自1945年以來只要我們還使用數字電子計算設備，我們就需要面臨并解決各種存儲器方面的問題。我們既需要小容量速度快的寄存器也有大容量存儲的需求，如磁盤和磁帶等，以及半導體設計方面專用的DRAM和Flash EPROM存儲器。系統設計者非常希望采用片上存儲器，而不是將數據保存到片外存儲器上，這樣可以盡量避免各種功耗和延遲問題，從而提高系統性能。Xilinx通過對SRAM技術的集成，推出了新一代片上大容量存儲器UltraRAM，當然這是專為Xilinx UltraScale+系列器件打造的，包括Virtex UltraScale+ FPGA、Kintex UltraScale+ FPGA以及Zynq UltraScale+ MPSoCs。（圖1 Xilinx推出UltraRAM片上存儲器）

用戶可以選擇在下一次的系統設計中采用UltraRAM片上存儲器，每一個UltraRAM模塊都是一個雙端口同步的288Kb RAM，擁有4096個72位字的固定配置。你可以通過配置選擇將多個UltraRAM模塊組合成更大容量的片上存儲器空間，在UltraScale的Kintex+ FPGA 和 Zynq UltraScale+ MPSoC 上可以高達36Mbit，而在 Virtex UltraScale+ FPGA 上則可高達 360Mbit。下面給出三點優勢：

片上SRAM的讀寫速度要遠快于片外SDRAM

片上存儲器的時序約束問題也更容易解決

使用片上存儲器就不再需要存儲器控制單元，避免了復雜的存儲器接口協議

將存儲空間集成到FPGA或MPSoC器件內部實現片上數據存儲減少了PCB板因外部存儲芯片占用的面積。可以說UltraRAM解決了影響FPGA和SoC系統性能和功耗的最大瓶頸，利用這項新技術能創建用于多種不同應用場景的片上存儲器，包括深度數據包和視頻緩沖，實現可預見的時延和性能。設計人員通過緊密集成大量嵌入式存儲器與相關處理引擎，不僅能實現更高的系統性能功耗比，并可降低材料清單（BOM）成本。

集成了UltraRAM片上存儲器的UltraScale+系列器件并不會刪除或減少BRAMs資源，相比起來BRAM比UltraRAM更加的高效：

可配置的數據位寬——更高效的存儲使用

內置實現FIFO模塊

雙端口獨立始終——實現跨時鐘域操作

綜合上述因素Xilinx UltraScale+系列器件集成了豐富的BRAM和UltraRAM資源，將成位下一代系統級設計利器，下面的視頻詳細介紹了UltraRAM的技術細節：