通過對不同器件結構LDMOS的靜電放電防護性能的分析對比，指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結構LDMOS器件在靜電防護方面的優勢。
2011-12-01 11:00:55
9148 
，需要用到低電容ESD靜電保護器件為便攜式電子產品保駕護航。那么，針對便攜式電子產品的靜電防護，該選用什么樣的ESD靜電保護二極管呢？1）結電容要低：在通訊端口靜電防護方案設計中，尤其要關注ESD
2021-07-16 15:53:51
涵蓋：在DRAM、SRAM、CMOS圖像處理芯片、微處理器、模擬產品、射頻模塊中如何集成核心電路、電源總線以及信號引腳，以及這些整合將如何影響ESD的設計與集成。混合電壓、混合信號的架構設計，以便于RF
2013-09-04 09:17:26
靜電保護二極管、瞬態抑制TVS二極管、壓敏電阻等。其中過壓保護器件ESD保護管和TVS管同樣值得關注，要知道，在汽車電子中，所有的電子設備都面臨靜電釋放和汽車拋負載的威脅，故，在汽車電子中，過壓保護不可
2018-10-23 17:15:03
封裝尺寸，以達到在PCB設計上兼具高聚集度及高度彈性的優勢。第二、ESD保護組件接腳本身的寄生電容必須要小，避免訊號受到干擾。例如使用在天線(antenna)的ESD保護組件，必須考慮到天線所使用的頻段
2017-09-08 16:00:20
損害，因此電子產品中的 ESD 保護越來越重要。為幫助讀者清晰了解電子系統的 ESD 保護設計思路和解決方案，針對觸摸屏和指紋識別人機界面、HDMI等高速接口電路等熱點應用的 ESD 保護策略，深圳旭
2013-06-14 16:42:50
靜電放電(ESD， electrostatic discharge )是在電子裝配中電路板與元件損害的一個熟悉而低估的根源。它影響每一個制造商，無任其大小。雖然許多人認為他們是在ESD安全的環境中生
2018-10-11 16:10:23
LDMOS? L DMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體) 結構見圖。 在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。 與晶體管相比，在關鍵
2020-05-24 01:19:16
GaN為5G sub-6GHz大規模MIMO基站應用提供的優勢LDMOS的優勢是什么如何選擇正確的晶體管技術
2021-03-09 07:52:21
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模塊的增益可達60dB左右。這表明對于相同的輸出功率需要更少的器件，從而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
LDMOS晶體管的應用，也使得LDMOS的技術不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數情況下它將取代雙極型晶體管技術。與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型
2019-06-26 07:33:30
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個晶體管？
2023-04-23 09:07:17
。由于數據傳送速度這么高，要求電路板的電容小，確保信號的素質很好，這給電路板的設計帶來了新的挑戰。在解決這個問題，實現可靠的靜電放電(ESD)保護時，這點尤其重要。在HDMI系統設計中增加ESD保護
2019-06-19 05:00:08
ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴重的失效機理之一，嚴重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護結構的設計原理，分析了該結構對版圖的相關要求，重點討論了在I/O電路中ESD保護結構的設計要求。
2021-04-02 06:35:57
的抗ESD設計。在設計過程中,通過預測可以將絕大多數設計修改僅限于增減元器件。通過調整PCB布局布線,能夠很好地防范ESD。以下是一些常見的防范措施。 *盡可能使用多層PCB,相對于雙面PCB而言
2018-09-11 16:05:37
在PCB板的設計當中，有哪些方法可以實現PCB的抗ESD設計？
2021-04-26 06:19:19
我們已經把芯片級的ESD 性能寫入數據手冊多年， 但這些參數僅適用于在芯片焊接到電路板前。那么在電路板上的ESD性能如何呢？
2021-04-09 06:00:54
Infineon的LDMOS功放管憑優良的產品質量性能已廣泛應用在移動通信設備中，在國內外不少知名通信設備生產商的設備中Infineon的功放管都占有一定的份額。 其中，Infineon專門
