eeprom

　　EEPROM，電可擦可編程只讀存儲器--一種掉電后數據不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或專用設備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

　　EEPROM（帶電可擦寫可編程讀寫存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器EEPROM（ROM），其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM中，當計算機在使用的時候可頻繁地反復編程，因此EEPROM的壽命是一個很重要的設計考慮參數。EEPROM是一種特殊形式的閃存，其應用通常是個人電腦中的電壓來擦寫和重編程。

　　EEPROM，一般用于即插即用（Plug & Play）。常用在接口卡中，用來存放硬件設置數據。也常用在防止軟件非法拷貝的“硬件鎖”上面。

　　flash

　　　　FLASH 存儲器又稱閃存，根據內部架構和實現技術可以分為AND ， NAND ， NO R ， NiNOR 等等，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM 的優勢）。

　　與其他存儲介質相比 ， Flash存儲器具有如下優點：

　　1、與低讀、寫延遲和包含機械部件的磁盤相比， Flash存儲器的讀 、寫延遲較低 ;

　　2、統一的讀性能 ，尋道和旋轉延遲的消除使得隨機讀性能與順序讀性能幾乎一致;

　　3、低能耗 ，能量消耗顯著低于RAM 和磁盤存儲器;

　　4、高可靠性，MTBF（mean time between failures）比磁盤高一個數量級;

　　5、能適應惡劣環境 ，包括高溫、劇烈震動等。

　　flash和eeprom區別和關系

　　單片機運行時的數據都存在于RAM（隨機存儲器）中，在掉電后RAM 中的數據是無法保留的，那么怎樣使數據在掉電后不丟失呢？這就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存儲器來實現。在傳統的單片機系統中，一般是在片外擴展存儲器，單片機與存儲器之間通過IIC 或SPI 等接口來進行數據通信。這樣不光會增加開發成本，同時在程序開發上也要花更多的心思。

　　在STC 單片機中內置了EEPROM（其實是采用IAP 技術讀寫內部FLASH 來實現EEPROM），這樣就節省了片外資源，使用起來也更加方便。下面就詳細介紹STC 單片機內置EEPROM 及其使用方法。

　　flash是用來放程序的，可以稱之為程序存儲器，可以擦出寫入但是基本都是整個扇區進行的。一般來說 單片機里的flash都用于存放運行代碼，在運行過程中不能改；EEPROM是用來保存用戶數據，運行過程中可以改變，比如一個時鐘的鬧鈴時間初始化設定為12：00，后來在運行中改為6：00，這是保存在EEPROM里，不怕掉電，就算重新上電也不需要重新調整到6：00。

　　下面是網上詳細的說法，感覺不錯：

　　FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。

　　當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。

　　在芯片的內電路中，FLASH和EEPROM不僅電路不同，地址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結構還是哈佛結構都是這樣。技術上，程序存儲器和非易失數據存儲器都可以只用FALSH結構或EEPROM結構，甚至可以用“變通”的技術手段在程序存儲區模擬“數據存儲區”，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。

　　EEPROM：電可擦除可編程只讀存儲器，Flash的操作特性完全符合EEPROM的定義，屬EEPROM無疑，首款Flash推出時其數據手冊上也清楚的標明是EEPROM，現在的多數Flash手冊上也是這么標明的，二者的關系是“白馬”和“馬”。

　　至于為什么業界要區分二者，主要的原因是 Flash EEPROM的操作方法和傳統EEPROM截然不同，次要的原因是為了語言的簡練，非正式文件和口語中Flash EEPROM就簡稱為Flash，這里要強調的是白馬的“白”屬性而非其“馬”屬性以區別Flash和傳統EEPROM。

　　Flash的特點是結構簡單，同樣工藝和同樣晶元面積下可以得到更高容量且大數據量

　　下的操作速度更快，但缺點是操作過程麻煩，特別是在小數據量反復重寫時，所以在MCU中Flash結構適于不需頻繁改寫的程序存儲器。

　　很多應用中，需要頻繁的改寫某些小量數據且需掉電非易失，傳統結構的EEPROM在此非常適合，所以很多MCU內部設計了兩種EEPROM結構，FLASH的和傳統的以期獲得成本和功能的均衡，這極大的方便了使用者。隨著ISP、IAP的流行，特別是在程序存儲地址空間和數據存儲地址空間重疊的MCU系中，現在越來越多的MCU生產商用支持IAP的程序存儲器來模擬EEPROM對應的數據存儲器，這是低成本下實現非易失數據存儲器的一種變通方法。

　　為在商業宣傳上取得和雙EEPROM工藝的“等效”性，不少采用Flash程序存儲器“模擬”（注意，技術概念上并非真正的模擬）EEPROM數據存儲器的廠家紛紛宣稱其產品是帶EEPROM的，嚴格說，這是非常不嚴謹的，但商人有商人的目的和方法，用Flash“模擬”EEPROM可以獲取更大商業利益，所以在事實上，技術概念混淆的始作俑者正是他們。

　　從成本上講，用Flash“模擬”EEPROM是合算的，反之不會有人干，用EEPROM模擬Flash是怎么回事呢？這可能出在某些程序存儲空間和數據存儲空間連續的MCU上。這類MCU中特別是存儲容量不大的低端MCU依然采用EEPROM作為非易失存儲器，這在成本上反而比采用Flash和傳統EEPROM雙工藝的設計更低，但這種現象僅僅限于小容量前提下。

　　因Flash工藝的流行，現在很多商人和不夠嚴謹的技術人員將程序存儲器稱為Flash，對于那些僅采用傳統EEPROM工藝的MCU而言，他們不求甚解，故而錯誤的將EEPROM程序存儲器稱為“ 模擬Flash”，根本的原因是他們未理解Flash只是一種存儲器結構而非存儲器的用途，錯誤的前提自然導致錯誤的結論。

　　商業上講，用EEPROM模擬 Flash是不會有人真去做的愚蠢行為，這違背商業追求最大利益的原則，技術上也不可行，而對于技術人員而言。本質的問題是Flash是一種存儲器類型而非MCU中的程序存儲器，即使MCU的程序存儲器用的是Flash，但其逆命題不成立