日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點是輸出功率密度高達60kW/L，這一數值達到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:46
2360 
德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅動器，進一步擴展了其業內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻
2018-03-12 10:44:0010404 TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅動器，經過特別設計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 15:47:001421 %-100% 負載下 η =>95% ? 基于 CCM GaN 的圖騰柱無橋 PFC 級，峰值效率 >99%，通過具有集成式驅動器的 LMG341x GaNFET 實現 ? 峰值
2020-06-22 18:22:03
的 FET 和柵極驅動器。GaN FET 的開關速度比硅質 FET 快得多，而將驅動器集成在同一封裝內可減少寄生電感，并且可優化開關性能以降低功率損耗，從而有助于設計人員減小散熱器的尺寸。節省的空間
2018-10-31 17:33:14
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設計的支柱。雖然它們仍然被廣泛使用，但是在一些新設計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術的最新發展，以及改進的GaN器件和驅動器電路
2017-05-03 10:41:53
通電阻非常低，僅70mΩ，這款門驅動器內置了降壓/升壓轉換器，從而可以產生負電壓來關閉GaN HEMT。LMG3410R070 GaN功率級器件的一個關鍵優點是在硬切換時控制轉換速率，這種控制對于抑制
2019-07-16 00:27:49
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設計
2023-06-21 07:35:15
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LMG1020 5-V, 7-A, 5-A Low-Side GaN Driver With 60-MHz, 1-ns Speed datasheet
2022-11-04 17:22:44
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
部件：具有輸入（滾輪）和輸出（GaN驅動器）的Hercules控制器，以及功率調節：具有輸入 (LaunchPad) 和輸出（燈泡）的GaN驅動器。 圖4：硬件模塊對于固件來說也是如此。一個狀態機管理
2018-06-01 11:31:35
新應用，產生了對超高效率、高功率密度、高頻SiC功率轉換器的需求。車載牽引電機驅動器希望獲得最高功率密度以減小尺寸和重量，并刷新新的效率記錄，而車外快速充電器希求高電壓（高達2000 VDC、>
2018-10-22 17:01:41
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產的一款高速功率MOSFET和IGBT驅動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
克服了上述問題，可實現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關電容器控制器內置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，用于驅動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
的 PSoC? 6 Pioneer套件。PSoC 6 WiFi-BT Pioneer套件適合物聯網 (IoT) 應用及可穿戴設備，可用于開發使用高性能Cypress 6 微控制器的Wi-Fi應用。 貿澤
2018-09-21 11:51:15
模塊。這些設計平臺目 前針對戰略客戶而推出，代表了驅動新一代SiC/GaN功率轉換器 的完整IC生態系統的最高水準。設計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
領域的客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應用。 TI也將努力開發出全新類型的轉換器、電機驅動和系統。 LMG5200與眾不同之處 LMG5200原型機由一個高頻驅動器和兩個半橋配置的GaN FET
2018-09-11 14:04:25
GaN技術融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規功率密度預期的限值。基于數十年電源測試方面的專業知識，TI已經對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠實現基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅動器芯片
2021-01-22 06:45:02
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅動器的設計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設計的伺服驅動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
此參考設計為3kW 雙向交錯式連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正 (PFC) 功率級，采用 C2000? 實時控制器和具有集成驅動器和保護功能的 LMG
2023-01-17 09:51:23
，它們的優值系數（FOM）大為改善，可以實現高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優值系數（FOM）大為改善，可以實現高頻開關。CoolGaN? IPS技術在緊湊型封裝中集成了柵極驅動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉換器，因而有助于進一步提高充電器和適配器設計的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的功率密度。整板重量不足 230g。在穩定的 950kHz 開關頻率下，可達到 97.6% 的峰值效率。 特性390V - 48V/1kW 高頻諧振轉換器諧振頻率為 950kHz，重量小于 210g
2022-09-23 07:12:02
的某些特性。在汽車中，飛行時間（TOF）通常用于確定范圍。LIDAR的精度和分辨率取決于各種因素，包括開關頻率和激光信號的清晰度。短脈沖激光是皮質的，以確保眼睛安全。LMG1020 GaN激光驅動器演示
2019-11-11 15:48:09
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅動器脈寬調制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負載瞬態響應速度
2019-07-29 04:45:02
的 OBC。特性96.5% 系統效率3.8kW/L 功率密度支持 GaN 技術的高工作頻率（500kHz 至 800kHz）經驅動器集成優化的 GaN用于 PFC 和 CLLLC 的單個 TMS
2022-08-15 10:22:18
LMG3410 單通道 GaN 功率級包含一個 70-mΩ、600-V GaN 功率晶體管和采用 8-mm × 8-mm QFN 封裝的專用驅動器。直接驅動架構用于創建常關器件，同時提供 GaN 功率晶體管
2022-04-12 14:11:49
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升壓從動器PFC通過調整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅動損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關損耗和循環能量，提高系統效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
。這些優勢正是當下高功耗高密度系統、服務器和計算機所需要的，可以說專家所預測的拐點已經到來！時下，多個廠商正在大量的生產GaN器件，這些GaN器件正在被應用于工業、商業甚至要求極為嚴格的汽車領域的電力
2019-06-21 08:27:30
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅動器和保護功能，可確保電路可靠性并簡化設計使用 TI
2018-10-25 11:49:58
更高的功率密度。GaN的時代60多年以來，硅一直都是電氣組件中的基礎材料，廣泛用于交流電與直流電轉換，并調整直流電壓以滿足從手機到工業機器人等眾多應用的需求。雖然必要的組件一直在持續改進和優化，但物理學
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
如何利用高速ADC設計用于汽車的LIDAR系統？
2021-05-17 06:28:04
實現功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
合理開關損耗的同時，提升功率密度和瞬態性能。傳統上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨的驅動器驅動，這是因為GaN器件和驅動器基于不同的處理技術…
2022-11-16 06:23:29
，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無刷電機驅動器參考設計。訂購具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅動器的DRV8323RH三相智能柵極驅動評估模塊。
