近日，德州儀器 （TI） 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:11
1115 BTT6020-1EKA的典型應用電路是一個20mΩ單通道智能高側電源開關，嵌入PG-DSO-14-47 EP，裸露焊盤封裝，提供保護功能和診斷。功率晶體管由帶有電荷泵的N溝道垂直功率MOSFET
2020-04-16 10:14:10
壓，則會在氧化層下方形成空穴通道。增強模式 N 通道N 通道耗盡和增強類型的符號加工n溝道MOSFET的工作原理是假設大多數載流子是電子。電子在通道中的運動負責晶體管中的電流。柵極端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
。TB9083FTG這款新產品能夠控制和驅動用于驅動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。它非常適合用于滿足ISO 26262功能安全性標準第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
CMOS/TTL邏輯電壓。因此，邏輯/控制電路和高功率器件之間需要一個接口。這可以通過驅動一個邏輯電平n溝道MOSFET，其進而驅動一個功率MOSFET來實現，如圖1a所示。圖1. 用反相邏輯驅動功率
2021-07-09 07:00:00
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數
2020-12-25 06:15:08
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
柵極驅動器解決方案TI提供專為電動座椅設計的多電機汽車柵極驅動器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅動器分別具有四個通道和八個通道。它們集成了電荷泵、電流檢測放大器和可用于多個負載
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
當今世界，設計師們似乎永遠不停地追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出！更高的系統效率需要團隊的努力，這包括（但不限于）性能更高的柵極驅動器、控制器和新的寬禁帶技術。特別是高電流
2019-08-07 04:45:12
A4989SLDTR-T代替A3986 大功率工業用雙極二相步進電機雙全橋柵極驅動器 30-500W其電動機的功率是由外部N溝提供，功率MOSFET的電源電壓為12-50V.還包含生成兩個正弦DAC
2019-10-28 14:00:50
同步降壓變換器；標準到同步轉換器的適配。 一般說明 ADP3412是一款為驅動而優化的雙mosfet驅動器兩個N通道mosfet，它們是a中的兩個開關非隔離同步降壓功率變換器每一個驅動器能夠以20
2020-07-21 15:49:18
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
IP2127是一款單通道驅動器，它具有電流檢測功能電路，輸入為高有效的高端驅動器。它為雙列直插8腳封裝。
2021-04-23 06:04:34
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅動上下功率而設計的驅動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉換器拓撲。這些驅動程序與ISL6592數字多相降壓型脈寬調制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
N8322 是一款可驅動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓撲中。LN8322 內部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關斷狀態
2022-01-12 13:39:25
LT1158上單個輸入引腳的典型應用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驅動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅動IC，提供兩個輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術
2021-11-23 13:57:47
相反。由于其中存在可用的P型雜質，因此該MOSFET中的通道是預先構建的。一旦在柵極端施加負 (-) 電壓，N型中的少數電荷載流子(如電子)就會被吸引到P型溝道。在這種情況下，一旦漏極反向偏置，則器件
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動
2018-03-03 13:58:23
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構成中也同樣需要探討的現象。在分立結構的設計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
? -40oC 到 125oC 的工作溫度范圍 SL27517 是單通道 4A 的高速低側柵極驅動器，可以高效安全地驅動 MOSFET、IGBT 以及新興的寬帶隙功率器件。低傳播延遲以及緊湊
2022-07-26 10:21:31
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
記本電腦電源切換SCSI終端電源切換蜂窩電話電源管理電池充電和管理高端工業和汽車開關步進電機和直流電機控制說明LTC1154單高側柵極驅動器允許使用低高側交換應用的成本N溝道場效應晶體管。內部電荷泵提高柵極
2020-09-08 17:28:16
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
的N溝道功率MOS晶體管開關“配置。它用于汽車電氣控制單元中繼電器的更換。注：除定時器引腳外，所有引腳的ESD均符合MIL 883C，在2KV下測試，對應于0.2mJ的最大能量消耗。定時器引腳用800V
2020-09-09 17:31:48
(PTC) 加熱器來加熱冷卻劑。PTC加熱器依靠高壓電池來運行，需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側MOSFET/IGBT電源開關驅動的典型PTC加熱器方框圖。圖1：汽車內部加熱器模塊的方框圖過去
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驅動器？MOSFET驅動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅動上下功率而設計的驅動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉換器拓撲。這些驅動程序與ISL6592數字多相降壓型脈寬調制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
