由于當(dāng)前 PC 儲(chǔ)存型態(tài)的改變，除了 SSD 的平價(jià)化，如高性能的 PCIe 4.0 SSD 、混合儲(chǔ)存架構(gòu)或是 Intel 的 Optane 等特性不同于傳統(tǒng)硬碟的儲(chǔ)存技術(shù)激增。 當(dāng)前針對(duì)儲(chǔ)存
2019-12-12 11:44:57
4167 現(xiàn)在很多MCU內(nèi)部已經(jīng)集成了內(nèi)部RTC，但常見(jiàn)的設(shè)計(jì)中為何很多使用獨(dú)立的RTC芯片?進(jìn)行RTC設(shè)計(jì)選型的依據(jù)是什么?應(yīng)該如何選擇?
2022-11-28 10:20:015942 
近年來(lái)對(duì)芯片的高速數(shù)據(jù)處理的要求，使得許多芯片內(nèi)部都已經(jīng)搭載了高速I(mǎi)F的功能。但是，也正是由于它的高速性能造成芯片的測(cè)試變得非常的困難。對(duì)這類(lèi)高速I(mǎi)F芯片的初期評(píng)價(jià)階段
2011-11-10 12:01:262646 
現(xiàn)在，原子儲(chǔ)存信息的技術(shù)正在變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。荷蘭代爾夫特理工大學(xué)科維理納米科學(xué)研究所桑德·奧特領(lǐng)導(dǎo)的研究小組，證明利用原子儲(chǔ)存大量信息是可行的。
2016-07-25 17:11:381118 加密芯片內(nèi)部集成了什么算法？自身安全等級(jí)如何？如何保證內(nèi)部儲(chǔ)存的密鑰和信息數(shù)據(jù)不被非法讀取與篡改？
2018-07-24 09:40:3111554 
在集成電路設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)芯片內(nèi)部電源的瞬態(tài)響應(yīng)進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)試是至關(guān)重要的。
2023-11-07 11:04:45464 
51單片機(jī)中EA為內(nèi)外部程序儲(chǔ)存器選擇端。當(dāng) EA為高電平時(shí)，單片機(jī)訪問(wèn)內(nèi)部程 序儲(chǔ)存空間，為低電平時(shí)訪問(wèn)外部 程序存儲(chǔ)空間。 外部程序存儲(chǔ)空間是什么？
2020-04-10 01:04:47
外部晶振方案/內(nèi)部晶振方案/時(shí)鐘芯片方案都有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2022-02-22 06:53:15
在嵌入式開(kāi)發(fā)中，如果芯片內(nèi)部有Flash，應(yīng)用程序通常保存在芯片內(nèi)部FLASH中，比如Cortex-M系列的單片機(jī)；如果芯片內(nèi)部沒(méi)有Flash，則應(yīng)用程序通常保存于外部的NAND FLASH中，比如
2022-02-16 06:05:57
芯片測(cè)試需要掌握的技術(shù)，來(lái)源：基業(yè)常青經(jīng)濟(jì)研究院從IDM到垂直分工，IC產(chǎn)業(yè)專(zhuān)業(yè)化分工催生獨(dú)立測(cè)試廠商出現(xiàn)。集成電路產(chǎn)業(yè)從上世紀(jì)60年代開(kāi)始逐漸興起，早期企業(yè)都是IDM運(yùn)營(yíng)模式（垂直整合），這種...
