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電子發(fā)燒友網(wǎng)>接口/總線/驅(qū)動(dòng)>以MOS管逆變橋?yàn)槔治鲵?qū)動(dòng)器的干擾源特性

以MOS管逆變橋?yàn)槔治鲵?qū)動(dòng)器的干擾源特性

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220V或380V,經(jīng)整流裝置整流成高壓直流電,經(jīng)過(guò)高頻電子開關(guān)組成的功放,組件,變?yōu)閹浊Ш掌澲翈资Ш掌澋闹懈哳l交流電,這是電壓還很高,必須通過(guò)中頻變壓降壓,然后再整流成直流低電壓(幾十伏
2012-07-10 09:54:55

場(chǎng)效應(yīng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOSH原理

場(chǎng)效應(yīng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOSH原理所謂的H 電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡(jiǎn)單的H 電路,它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)Q1、Q2 與2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)Q3、Q3 組成,所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44

基于DC-DC變換的推挽車載開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)方案

  圖1給出了推挽-高頻變壓-全整流DC-DC變換的基本電路拓?fù)洹Mㄟ^(guò)控制兩個(gè)開關(guān)S1和S2相同的開關(guān)頻率交替導(dǎo)通,且每個(gè)開關(guān)的占空比 d均小于50%,留出一定死區(qū)時(shí)間以避免S1和S2
2018-09-29 16:55:57

基于Matlab的設(shè)計(jì)

基于Matlab軟件平臺(tái),采用雙環(huán)控制策略設(shè)計(jì)的,利用Matlab-Simulink-SimPowerSystems的工具箱進(jìn)行建模仿真,驗(yàn)證了本文所設(shè)計(jì)方案的可行性和有效性。0 引言隨著
2021-11-15 08:32:43

多個(gè)mos串聯(lián)電路中,柵極為5Vpwm波,極是否需要連接此pwm波的GND網(wǎng)絡(luò)

(因?yàn)槲以谧鲭姍C(jī)時(shí)候,用自舉驅(qū)動(dòng)MOS是要GND網(wǎng)絡(luò)的,不知道這個(gè)是否需要),我有個(gè)想法就是不需要此GND網(wǎng)絡(luò),但是在柵極和極之間需要并個(gè)大電阻,不知這樣是否可行。
2020-11-11 20:39:43

多電源BCD技術(shù)的全驅(qū)動(dòng)器

TTL兼容驅(qū)動(dòng)器工作頻率高達(dá)100 KHz熱關(guān)機(jī)內(nèi)部邏輯電源高效率說(shuō)明I.C.是一個(gè)全驅(qū)動(dòng)器,用于在多電源BCD技術(shù)中實(shí)現(xiàn)的電機(jī)控制應(yīng)用它結(jié)合了隔離的DMOS功率晶體與CMOS和雙極電路在同一芯片上
2020-09-21 18:16:00

多顆MOS的并聯(lián)應(yīng)用研究

,實(shí)際上MOS并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng),分布電感電容加大,對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面4顆說(shuō)明MOS的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下  上圖中,R1-4柵極驅(qū)動(dòng)電阻,每個(gè)MOS都由獨(dú)立
2018-10-12 16:47:54

如何使用電流驅(qū)動(dòng)器BM60059FV-C驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET和IGBT?

驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望,開發(fā)了一種測(cè)試板,其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn),見圖3。      圖3.帶電壓驅(qū)動(dòng)器(頂部)和電流驅(qū)動(dòng)器(底部)的半
2023-02-21 16:36:47

如何讓高壓降壓穩(wěn)壓占用更少的空間

|。電信廠商傾向于采用兩級(jí)設(shè)計(jì)產(chǎn)生負(fù)電壓軌用于氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)驅(qū)動(dòng)器。第一級(jí)將輸入電壓(通常48-65V)降至12V,然后是產(chǎn)生-6.5V的第二級(jí)。通過(guò)使用如安森美半導(dǎo)體
2020-10-27 09:33:19

實(shí)現(xiàn)隔離式半柵極驅(qū)動(dòng)器

)的柵極,由此來(lái)控制輸出功率。驅(qū)動(dòng)器必須具備低輸出阻抗減少傳導(dǎo)損耗,同時(shí)還須具有快速開關(guān)能力減少開關(guān)損耗。出于精度和效率的考慮,高端和低端驅(qū)動(dòng)器需要具備高度匹配的時(shí)序特性,以便減少在半的第一個(gè)開關(guān)
2018-10-23 11:49:22