、效率低下、解決方案尺寸較大，因而不適合高功率、高密度同步整流應用。圖1. 脈沖變壓器、光耦合器和ADuM3220柵極驅動器解決方案光耦合器與脈沖變壓器相比，使用光耦合器作為柵極驅動器來執行同步整流
2018-10-15 09:46:28
還可以安裝Arduino UNO R3連接器。該擴展板上使用的IC驅動器是用于N溝道功率MOSFET的L6398單芯片半橋柵極驅動器。 L6398柵極驅動器和STL220N6F7功率MOSFET組合形成BLDC電機的高電流功率平臺，基于STM32 Nucleo板的數字部分提供6步或FOC算法控制解決方案
2020-05-20 08:53:36
概述：MAX16834是電流模式高亮度LED (HB LED)驅動器，可實現升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓拓撲結構。除了驅動由開關控制器控制的n溝道功率MOSFET開關，該器件還可驅動n溝道
2021-05-17 06:49:06
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
闡述這些設計理念，以展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅動器的功能是驅動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導通損耗，同時通過快速開關時間降低開關損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
和低側。該電路還在控制側和電源側之間提供電流隔離。 ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅動器，采用iCoupler技術提供獨立且隔離的高端和低端輸出，因此可以在H橋中專門使用N溝道MOSFET。該電路可用于電機控制，帶嵌入式控制接口的電源轉換，照明，音頻放大器和不間斷電源（UPS）
2019-11-07 08:53:19
溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。圖1：具有電平移位器的高側驅動IC。圖2：用自舉電路對高側N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
V或5 V邏輯電平提升到15 V或更高的電壓，以便驅動MOSFET的柵極。遺憾的是，為了驅動高電流同步整流器電路，可能需要一個單獨的高電流柵極驅動器IC。還有一點需要考慮：脈沖變壓器不能很好地處
2017-04-05 14:05:25
。STGAP2S柵極驅動器全系標配4A軌到軌輸出，即使驅動大功率逆變器，也能保證開關操作快速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內，在高開關頻率下確保PWM控制精確，滿足SiC器件的驅動要求。出色的抗dV
2018-08-06 14:37:25
2 月 15日，意法半導體發布了單通道、雙通道和四通道車規柵極驅動器，采用標準的PowerSSO-16 封裝，引腳分配圖可簡化電路設計升級，增加更多驅動通道。新柵極驅動器適用于所有的汽車系統設備
2023-02-16 09:52:39
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
的無調節電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個柵極驅動器能夠驅動廣泛的N通道功率mosfet，并配置為兩個高端驅動器和兩個低端驅動器。A4940提供了所有必要的電路，以確保高壓側和低壓側外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51
超過標準CMOS/TTL邏輯電壓。因此，邏輯/控制電路和高功率器件之間需要一個接口。這可以通過驅動一個邏輯電平n溝道MOSFET，其進而驅動一個功率MOSFET來實現，如圖1a所示。圖1. 用反相邏輯
2018-10-25 10:22:56
隔離式柵極驅動器時，轉換時間大大縮短；當驅動同一功率MOSFET時，該驅動器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅動電流。很多情況下，由于數字電路可能會透支電流，直接用微控制器驅動較大功率MOSFET
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
新年伊始，設計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅動器如何幫助系統實現更高的效率。高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數類型的FET是固有的。它由p-n結點形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
單通道MOSFET或IGBT柵極驅動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅動單個MOSFET或IGBT而設計的柵極驅動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
Toshiba推出低功率柵極驅動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設計用來驅動需要輸出電流高達±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅動器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。
2010-02-04 08:40:551261 
日前，德州儀器 （TI） 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 （GaN） 器件等
2012-04-23 16:48:00952 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器
2012-04-24 09:56:411411 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271040 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅動器在 -55°C 至 125°C 的節溫范圍內工作
2021-03-19 01:44:18
1 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅動器數據表
2021-05-20 18:32:193 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅動器數據表
2021-05-26 08:42:545 單通道隔離式柵極驅動器SLMi350英文手冊免費下載。
2021-06-19 16:31:1519 數明半導體宣布，兼容光耦單通道隔離式柵極驅動器SLM34x系列產品已通過UL1577認證，相關證書已下發。
2021-07-23 16:25:002653 