2021-07-28 08:06:50
模數(shù)轉(zhuǎn)換器具備同步采樣功能時(shí)，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)都是每一路AI對(duì)應(yīng)1個(gè)SAR ，而這款芯片是8路通過(guò)芯片內(nèi)部1個(gè)8選一多路復(fù)用器，然后使用1個(gè)SAR ，請(qǐng)問(wèn)這兩種同步采樣有什么區(qū)別。
2023-11-30 08:24:42
AD芯片采用外部時(shí)鐘時(shí)，外部時(shí)鐘源可以是不規(guī)則的TTL電平嗎？
該TTL電平具體表現(xiàn)為，頻率由低到高，再由高到低，最大100K，每一個(gè)電平高電平是恒定的，低電平在不停的變化。
這樣的TTL電平能作為ＡＤ芯片的采樣時(shí)鐘嗎
2023-12-22 08:31:46
我是做家電維修的，現(xiàn)在一臺(tái)音箱處理器確定是這個(gè)芯片壞了，想請(qǐng)問(wèn)一個(gè)各位大神它的內(nèi)部儲(chǔ)存有數(shù)據(jù)嗎？直接買(mǎi)一個(gè)芯片能不能代換呢？謝謝
2014-03-08 17:16:52
內(nèi)部模式是指程序和數(shù)據(jù)位于MCU芯片內(nèi)部，以FLASH或EPROM的形式存在，地址和數(shù)據(jù)總線(xiàn)對(duì)于用戶(hù)并不可見(jiàn)，由此節(jié)省下來(lái)的芯片引腳作為I/O口提供給用戶(hù)。內(nèi)部模式也稱(chēng)單片模式，所有的程序執(zhí)行都發(fā)生在內(nèi)部
2011-08-11 14:19:29
似乎內(nèi)部溫度采樣不太準(zhǔn)確，下面是測(cè)試的溫度和實(shí)際代碼測(cè)量芯片部分有26.7度，實(shí)際輸出是-1~2度左右。UINT8 i;signed short RoughCalib_Value = 0
2022-08-15 07:01:55
DSPtms320c6748處理器通過(guò)emifa連接ad7606的讀取采樣后的數(shù)據(jù)怎么儲(chǔ)存
2021-07-02 21:08:45
的掌握是準(zhǔn)備“藍(lán)橋杯”單片機(jī)設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)比賽避不開(kāi)的內(nèi)容。 藍(lán)橋杯單片機(jī)開(kāi)發(fā)所使用的EEPROM儲(chǔ)存芯片是AT2
2022-01-17 08:26:47
1、FPGA內(nèi)部AD多通道采樣實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)編寫(xiě)程序，使用Anlogic 自帶的ADC進(jìn)行四通道數(shù)據(jù)輪詢(xún)采集，同時(shí)介紹TD軟件IP核的用法。本實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)使用FPGA自帶的12位串行AD芯片工作，將直流
2022-07-15 18:18:37
的運(yùn)作情況。在這個(gè)芯片中的程序在這些可設(shè)置硅片間到底是如何工作的。本書(shū)會(huì)使非數(shù)字化設(shè)計(jì)人員明白FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列）的基礎(chǔ)知識(shí)及其工作原理。此信息在使用高端設(shè)計(jì)工具時(shí)同樣十分有用，希望可以為理解這一特別技術(shù)提供一些線(xiàn)索。
2019-07-29 08:12:26
Bifrost架構(gòu)如何提高效率和性能？Mali-G71如何通過(guò)創(chuàng)新技術(shù)來(lái)提升GPU性能？GPU爆炸式發(fā)展背后的深層原因？
2021-03-11 06:48:49
芯片的設(shè)計(jì)中加入一些額外的自測(cè)試電路，測(cè)試時(shí)只需要從外部施加必要的控制信號(hào)，通過(guò)運(yùn)行內(nèi)建的自測(cè)試硬件和軟件，檢查被測(cè)電路的缺陷或故障。和掃描設(shè)計(jì)不同的是，內(nèi)建自測(cè)試的測(cè)試向量一般是內(nèi)部生成的，而不是
2011-12-15 09:35:34
使用一款MCU芯片的內(nèi)部ADC功能對(duì)正弦波采樣，這個(gè)輸入正弦波是選擇交流還是直流？ADC應(yīng)該是選擇單次轉(zhuǎn)換還是連續(xù)轉(zhuǎn)換模式？目前對(duì)設(shè)置了一定頻率與幅度的正弦波輸入，但通過(guò)串口只會(huì)輸出這個(gè)正弦波的均值，應(yīng)該怎么能采集到一個(gè)完整的正弦波
2023-05-24 17:15:02
