什么是EEPROM?

　　EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory），電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

　　由于EPROM操作的不便，后來出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦除可編程ROM）。EEPROM的擦除不需要借助于其它設(shè)備，它是以電子信號來修改其內(nèi)容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。

　　EEPROM在寫入數(shù)據(jù)時，仍要利用一定的編程電壓，此時，只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內(nèi)容，所以，它屬于雙電壓芯片。借助于EEPROM芯片的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級時，把跳線開關(guān)打至“on”的位置，即給芯片加上相應(yīng)的編程電壓，就可以方便地升級；平時使用時，則把跳線開關(guān)打至“off”的位置，防止CIH類的病毒對BIOS芯片的非法修改。所以，至今仍有不少主板采用EEPROM作為BIOS芯片并作為自己主板的一大特色。

　　EEPROM相關(guān)專業(yè)術(shù)語：

　　1.electrically erasable programmable read only memory（EEPROM）電氣可拭除可編程只讀存儲器

　　2.memory， electrically erasable programmable read only（EEPROM）電氣拭除式可編程只讀存儲器

　　什么是Flash?

　　Flash是由macromedia公司推出的交互式矢量圖和 Web 動畫的標(biāo)準(zhǔn)，由Adobe公司收購。做Flash動畫的人被稱之為閃客。網(wǎng)頁設(shè)計者使用 Flash 創(chuàng)作出既漂亮又可改變尺寸的導(dǎo)航界面以及其他奇特的效果。Flash的前身是Future Wave公司的Future Splash，是世界上第一個商用的二維矢量動畫軟件，用于設(shè)計和編輯Flash文檔。

　　Flash是一種動畫創(chuàng)作與應(yīng)用程序開發(fā)于一身的創(chuàng)作軟件，到2013年9月2日為止，最新的零售版本為AdobeFlash ProfessionalCC（2013年發(fā)布）。Adobe Flash Professional CC為創(chuàng)建數(shù)字動畫、交互式Web站點、桌面應(yīng)用程序以及手機應(yīng)用程序開發(fā)提供了功能全面的創(chuàng)作和編輯環(huán)境。Flash廣泛用于創(chuàng)建吸引人的應(yīng)用程序，它們包含豐富的視頻、聲音、圖形和動畫。

　　可以在Flash中創(chuàng)建原始內(nèi)容或者從其它Adobe應(yīng)用程序（如Photoshop或illustrator）導(dǎo)入它們，快速設(shè)計簡單的動畫，以及使用Adobe ActionScript 3.0開發(fā)高級的交互式項目。設(shè)計人員和開發(fā)人員可使用它來創(chuàng)建演示文稿、應(yīng)用程序和其它允許用戶交互的內(nèi)容。Flash可以包含簡單的動畫、視頻內(nèi)容、復(fù)雜演示文稿和應(yīng)用Adobe將動畫制作軟件Flash professional CC2015升級并改名為Animate CC 2015.5，從此與Flash技術(shù)劃清界限。

　　eeprom與flash的區(qū)別與優(yōu)缺點

　　掉電需保護且在程序運行過程中需要修改的少量參數(shù)保存在EEPROM中，其擦除次數(shù)較Flash多，F(xiàn)lash用來做程序和一些掉電保護和不需修改的數(shù)據(jù)。

　　Flash memory指的是“閃存”，所謂“閃存”，它也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM的改進產(chǎn)品。它的最大特點是必須按塊（Block）擦除（每個區(qū)塊的大小不定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格），而EEPROM則可以一次只擦除一個字節(jié)（Byte）。目前“閃存”被廣泛用在PC機的主板上，用來保存BIOS程序，便于進行程序的升級。其另外一大應(yīng)用領(lǐng)域是用來作為硬盤的替代品，具有抗震、速度快、無噪聲、耗電低的優(yōu)點，但是將其用來取代RAM就顯得不合適，因為RAM需要能夠按字節(jié)改寫，而Flash ROM做不到。

　　FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。

　　當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH，EEPROM在運行中可以被修改，而FLASH在運行時不能修改，EEPROM可以存儲一些修改的參數(shù)，F(xiàn)lash中存儲程序代碼和不需修改的數(shù)據(jù)。

　　所謂的Flash是用來形容整個存儲單元的內(nèi)容可以一次性擦除。所以，理論上凡是具備這樣特征的存儲器都可以稱為Flash memory.E2PROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的。現(xiàn)在大家所講的Flash memory實際上分為兩大類，一類是Floating Gate Device， 一類是Charge Trapping Device。這里的分類標(biāo)準(zhǔn)主要是program 與 erase的機制的不同。

　　補充：(E2PROM=EEPROM)

　　一：FLASH和E2PROM

　　1：相同點是兩者都能掉電存儲數(shù)據(jù)

　　2：區(qū)別：

　　1）FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作

　　2）FLASH寫入時間長，EEPROM寫入時間短

　　3）FLASH擦寫次數(shù)少（10000次），EEPROM次數(shù)多（1000000次）

　　4）FLASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，成本低，EEPROM工藝復(fù)雜，成本高

　　二：單片機的數(shù)據(jù)存儲器不能用FLASH，因為：

　　1:FLASH有一定的擦除、寫入次數(shù)，一般的單片機的FLASH擦除寫入次數(shù)的標(biāo)稱值是10000次。

　　2:FLASH寫入數(shù)據(jù)需要比較長的時間，大約需要4-6ms.而且寫FLASH需要加上9V的高壓，麻煩。

　　三：至于E2PROM，可以作為數(shù)據(jù)存儲器，但是單片機如atmega128一般用RAM作為數(shù)據(jù)存儲器，因為E2PRM工藝復(fù)雜，成本高，適合于存儲掉電保護的數(shù)據(jù)，而這類數(shù)據(jù)往往不需要存儲太多。所以一般的單片機都沒在內(nèi)部集成E2PROM，需要的時候，可以讓單片機外掛24C01一類的串行E2PROM.