jù)
2013-09-03 10:52:35
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
解決方案。NOR Flash的傳輸效率很高，但寫入和擦除速度較低；而NAND Flash以容量大、寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點(diǎn)，在非易失性類存儲(chǔ)設(shè)備中顯現(xiàn)出強(qiáng)勁的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力
2019-07-19 07:15:07
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問(wèn)題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
如何使用多余的代碼內(nèi)存來(lái)釋放一些Ram。什么是只讀存儲(chǔ)器？微控制器存儲(chǔ)器被分為對(duì)應(yīng)于電氣特性（例如，易失性與非易失性）和結(jié)構(gòu)因素的類別，例如8051在內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和“外部”數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器之間的區(qū)別（外部...
2021-12-20 06:42:35
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
我是想把數(shù)據(jù)直接保存在這個(gè)，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)DataFlash區(qū)這樣可以節(jié)省一個(gè)存儲(chǔ)器，但是直接宏定義一個(gè)指向這個(gè)存儲(chǔ)區(qū)的數(shù)據(jù)讀出來(lái)的時(shí)候不對(duì)，希望技術(shù)能幫忙指點(diǎn)一下謝謝！
2022-09-28 07:58:50
在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2021-02-01 07:15:05
在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
在2019全球閃存峰會(huì)上，Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
我如何獲得該產(chǎn)品的波動(dòng)性聲明？我們的客戶需要它。其他帖子稱，大多數(shù)產(chǎn)品都具有易失性存儲(chǔ)器，但根據(jù)數(shù)據(jù)表，除了易失性DDR3內(nèi)存外，該主板還具有非易失性SPI閃存和EEPROM存儲(chǔ)器。提前致謝
2019-04-08 06:51:36
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載，我們有一個(gè)困難，顯然制造商沒有對(duì)NVLS編程，因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問(wèn)題出現(xiàn)（對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
01前言嵌入式軟件中經(jīng)常要存儲(chǔ)一些非易失參數(shù)，例如用戶設(shè)置、校準(zhǔn)參數(shù)、設(shè)備運(yùn)行參數(shù)等，通常情況下我們都會(huì)選擇存儲(chǔ)在EEPROM或者SPI-FLASH中。在削減成本考量的情況下，我們可以把存儲(chǔ)器省下來(lái)
2021-11-25 08:52:23
新的DPP還提供用于通用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的5個(gè)額外非易失性寄存器，及應(yīng)用于需要臨時(shí)存儲(chǔ)的易失性電阻觸點(diǎn)寄存器。待機(jī)電流最大2微安(μA)，是單通道線性電阻分布特性的數(shù)字電位計(jì)，帶有400千赫(kHz)、I2C協(xié)定兼容接口。
2021-04-16 06:29:19
是否可以在UDBs內(nèi)部實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)卡？沒有什么大的只有大約32 kb。UDB是易失性還是非易失性？ 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文is it possible to implement a
2019-05-23 08:37:24
是否可以在比特流的開頭保留一些固定的地址空間來(lái)存儲(chǔ)一些易失性用戶數(shù)據(jù)（例如，一些用戶參數(shù)等）？我有Spansion閃存memorys25fl256，它在地址空間的底部有32個(gè)快速可擦除的4k字節(jié)塊
2020-08-11 07:12:06
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位計(jì)數(shù)器模式中使用Time1。下面的函數(shù)在代碼中定期調(diào)用。每次調(diào)用上述函數(shù)后，Timer1應(yīng)該重置為零。有時(shí)它不是這樣發(fā)生的，但有時(shí)它像預(yù)期的那樣工作。我必須將“T1Value”聲明為易失性變量還是其他可能出現(xiàn)的問(wèn)題？任何幫助都是值得贊賞的。
2020-04-08 06:36:57
00, 0x00, 0x00, 0x00, 0x01};retVal = loadKey(CSEC_KEY_7, testkey, 1, 1);然后，我從 FLASH 進(jìn)行調(diào)試并嘗試使用加載的非易失性密鑰
2023-04-10 06:34:32
具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類。易失性存儲(chǔ)器斷電后，里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30
存儲(chǔ)器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲(chǔ)介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（易失或非易失）、磁表面存儲(chǔ)器（非易....
2021-07-26 06:22:47
在 wiki 中，我發(fā)現(xiàn)了這些行：5.3 非易失性計(jì)數(shù)器↑每個(gè)證書都嵌入了一個(gè)非易失性計(jì)數(shù)器值，該值被檢查以控制防回滾機(jī)制。有兩種非易失性計(jì)數(shù)器： - 可信非易失性計(jì)數(shù)器 - 非可信易失性計(jì)數(shù)器在
2023-02-02 07:32:04
工作在“回寫”模式下，也就是某些數(shù)據(jù)流和/或相應(yīng)修改的元數(shù)據(jù)還沒有“提交”到閃存，但已經(jīng)向存儲(chǔ)系統(tǒng)控制器報(bào)告為“被提交”.任何向存儲(chǔ)系統(tǒng)控制器報(bào)告為“被提交”的數(shù)據(jù)在電源故障情況下都應(yīng)確保非易失性
2018-09-26 09:44:52
半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲(chǔ)器，它沒有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問(wèn)題，而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
”。 鐵電存儲(chǔ)器就是利用了這種非易失性。 雖然EEPROM或閃存也會(huì)根據(jù)元件內(nèi)的存儲(chǔ)區(qū)域是否有電荷來(lái)記憶數(shù)據(jù)，但FRAM是根據(jù)極化的方向來(lái)記憶數(shù)據(jù)的，所以兩者具有不同的記憶方式。 FRAM的特長(zhǎng)FRAM
2020-05-07 15:56:37
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
兼容12個(gè)內(nèi)核時(shí)鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲(chǔ)器。片內(nèi)同時(shí)集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)RAM和2 kB擴(kuò)
2023-07-14 17:15:06
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
如何選擇DSP芯片的外部存儲(chǔ)器？DSP的速度較快，為了保證DSP的運(yùn)行速度，外部存儲(chǔ)器需要具有一定的速度，否則DSP訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器時(shí)需要加入等待周期。
2009-04-07 08:45:07
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（寫保護(hù)）和片選信號(hào)。?
引腳，故，直接將該引腳電平拉為高電平，就可以對(duì)狀態(tài)寄存器進(jìn)行寫操作。在寫狀態(tài)寄存器時(shí)，先將片選信號(hào)拉到低電平，然后發(fā)送數(shù)據(jù)，先發(fā)送WRSR指令，然后發(fā)送8位待寫入的內(nèi)容。注意，狀態(tài)寄存器的只讀位不受影響。
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