MSP430或STM32，在使用內(nèi)部ADC出現(xiàn)的采樣數(shù)據(jù)異常抖動(dòng)問(wèn)題采樣設(shè)計(jì)：用于檢測(cè)供電線(xiàn)路電流及電壓。產(chǎn)品運(yùn)行在兩種模式下，1、低功耗靜態(tài)模式（倉(cāng)儲(chǔ)態(tài)），2、全功能全速運(yùn)行模式（工作態(tài)）。在倉(cāng)儲(chǔ)
2022-02-11 07:44:17
labview程序里面解析出來(lái)的大量數(shù)據(jù)（模擬量或者報(bào)文解析數(shù)據(jù)）儲(chǔ)存到電腦別的盤(pán)以EXcel文件格式儲(chǔ)存。要求儲(chǔ)存Excel文件內(nèi)部有讀取和需儲(chǔ)存文件名和數(shù)據(jù)
2019-03-22 09:23:43
用的是msp430f149型號(hào)的開(kāi)發(fā)板，現(xiàn)在由于內(nèi)部AD不滿(mǎn)足要求，采用TLC5540高精度AD芯片采集信號(hào)，由于剛?cè)胧謒sp430,只用過(guò)內(nèi)部的ad,請(qǐng)問(wèn)用外部的AD芯片有什么要求？該怎么樣用詞語(yǔ)編程控制外部AD采集？希望哪位大神共享下這方面資料的。。。。謝謝
2013-08-19 16:33:10
最近diy制作一個(gè)USB電源電流表，使用的N76E003單片機(jī)，液晶屏顯示部分程序，也弄好了，就差adc采樣了，想利用內(nèi)部帶隙電壓計(jì)算外部電壓值，不知道怎么計(jì)算，讀取UID最后兩個(gè)字，值為1663
2023-06-16 07:32:22
互連的開(kāi)路與短路故障,可采用外部測(cè)試加以驗(yàn)證: ·測(cè)試PCB上總線(xiàn)的完整性,通過(guò)其測(cè)試可檢測(cè)與總線(xiàn)相連的IC芯片I/O管腳是否存在開(kāi)路故障。 隨著B(niǎo)ST技術(shù)的不斷發(fā)展,PCB測(cè)試將逐步完善。由于
2018-09-10 16:50:00
是什么?1.4工業(yè)控制機(jī)的哪幾個(gè)部分組成?各部分的主要作用是什么?工業(yè)控制機(jī)的特點(diǎn)有哪些?1?5什么是總線(xiàn)、內(nèi)部總線(xiàn)和外部總線(xiàn)?PC總線(xiàn)和STD總線(xiàn)各引線(xiàn)的排列和含義是怎樣的?RS-232C和IEEE-4...
2021-09-01 08:59:05
弱弱的請(qǐng)教大家一個(gè)問(wèn)題啊~~~~芯片若使用外部時(shí)鐘源 指的是使用外部有源晶振嗎？芯片若使用內(nèi)部時(shí)鐘，指的是使用外部晶體還是內(nèi)部RC電路產(chǎn)生時(shí)鐘？
2015-07-24 21:34:55
你好，請(qǐng)問(wèn)一下在使用AD7175-2芯片是外部晶振沒(méi)有起震，是不是軟件配置一下才行？
這個(gè)是我查到的芯片接口圖：
這個(gè)芯片有內(nèi)部時(shí)鐘源和外部時(shí)鐘源兩種配置。
這個(gè)是時(shí)鐘寄存器配置
2023-12-11 08:21:11
請(qǐng)教：使用MCU內(nèi)部的8路ADC采樣，如何保護(hù)和隔離？？？之前采樣點(diǎn)租直接和MCU 的ADC引腳相連，有干擾，有時(shí)還會(huì)損壞MCU如果采用單獨(dú)ADC芯片，8路的，有什么性?xún)r(jià)比高的新片推薦下，精度要求不高，但要穩(wěn)定！
2017-02-27 16:45:45
用的是TI官方的EK-LM4F232H5QD評(píng)估板 其中PD4（AIN7）外接電池進(jìn)行AD采樣測(cè)試，電池電壓1.528-1.533V左右，當(dāng)設(shè)置參考電壓為內(nèi)部參考電壓時(shí)，采樣值在1827-1924，1.528/3.3*4096=1896左右，設(shè)置為外部3V參考電壓時(shí)，采樣值還是和內(nèi)部參考電壓值時(shí)差不多？
2018-11-19 15:14:58
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 13:45 編輯
由于最近做一個(gè)供電電路板,需要用到電流采樣功能,于是選用max4080芯片.在看文檔的時(shí)候,希望了解一下內(nèi)部電路,發(fā)現(xiàn)有
2012-08-28 14:50:10
很多情況下，對(duì)于ADC采樣只能看到表象，無(wú)法理解更深的層次，那么造成的結(jié)果可能就是ADC采樣有誤差，采樣不準(zhǔn)確，這篇文章幫你更深層次的理解ADC采樣
2021-02-26 13:42:42
TMS320F28X 處理器內(nèi)部AD的采樣速率夠快，為何不能夠執(zhí)行與上述外部AD相同的同步采樣功能呢？采樣出來(lái)的數(shù)據(jù)到底有什么區(qū)別？謝謝。
2018-06-11 08:56:43
IIC總線(xiàn)是什么？如何使用IIC總線(xiàn)去實(shí)現(xiàn)EEPROM小容量數(shù)據(jù)儲(chǔ)存測(cè)試呢？
2021-11-05 08:04:14