2017-08-21 14:21:03
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
有誰知道貿澤電子賣的運放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
各位工程師大家好，初入電子領域，目前在研究高頻驅動電路，在高頻柵極驅動芯片的選型上遇到了難題，目前有沒有比TI的LMG1020，更適合小功率高頻驅動的柵極驅動芯片或者有沒有推薦的搜索網站，希望各位大佬指點一下
2023-02-21 11:10:50
描述此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設計展示了一款低側納秒 (ns) 級 GaN 柵極驅動器 LMG1020，該驅動器能夠驅動 FET 產生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
Hercules微控制器來驅動它。圖1顯示的是將用來驅動LMG5200的Hercules模塊。
圖1：具有死區發生器的Hercules PWM模塊
GaN與Hercules功率級是天生的一對兒。它們在工業和汽車
2018-08-31 07:15:04
開發人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統總線）帶來了對更小的降壓穩壓器的需求，這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
驅動器，采用基于傳感器的梯形控制。本設計采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術，將兩個采用半橋配置的 FET 集成到一個 SON 5x6 封裝中，從而實現極高的功率密度。本設計使用兩個并聯的電源塊，可以
2018-11-01 16:34:29
集成來減小系統體積我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節
2022-11-07 06:45:10
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側 GaN 驅動器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-15 15:44:50
具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低側 GaN 驅動器 Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-20 15:04:38
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
10 Micrel推出具最高功率密度的降壓穩壓器MIC22950
MIC22950是麥瑞半導體(Micrel)的10A全集成同步降壓穩壓器，該公司高功率密度系列降壓穩壓器的創新產品
2010-04-03 08:41:01921 
適合空間受限應用的最高功率密度、多軌電源解決方案
2016-01-04 17:40:200 宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應用于負載點（POL）轉換器、激光雷達（LiDAR）及具低電感的馬達驅動器。
2017-12-29 10:40:006493 本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細的逆向分析，包括器件設計、封裝技術、制造工藝、成本和價格預估等。這是我們第一發現帶有驅動器的半橋氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）設計，并采用先進的多芯片封裝技術（PCB帶有嵌入式通孔和倒裝芯片）
2018-03-05 13:56:1810013 設計人員可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012評估模塊和SPICE模型快速輕松地評估這些新器件。工程師可以利用LIDAR的納秒激光驅動器參考設計和高速DC / DC轉換器的多兆赫GaN功率級參考設計，快速開始氮化鎵設計。
2018-03-16 14:10:436146 電子發燒友網為你提供TI(ti)LMG1020相關產品參數、數據手冊，更有LMG1020的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG1020真值表，LMG1020管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
本文介紹了LMG1020主要特性，框圖和典型應用電路圖以及高壓評估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框圖，電路圖，材料清單和PCB設計圖。
2019-04-05 11:02:006111 
此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著改善
2020-06-30 08:00:000 此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設計展示了一款低側納秒級 GaN 柵極驅動器 LMG1020，該驅動器能夠驅動 FET 產生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。
2020-07-23 08:00:0020 機電元件集成來減小系統體積 我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。 首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據功率密度值比較解決方案時的細節。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15579 的散熱
通過機電元件集成來減小系統體積
我還將演示如何與TI合作，使用先進的技術能力和產品來實現這四個方面，幫助您改進并達到功率密度值。
首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據
2022-01-14 17:10:261733 功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現。
?
為何選擇GaN？
當涉及功率密度時，GaN為硅MOSFET提供了幾個主要優點和優勢，
2021-12-09 11:08:161428 
(MOSFET)，因為它能夠驅動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進行設計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術（如碳化硅）不同的一系列挑戰。
2022-07-29 14:06:52792 
。EPC21601 是一款單芯片加 eGaN? FET 驅動器，采用 EPC 專有的 GaN IC 技術，采用芯片級 BGA 外形尺寸，尺寸為 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:572015 
電子發燒友網站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 功率密度基礎技術簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅動系統以質量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統以功率密度指標評價，而商用車動力系統以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:213715 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
集成驅動器可減小解決方案尺寸，實現功率密集型系統。同時，集成降壓/升壓轉換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩壓電源下工作，從而顯著降低對偏置電源的要求。
2023-02-06 14:29:32274 作為一種寬帶隙晶體管技術，GaN正在創造一個令人興奮的機會，以實現電力電子系統達到新的性能和效率。GaN的固有優勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現。
2023-04-07 09:16:45575 
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
在功率器件領域，除了圍繞傳統硅器件本身做文章外，材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢，能夠幫助廠商大幅提升系統密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
MASTERGAN4介紹ST推出世界首款集成半橋驅動IC和一對氮化鎵（GaN）的MASTERGAN產品平臺。該解決方案可用于最高400W以下的一代消費性電子、工業充電器，以及電源轉接器
2022-11-21 16:14:24510 
該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。
2023-06-30 09:58:50263 Allegro 在行業盛事慕展期間發布氮化鎵（GaN）隔離柵極驅動器AHV85110，這是Allegro Power-Thru產品系列的首次發布，AHV85110能夠提供2倍功率密度，以及更簡單
2023-07-13 16:05:02416 
電力電子產品設計人員致力于提升工業和汽車系統的功率效率和功率密度，這些設計涵蓋多軸驅動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
通過GaN電機系統提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580
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