實(shí)現(xiàn)隔離式半柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

和下橋臂驅(qū)動(dòng)器需要高度匹配的時(shí)序特性實(shí)現(xiàn)精確高效開關(guān)操作。這減少了半關(guān)斷和開通之間的死區(qū)時(shí)間。實(shí)現(xiàn)隔離式半柵極驅(qū)動(dòng)功能的典型方法是使用光耦合進(jìn)行隔離,后跟高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC,如圖1所示。該電路
2018-10-16 16:00:23

實(shí)現(xiàn)隔離式半柵極驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)途徑

輸出功率。驅(qū)動(dòng)器必須具備低輸出阻抗減少傳導(dǎo)損耗,同時(shí)還須具有快速開關(guān)能力減少開關(guān)損耗。出于精度和效率的考慮,高端和低端驅(qū)動(dòng)器需要具備高度匹配的時(shí)序特性,以便減少在半的第一個(gè)開關(guān)關(guān)閉,第二個(gè)開關(guān)
2018-09-26 09:57:10

揭秘MOSMOS驅(qū)動(dòng)電路之間的聯(lián)系

或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比Vcc大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS。  上邊說(shuō)的4V或10V
2018-12-03 14:43:36

無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器哪些功能

驅(qū)動(dòng)器是由功率電子器件和集成電路等構(gòu)成,那么它的功能是什么呢?下面由博英特技術(shù)人員大家介紹:    1、接受速度指令和速度反饋信號(hào),用來(lái)控制和調(diào)整轉(zhuǎn)速;    2、接受電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)、停止、制動(dòng)信號(hào),
2016-06-03 14:07:36

有源和無(wú)的區(qū)別是什么?

1、逆變器的概念:有源和無(wú)的區(qū)別是什么?當(dāng)交流側(cè)接在點(diǎn)網(wǎng)上,即交流側(cè)接有電源時(shí),稱為有源;當(dāng)交流側(cè)直接和負(fù)載連接時(shí),成為無(wú)。2、電池變流器(或電池逆變器)的功能,應(yīng)用領(lǐng)域
2021-11-17 07:44:19

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么,為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器

的。圖6顯示了電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中常用的半拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),給定時(shí)間只有一個(gè)開關(guān)導(dǎo)通。在高功率側(cè),低端晶體Q2 的極接地。Q2 的柵電壓(VGSQ2)因此直接基準(zhǔn),驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單。高端晶體Q1
2021-07-09 07:00:00

步進(jìn)電機(jī)H驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

,也就是說(shuō)繞組有時(shí)需正向電流,有時(shí)需反向電流,這樣繞組電源需用H驅(qū)動(dòng).本文兩相混合式步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器來(lái)設(shè)計(jì)H驅(qū)動(dòng)電路.1 電路原理    圖1給出
2008-10-21 00:50:02

淺析MOS串聯(lián)并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

,實(shí)際上MOS并聯(lián)多了容易引起走線很長(zhǎng),分布電感電容加大,對(duì)于高頻電路工作產(chǎn)生不利的影響。下面4顆說(shuō)明MOS的應(yīng)用。并聯(lián)的一般電路圖如下  上圖中,R1-4柵極驅(qū)動(dòng)電阻,每個(gè)MOS都由獨(dú)立
2018-11-28 12:08:27

淺析MOS的電壓特性

特性對(duì)開關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)至關(guān)重要,下面就對(duì)MOS特性做一個(gè)簡(jiǎn)要的分析。  一、MOS的電壓特性,在MOS之間的施加電壓在多數(shù)情況下不能超過(guò)20V,在實(shí)際應(yīng)用中功率MOS的柵極電壓一般被控
2018-10-19 16:21:14

淺析MOS門極驅(qū)動(dòng)電路背后的秘密

  (1)直接驅(qū)動(dòng)  電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩,一般10ohm到100ohm,R2是關(guān)斷時(shí)提供放電回路的;穩(wěn)壓二極D1和D2是保護(hù)MOS的門]極和極;二極D3是加速MOS的關(guān)斷
2018-12-24 14:39:02

電壓型單相全變電路的工作原理是什么?有何特性

基于Matlab/Simulink 的電壓型單相全變電路【摘要】學(xué)習(xí)電壓型單相全變電路的工作原理,了解單電壓型相全電路的工作特性。直流、交流電功率變換稱為,了解直流、交流電功率交換
2021-07-08 09:10:06