的程序儲(chǔ)存在外部ROM，這樣怎樣定義？3、如何使用MDK，定義程序的儲(chǔ)存位置？嵌入式系統(tǒng)、加密程序、常用功能要儲(chǔ)存在內(nèi)部ROM；PCI和PWM儲(chǔ)存在外部ROM。4、請(qǐng)教一下，我應(yīng)該使用那種芯片的外部ROM和RAM？需要16M左右，因?yàn)閹в蠰CD。望各位大神賜教。
2019-10-21 04:26:46
項(xiàng)目上用到了合泰的32位單片機(jī)HT32F50230，出于成本考慮，不打算外接晶振，而是采用芯片內(nèi)部的振蕩器為單片機(jī)提供時(shí)鐘。但是合泰的例程都是默認(rèn)使用的外部時(shí)鐘。下面將介紹如何將外部時(shí)鐘改為內(nèi)部時(shí)鐘
2021-11-26 06:58:06
通過(guò)用戶(hù)SMA GPIO傳輸高速時(shí)鐘，以便它可以充當(dāng)外部觸發(fā)器。請(qǐng)告訴我是否可以通過(guò)SMA連接器取出高速時(shí)鐘。測(cè)試程序如下：采樣示波器是單端的。所以我直接將TXp SMA連接到示波器。但它也需要一個(gè)外部觸發(fā)器。我不知道該怎么做。謝謝
2019-09-04 11:25:40
對(duì)于單顆的芯片，目的驗(yàn)證其從封裝完成，經(jīng)過(guò)儲(chǔ)存、運(yùn)輸直到焊接到系統(tǒng)板之前的靜電防護(hù)水平，建議采用芯片級(jí)的測(cè)試方式，測(cè)試電壓通常在2000V左右。對(duì)于系統(tǒng)板和整機(jī)，為驗(yàn)證其抗干擾的能力，建議用靜電槍測(cè)試，接觸式放電8KV，空氣放電15KV.
2022-09-19 09:57:03
如何通過(guò)公網(wǎng)plc訪問(wèn)到深層工業(yè)網(wǎng)絡(luò)？
2021-09-30 06:00:50
過(guò)采樣技術(shù)的原理是什么？有大神遇到過(guò)這個(gè)問(wèn)題嗎
2021-06-22 07:48:34
怎么通過(guò)VDD腳看芯片是內(nèi)部供電還是外部供電求通俗易懂的解釋
2022-12-07 14:27:21
`求助以下 芯片 哪個(gè)是 儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的謝謝`
2015-03-04 19:50:55
安路哪些器件自帶大容量內(nèi)部儲(chǔ)存器？
2023-08-11 08:19:50
各位大佬，有CH438Q的驅(qū)動(dòng)程序嗎？還有該芯片的外部晶振與內(nèi)部晶振如何來(lái)切換？
2022-07-07 07:26:08
高速數(shù)字設(shè)計(jì)和測(cè)試綜述高質(zhì)量的信號(hào)生成電源完整性測(cè)試物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)中幾種典型芯片NB-IOT的測(cè)試方法
2021-01-12 07:15:11
各位大神求助。想做一個(gè)盾構(gòu)刀具測(cè)試系統(tǒng)，最后怎么實(shí)現(xiàn)測(cè)試數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存和回調(diào)，這一部分程序怎么編寫(xiě)
2015-05-25 02:13:39
我想請(qǐng)教一下關(guān)于DSP28069進(jìn)行AD采樣時(shí)，如果采用外部基準(zhǔn)參考電壓3.3V 是不是比選用內(nèi)部參考電壓進(jìn)行采樣時(shí) 精度要準(zhǔn)確一點(diǎn)？選擇外部基準(zhǔn)參考電壓與內(nèi)部基準(zhǔn)參考電壓 除了電壓上的不同外 還有什么區(qū)別？另外28069芯片現(xiàn)在是否已經(jīng)量產(chǎn)了？
2018-08-22 07:14:20
最近diy制作一個(gè)USB電源電流表，使用的N76E003單片機(jī)，液晶屏顯示部分程序，也弄好了，就差adc采樣了，想利用內(nèi)部帶隙電壓計(jì)算外部電壓值，不知道怎么計(jì)算，讀取UID最后兩個(gè)字，值為1663
2023-08-30 06:43:07
基于DSP的測(cè)試技術(shù)與傳統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)相比，有哪些優(yōu)勢(shì)？基本的混合信號(hào)測(cè)試技術(shù)包括哪些？采樣和重建在混合信號(hào)測(cè)試中的應(yīng)用
2021-04-21 06:41:10
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-4 17:34 編輯
您好！我想把a(bǔ)m3359的內(nèi)部RTC當(dāng)實(shí)時(shí)時(shí)鐘使用，有如下2個(gè)問(wèn)題：1.外部電池應(yīng)該接在哪個(gè)IO口，是否有參考電路和相關(guān)技術(shù)文檔