ROHM不僅提供電機驅動器IC，還提供適用于電機驅動的非隔離型柵極驅動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅動器，再介紹ROHM超級結MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 意法半導體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優化的單通道柵極驅動器，采用節省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術被廣泛用于提高
2021-10-22 10:06:392484 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已經推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅動集成電路(IC)的首款產品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:511289 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅動器IC 的產品陣容增加面向可穿戴設備等移動設備的五款新品。該系列的新產品配備了過壓鎖定功能，并根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301636 
納芯微單通道隔離式柵極驅動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發布，均適用于驅動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規（滿足AEC-Q100標準）和工規兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調、電源、光伏等應用場景。
2022-07-20 13:20:202261 
納芯微單通道隔離式柵極驅動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發布，均適用于驅動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規(滿足AEC-Q100標準)和工規兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調、電源、光伏等應用場景。
2022-07-22 16:04:462115 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴大其智能柵極驅動光耦產品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC，內置保護操作自動恢復的功能。該產品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 探索汽車電動座椅中多通道柵極驅動器的優勢
2022-10-28 11:59:450 設備驅動程序 緊湊型單通道隔離柵極驅動器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。
2022-11-02 16:47:09977 CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅動器，可用于驅動MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級達到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。
2022-12-05 10:00:45697 高側非隔離柵極驅動 1.適用于P溝道的高側驅動器2.適用于N溝道的高側直接驅動器 1.適用于P溝道的高側驅動器 高側非隔離柵極驅動可按照所驅動的器件類型或涉及的驅動電路類型來分類。相應地，無論是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45515 芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測柵極驅動器，適用于功率MOSFET，IGBT和寬禁帶器件，例如氮化鎵功率器件等驅動。 提供高達4A驅動拉電流和灌電流，并實現軌到軌輸出
2023-05-05 09:00:14210 閥和電機驅動器方面的應用擴展，車用柵極驅動器的需求日益增長。矽力杰高低邊柵極驅動器矽力杰SA52631是一款高壓高低邊半橋驅動器，用于直接驅動高邊和低邊通道。半橋通道可
2022-10-13 11:28:341864 
該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。
2023-06-30 09:58:50263 新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅動IC1ED3142MU12F來驅動IGBT
2023-07-31 17:55:56431 
本應用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機驅動設計。它描述了使用不同電壓應用的設計，以及自適應 MOSFET 柵極驅動器，這是驅動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:00615 
MD18011X，光耦兼容的單通道隔離型柵極驅動器系列，是茂睿芯功率驅動產品推出的新型產品系列，可廣泛應用于工業電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統。它們具備5700VRMS增強型隔離等級，主要
2023-10-26 16:02:08347 
單通道隔離式柵極驅動器支持米勒鉗位NSi6601M是單通道隔離式柵極驅動器，適用于驅動IGBT，功率MOSFET和SiCMOSFET在許多應用中。提供分立輸出用于分別控制上升和下降時間。它可以提供
2022-10-31 13:31:463 經濟型光耦兼容的單通道隔離式柵極驅動器納芯微全新推出第二代產品NSi6801x系列，包含NSi68010B和NSi68011C兩款產品。NSi6801x系列產品基于第一代產品NSi6801優秀性能
2022-10-31 13:54:553 電子發燒友網站提供《單通道柵極驅動器ADuM4135應用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 11:00:580 圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側柵極驅動器。 該系列器件被廣泛應用于 DC/DC 轉換器、太陽能和電機驅動器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
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2024-03-22 10:17:510 電子發燒友網站提供《電隔離單通道柵極驅動器UCC21750-Q1數據表.pdf》資料免費下載
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2024-03-22 14:00:570
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