2019-07-08 08:10:02
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
PCB 設計可以減少故障檢查及返工所帶來的不必要成本。在PCB 設計中，由于采用了瞬態電壓抑止器(TVS)二極管來抑止因ESD 放電產生的直接電荷注入，因此PCB 設計中更重要的是克服放電電流
2012-02-03 14:09:10
TVS在ESD防護中的作用ESD的危害我們都知道，輕則破壞電子產品，重的話會直接損壞甚至毀滅性的。美國的電子工業在ESD方面的損失一年可以達到數十億美元之多。很多電子產品特別是自動化程度高，單鍵
2014-03-31 10:09:02
時還能不受干擾地運作，至于要多低的箝制電壓才夠，則要看系統的噪聲免疫能力而定。ESD保護二極管，是一種有效的防靜電保護器件，在電子行業中，ESD靜電防護的最終目的是：在電子元器件、組件和設備的制造
2020-09-24 16:47:28
USB3.0中ESD應用的五大要素 1、ESD保護組件本身的寄生電容必須小于0.3pF，才不會影響USB3.0高達4.8Gbps的傳輸速率。2、保護組件的ESD耐受能力必須夠高，至少要能承受IEC
2014-01-06 13:33:59
PCB 設計可以減少故障檢查及返工所帶來的不必要成本。在PCB 設計中，由于采用了瞬態電壓抑止器(TVS)二極管來抑止因ESD 放電產生的直接電荷注入，因此PCB 設計中更重要的是克服放電電流
2015-02-03 14:27:03
一塊PCB上有一個功能模塊，需要上拉至VCC連接至第二塊PCB上，但是兩個模塊之間需要焊接一導線。在PCB LAYOUT設計中，為了防止焊接或者其他因素引起的靜電破壞設計，將上拉和ESD管都放在第二
2021-08-11 10:23:54
`ESD靜電二極管簡稱ESD，也叫ESD靜電保護器，是一種過壓、防靜電保護元件，是為高速數據傳輸應用的I/O端口保護設計的器件。ESD保護器件是用來避免電子設備中的敏感電路受到ESD(靜電放電
2018-05-09 09:32:25
應盡量使其平滑。3.3 產品的電路設計 在殼體和PCB的設計中，對ESD問題加以注意之后，ESD還會不可避免地進入到產品的內部電路中，尤其是以下一些端口：USB接口、HDMI接口、IEEE1394
2015-08-06 02:49:47
靜電放電(ESD， electrostatic discharge )是在電子裝配中電路板與元件損害的一個熟悉而低估的根源。它影響每一個制造商，無任其大小。雖然許多人認為他們是在ESD安全的環境中生
2016-07-22 11:26:49
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有優良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56:36
`壓敏電阻相比ESD電容在ESD保護中的優點？可以泄放ESD電壓么？`
2015-12-28 17:41:43
靜電的持續放電會干擾電子設備中的敏感電路，工程師為了確保敏感電路不受靜電放電干擾，設計了多種靜電防護方案。ESD保護在實現上基本有兩種方式：IC內部的保護和IC外部的保護。前者雖然可以增加靠性，而且
2018-01-30 10:18:23
用于現代通信系統中的功率放大器(PA)一般是通過級聯和并聯多個RF晶體管來獲得期望的固態增益和功率。與RF集成電路(RFIC)相比，雖然采用單級分離RF晶體管占用的PCB空間更多，但因具有寬廣
2019-06-25 06:55:46
，結果表明，在保證LDMOS器件參數不變的條件下，采用深阱工藝可使其擊穿電壓提升50%以上。LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor
2019-07-31 07:30:42
，提高了芯片的運算速度。 但是，隨著工藝的進步和尺寸的減小，靜電釋放(ESD)，Elecyro Static Discharge)問題變得日益嚴峻。據統計，在集成電路設計中大約40%的失效電路是ESD問題造成的。如何設計ESD保護電路？這個問題急需解決。
2019-08-07 06:24:17
)不同層的GND之間應有盡可能多的通孔（VIa）相連；(8)在最后的鋪地時應盡量避免尖角，有尖角應盡量使其平滑。3.3 產品的電路設計在殼體和PCB的設計中，對ESD問題加以注意之后，ESD還會不可避免
2018-03-01 12:00:14
不適用。隨著科技電子的發展，特別是消費電子產品，向著多功能、輕薄化發展，使得內部IC尺寸不斷減小，相應ESD防護能力不斷減弱。這時，電子工程師在設計過程中，通常會加入ESD靜電保護器，當下使用率極高的ESD二極管，以此來防護靜電對產品的傷害。ESD靜電二極管規格書下載：?