2018-06-04 07:03:52
請(qǐng)問(wèn)有人測(cè)試過(guò)國(guó)民技術(shù)的MCU芯片嗎？，性能怎樣，在行業(yè)水準(zhǔn)如何呢？
2021-05-23 10:00:33
邊界掃描測(cè)試技術(shù)簡(jiǎn)介及原理 1． 簡(jiǎn)介 JTAG(Joint Test Action Group，聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)小組)是1985年制定的檢測(cè)PCB和IC芯片的一個(gè)
2009-10-15 09:32:16
新型語(yǔ)音儲(chǔ)存芯片ML2500
2009-04-30 17:49:18
20 外部和內(nèi)部計(jì)算機(jī)電源的高效架構(gòu)
2010-06-03 10:51:1738 DAC0832：DAC0832是采樣頻率為八位的D/A轉(zhuǎn)換器件。附圖是它的內(nèi)部電路框圖和外部管腳圖。 該芯片的特點(diǎn)如下所
2007-12-19 15:36:508169 
DSP芯片如何選擇外部時(shí)鐘？DSP的內(nèi)部指令周期較高，外部晶振的主頻不夠，因此DSP大多數(shù)片內(nèi)均有PLL。但每個(gè)系列不盡相同。 1)TMS320C2000系列： TMS32
2009-04-07 08:44:222393 摘要：本文對(duì)內(nèi)部(集成在處理器內(nèi)部)看門(mén)狗定時(shí)器(WTD)與外部(基于硬件) WDT的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)進(jìn)行了對(duì)比。內(nèi)部看門(mén)狗便于設(shè)計(jì)，但容易失效。MAXQ2000微控制器的WDT可以作為內(nèi)部看門(mén)狗
2009-05-02 10:34:214375 基于DSP的過(guò)采樣技術(shù)
在使用DSP進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理時(shí)，應(yīng)用過(guò)采樣技術(shù)可以增加其內(nèi)置模數(shù)轉(zhuǎn)換器的分辨率。討論了應(yīng)用過(guò)采樣技術(shù)的原理、如何使
2009-05-04 21:22:37923 
DSP的過(guò)采樣技術(shù)原理
在使用DSP進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理時(shí)，應(yīng)用過(guò)采樣技術(shù)可以增加其內(nèi)置模數(shù)轉(zhuǎn)換器的分辨率。討論了應(yīng)用過(guò)采樣技術(shù)的原理、如何
2009-05-04 22:40:172745 
NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用
0 引言
計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過(guò)去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來(lái)要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，
2009-11-07 10:21:25857 Symwave首款單芯片USB 3.0到雙SATA儲(chǔ)存控制器，速度可提高十倍
芯微科技(Symwave)推出單芯片USB 3.0到雙SATA儲(chǔ)存控制器SW6318，傳輸速度最高可達(dá)400MB/s，與現(xiàn)有基于USB 2.0技術(shù)的
2009-12-30 08:35:35875 單片機(jī)入門(mén)教程第二課-單片機(jī)的內(nèi)部、外部結(jié)構(gòu)（一）
一、單片機(jī)的外部結(jié)構(gòu) 拿到一塊芯片，想要使用它，首先必須要知道怎樣連
2010-01-07 16:52:30846 
外部電源設(shè)計(jì)中新技術(shù)與芯片的應(yīng)用
1 前言 最近幾年電源產(chǎn)品已經(jīng)取得了突破性的進(jìn)步，但與此同時(shí)，當(dāng)今能源浪費(fèi)的問(wèn)題已成為國(guó)內(nèi)
2010-01-27 09:26:46530 
本應(yīng)用筆記的目的是介紹如何配置和使用內(nèi)部及外部 振蕩器 。本文提供了配置說(shuō)明、應(yīng)用舉例和示例代碼。 關(guān)鍵點(diǎn)
2011-08-18 15:05:4064 鉆取采樣裝置靜態(tài)接口測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)_陳德靖
2017-01-19 21:54:150 6月6日消息今天AMD公布了即將在7月份發(fā)布的Vega顯卡的透視圖，里面就是最新一代的Vega核心。也就是說(shuō)AMD自曝了深層次的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