電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOSH的原理

電機(jī)驅(qū)動(dòng)-MOSH原理H電路的主要目的是提供大電流的回路,用來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的。常用H 電路來(lái)控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn)。下圖就是一種簡(jiǎn)單的H 電路,它由2 個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)Q1、Q2 與2 個(gè)N 型
2016-01-12 17:18:51

電機(jī)控制中的IGBT應(yīng)力問題

推薦課程:張飛軟硬開源:基于STM32的BLDC直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器(視頻+硬件)http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd 三相中IGBT應(yīng)力偏高出現(xiàn)在兩種時(shí)刻
2019-05-02 12:59:20

等離子消融手術(shù)系統(tǒng)的全輸出電路設(shè)計(jì)方案

為了提高等離子消融手術(shù)系統(tǒng)的頻率輸出,提出一種新型的全拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。應(yīng)用LCR諧振原理,對(duì)傳統(tǒng)的全拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),當(dāng)諧振電路工作在恰當(dāng)?shù)膮^(qū)域可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)的零電壓的開通和近似零電壓的關(guān)斷,能
2023-09-20 07:38:22

自己搭建MOS電路的半驅(qū)動(dòng)器

有大神知道不用集成芯片搭建半驅(qū)動(dòng)器的套路嗎?最近看電瓶車控制里的驅(qū)動(dòng)模塊沒有類似半驅(qū)動(dòng)器的芯片,應(yīng)該是自己搭建的,網(wǎng)上看了看也沒有類似的東西,來(lái)請(qǐng)教一下
2017-01-14 18:03:50

詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路

驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS。上邊說(shuō)的4V或10V是常用的MOS的導(dǎo)通電壓,設(shè)計(jì)時(shí)當(dāng)然需要有一定的余量。而且電壓越高,導(dǎo)通速度越快,導(dǎo)
2017-08-15 21:05:01

詳解MOS驅(qū)動(dòng)電路

極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)MOS導(dǎo)通時(shí)極電壓和漏極電壓(Vcc)相同,所以這是柵極電壓要比Vcc大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比Vcc大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成
2017-12-05 09:32:00

詳解:三相直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器硬件原理圖

三相電路三相電路采用IR2101S加MOS驅(qū)動(dòng)方式。IR2101S本身是半驅(qū)動(dòng),采用上跟下橋驅(qū)動(dòng)方式,也就是一路驅(qū)動(dòng)需要1個(gè)IR2101S和2個(gè)MOS,總共3路。所以電機(jī)驅(qū)動(dòng)很大
2019-10-15 16:30:07

資料下載:?jiǎn)蜗?b class="flag-6" style="color: red">橋式全控整流與有源變電路的MATLAB仿真設(shè)計(jì)

單相式全控整流及有源變電路的MATLAB 仿真圖1 單相式全控整流知識(shí)點(diǎn)回顧:整流(AC/DC)就是將交流變化為方向不變,大小紋波的直流,相信大家都很清楚,這里就不詳細(xì)介紹整流啦!
2021-07-06 07:08:45

高壓降壓穩(wěn)壓,功能更多占用空間更少

|。電信廠商傾向于采用兩級(jí)設(shè)計(jì)產(chǎn)生負(fù)電壓軌用于氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)驅(qū)動(dòng)器。第一級(jí)將輸入電壓(通常48-65V)降至12V,然后是產(chǎn)生-6.5V的第二級(jí)。通過(guò)使用如安森美半導(dǎo)體
2018-10-31 09:25:40

高端驅(qū)動(dòng)MOS

,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。  很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵,要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容,得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS。  MOS是電壓驅(qū)動(dòng),按理說(shuō)只要柵極電壓到...
2021-10-29 08:34:24

高頻推挽車載開關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)分析

的DC-DC變換,并采用AP法設(shè)計(jì)相應(yīng)的推挽變壓。  1推挽的工作原理  圖1給出了推挽-高頻變壓-全整流DC-DC變換的基本電路拓?fù)洹Mㄟ^(guò)控制兩個(gè)開關(guān)S1和S2相同的開關(guān)頻率交替導(dǎo)通,且
2018-10-10 17:00:06

加閉環(huán)后的效果

游泳的鳥兒發(fā)布于 2023-05-07 08:09:34

已全部加載完成

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