2017-06-06 15:52:531577 汽車(chē)線(xiàn)束行業(yè)在汽車(chē)零部件領(lǐng)域內(nèi)屬于靈動(dòng)性非常大的行業(yè)，涉及到的設(shè)變通常也是非常頻繁的，例如汽車(chē)廠車(chē)輛電器配置的增減，用電器安裝位置的設(shè)變以及電器端接插件型號(hào)或電器功能孔位的設(shè)變等等都會(huì)要求線(xiàn)束進(jìn)行同步更改，一般線(xiàn)束設(shè)變分為外部設(shè)變和內(nèi)部設(shè)變兩個(gè)方面。
2019-08-24 09:12:32892 Nvidia發(fā)展GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù)，大幅提升GPU加載大型資料集的速度，使用GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù)，GPU加載資料集的工作不再完全需要仰賴(lài)CPU，因而解除了資料I/O的瓶頸。
2019-09-11 11:51:02832 對(duì)于示波器而言，帶寬、采樣率和存儲(chǔ)深度是它的三大關(guān)鍵指標(biāo)。作為示波器關(guān)鍵指標(biāo)的采樣率如果不足會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果有哪些影響呢？ 首先我們了解下什么是采樣和采樣率？通俗的講，采樣實(shí)際上是用點(diǎn)來(lái)描繪進(jìn)入示波器
2020-03-13 10:01:0711074 
電池采樣芯片（AFE）里面有一個(gè)重要功能：斷線(xiàn)檢測(cè)。
2020-03-15 11:50:009848 
();SystemInit();里面也可以選外部晶振或者內(nèi)部晶振搜索USE_HSE_BYPASS，如果有定義則使用的外部晶振，沒(méi)有定義則使用的內(nèi)部晶振，目前我是屏蔽的。而使用外部晶振的話(huà)，晶振大小在哪里改呢如圖改PLL_M，目前我用的是25M....
2021-12-24 19:21:1250 STM32芯片和GD芯片修改外部晶振的方法STM32芯片修改外部晶振的方法GD芯片修改外部晶振的方法注意事項(xiàng)STM32芯片修改外部晶振的方法1、stm32f0xx.h文件中，如將外部晶振由8M改為
2021-12-31 19:24:1234 封裝測(cè)試是將生產(chǎn)出來(lái)的合格晶圓進(jìn)行切割、焊線(xiàn)、塑封，使芯片電路與外部器件實(shí)現(xiàn)電氣連接，并為芯片提供機(jī)械物理保護(hù)，并利用集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)提供的測(cè)試工具，對(duì)封裝完畢的芯片進(jìn)行功能和性能測(cè)試。
2022-08-08 15:32:466988 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)具備明顯周期成長(zhǎng)屬性的領(lǐng)域。2022年之后，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸進(jìn)入低谷發(fā)展周期，其中，儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)就是最真實(shí)的寫(xiě)照。作為語(yǔ)音芯片廠家，廣州九芯電子給大家簡(jiǎn)單介紹一下目前儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)的概況：
2022-09-27 16:33:593723 當(dāng)信號(hào)從A輸入端口輸入時(shí)，就意味著使用ADC A和ADC B通道對(duì)輸入的模擬信號(hào)進(jìn)行采樣，雙通道組態(tài)內(nèi)部時(shí)鐘電路（Clock Circuit）為ADC A通道提供內(nèi)部采樣時(shí)鐘，該時(shí)鐘反轉(zhuǎn)180
2023-02-22 11:11:232524 點(diǎn)等問(wèn)題。本文針對(duì)所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等，介紹C2000內(nèi)部比較器的具體實(shí)踐方法，并提供了與傳統(tǒng)的外部比較器方法的比較，結(jié)果表明，使用C2000內(nèi)部比較器的方法在效率和成本上都具備明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-03-14 09:40:54946 
點(diǎn)等問(wèn)題。本文針對(duì)所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等，介紹C2000內(nèi)部比較器的具體實(shí)踐方法，并提供了與傳統(tǒng)的外部比較器方法的比較，結(jié)果表明，使用C2000內(nèi)部比較器的方法在效率和成本上都具備明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-03-27 09:37:39555 
點(diǎn)等問(wèn)題。本文針對(duì)所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等，介紹C2000內(nèi)部比較器的具體實(shí)踐方法，并提供了與傳統(tǒng)的外部比較器方法的比較，結(jié)果表明，使用C2000內(nèi)部比較器的方法在效率和成本上都具備明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-03 10:56:35607 
Android中根據(jù)數(shù)據(jù)是否為應(yīng)用私有、是否需要給外部應(yīng)用暴露以及數(shù)據(jù)的大小可以有以下幾種選擇：
* Shared Preferences
* 內(nèi)部存儲(chǔ)
* 外部存儲(chǔ)
* 本地?cái)?shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)
* 通過(guò)網(wǎng)絡(luò)在服務(wù)器端數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)
2023-05-26 11:30:29952 
現(xiàn)在很多MCU內(nèi)部已經(jīng)集成了內(nèi)部RTC，但常見(jiàn)的設(shè)計(jì)中為何很多使用獨(dú)立的RTC芯片？進(jìn)行RTC設(shè)計(jì)選型的依據(jù)是什么？應(yīng)該如何選擇？
今天重點(diǎn)介紹一下在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該怎么選擇RTC功能的實(shí)現(xiàn)？
2023-05-26 14:52:453295 
的聲音。可見(jiàn)采樣頻率對(duì)語(yǔ)音芯片的重要性。下面就九芯電子的小編就跟大家說(shuō)說(shuō)常用的兩種采樣頻率：4位內(nèi)置MCU上。因?yàn)檫@種芯片當(dāng)時(shí)是為了降低成本芯片內(nèi)部集成的定時(shí)器不方便
2022-10-25 09:27:30659 
硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù)，能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能，是5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐。準(zhǔn)確測(cè)量硅光芯片內(nèi)部鏈路情況，讓硅光芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)
2023-07-31 23:04:15390 
芯片封裝測(cè)試有技術(shù)含量嗎？封裝測(cè)試是干嘛的？? 芯片封裝測(cè)試是指針對(duì)生產(chǎn)出來(lái)的芯片進(jìn)行封裝，并且對(duì)封裝出來(lái)的芯片進(jìn)行各種類(lèi)型的測(cè)試。封裝測(cè)試是芯片生產(chǎn)過(guò)程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，而且也需要高度的技術(shù)
2023-08-24 10:41:572322 在當(dāng)前的集成電路市場(chǎng)中，唯創(chuàng)知音推出的WTN6xxx-8S語(yǔ)音芯片以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域，吸引了眾多工程師和設(shè)計(jì)師的關(guān)注。這款語(yǔ)音芯片不僅具有精準(zhǔn)的+/-1%內(nèi)部震蕩，還消除了對(duì)外部震蕩器的需求
2023-12-15 08:40:10191 
STM32使用內(nèi)部晶振還是外部晶振？ 在設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)STM32應(yīng)用時(shí)，有兩種主要的時(shí)鐘源選擇可供選擇：內(nèi)部晶振和外部晶振。 內(nèi)部晶振是集成在STM32芯片中的一個(gè)振蕩器，它為芯片提供時(shí)鐘信號(hào)。與之相比
2023-12-15 14:14:192036 集成芯片內(nèi)部的引腳排列原理是確保電路正常工作的重要基礎(chǔ)。引腳，作為芯片與外部電路的連接點(diǎn)，其排列方式直接影響到電路的連接和信號(hào)傳輸。
2024-03-21 15:43:08101
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