2022-04-27 16:12:10
相信你就知道ESD是什么了。 一般而言，ESD可能會高達上千伏特，這會對比較敏感的半導體和集成電路造成損害。ESD在集成電路系統中對裸露在外的接口有非常重要的作用，當帶有電荷的物體比如人類靠近或者
2020-10-22 13:31:35
LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在溫度變化時保持恒定的靜態電流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。
2019-08-23 06:38:37
LDMOS 射頻功率技術許可協議。遠創達是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導體公司，專業設計制造射頻功率半導體產品、模塊和子系統集成。導電通道短且擊穿電壓高使LDMOS器件適用于無線通信系統基站射頻
2018-02-28 11:44:56
已有電磁干擾。靜電放電會破壞手機里的電子部件。手機容易替換，但對用戶的傷害很大。手機電路設計者必須確保采取必要的措施，以消除ESD的破壞。 在音頻電路中如有電磁干擾（EMI），會出現嘶嘶、噼啪、嗡嗡
2014-01-27 14:10:58
、低電量、小電流和作用時間短的特點。 人體自身的動作或與其他物體的接觸，分離，摩擦或感應等因素，可以產生幾千伏甚至上萬伏的靜電。靜電在多個領域造成嚴重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業中的兩大危害，常常
2019-03-11 11:22:28
嗨， 我嘗試在Vivado 2013.4中構建我們的設計并構建Xilinx JESD204B設計示例，我收到以下錯誤：錯誤：[Common 17-69]命令失敗：此設計包含不支持比特流生成的內核
2018-12-10 10:39:23
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
一個問題是電池狀況不足。汽車中的電池短路事件發生在車輛中這些裝置的組裝，服務或消費者使用期間。在組裝和維修期間，電池線路斷開或暴露可能會連接到其中一個接口，從而可能對ESD保護裝置造成損壞。在消費者
2018-10-12 11:53:47
作者：Jeremy Correale，安森美半導體目前市場上的多數硅ESD保護解決方案都是面向消費級電子器件設計的，但是ESD威脅也會使汽車電子器件設計師夜不成寐。令汽車電子設計師深感憂慮的不僅是“正常”的ESD狀況，其他汽車特定事件也是讓人寢食難安的一個重要原因，例如電池短路(STB)情況。
2019-07-25 07:32:28
在一天的工作正式開始前，粗略地瀏覽電子郵件，看到一連串報價、樣品、項目和其他要求。對我來說，總是突穎而出的一個要求通常包含“幫助”和“ESD”兩個詞。這特殊的請求是在艱難的時刻產生，然而我忍不住笑了
2018-10-25 09:02:26
技術，可以得到比MOV 更小的元件封裝尺寸?硅基ESD有更低的箝制電壓、更低的漏電以及更快的響應速度?硅基ESD比MOV和PESD 的壽命長，在整個產品有效期內性能也保持的更好日常生活中，ESD
2017-07-31 14:59:33
ESD保護器件。消費者使用過程中發生的電池短路事件的典型例子是，USB電纜掉進車載點煙器插座，把電池線電壓帶進接口線。汽車環境中存在12V電池網絡，這本身就會對車載ESD保護器件造成額外的負擔，因為這些
2018-10-25 08:49:49
狀態機思路在單片機程序設計中的應用
2012-08-17 16:18:45
在測試平板電腦ESD的過程中，我們時常會遇到這樣的現象：平板電腦的放置方式對測試結果會有絕然不同的影響。將平板電腦Panel朝上時，ESD幾槍就會死機；將Panel朝下時，正負電壓各放電幾十次都沒
2014-02-20 11:23:55
ESD、EMI、EMC。。。樓主表示，這一堆的英文縮寫讓樓主曾經頭疼！不過經過認真學習，總算也是都明白了。 ESD、EMI、EMC 設計是電子工程師在設計中遇到常見難題，電磁兼容性（EMC）是指
2016-01-19 09:32:14
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
時，IC 內部更容易受到損害，因此電子產品中的 ESD 保護越來越重要。為幫助讀者清晰了解電子系統的 ESD 保護設計思路和解決方案，針對觸摸屏和指紋識別人機界面、HDMI等高速接口電路等熱點
2013-12-11 15:58:03
大家都知道esd可以起保護作用，但是會加大通訊負擔，影響通訊質量，那么USB設計中ESD到底要還是不要？
2019-03-22 09:51:56
■ 恩智浦半導體 K. Werner，S. Theeuwen，J. de Boet，V. Bloem，W. Sneijers高壓LDMOS是高達3.8GHz的國防和航空電子設備RF功率應用的最佳技術
2019-07-05 07:01:04
ESD設計提出了更高的防護要求。LDMOS是功率IC的常用器件，它與低壓MOSFET一樣存在靜電泄放電流非均勻分布的問題，因而而器件在不做任何改進的情況下，不能充分發揮其靜電防護的潛能，是LDMOS
2016-03-03 17:54:51
微電子技術有限公司開發的BSDOT器件，在相同面積下將LDMOS的靜電防護潛能提高一倍。高壓功率集成電路是半導體產業的一個重要分支，在汽車電子、電源管理、高壓驅動、航天航空、武器裝備里有著廣泛
2016-03-12 14:12:31
微電子技術有限公司開發的BSDOT器件，在相同面積下將LDMOS的靜電防護潛能提高一倍。高壓功率集成電路是半導體產業的一個重要分支，在汽車電子、電源管理、高壓驅動、航天航空、武器裝備里有著廣泛
2016-04-06 09:24:23
本文針對LDMOS 器件在ESD 保護應用中的原理進行了分析，重點討論了設計以及應用過程中如何降低高觸發電壓和有效提高二次擊穿電流，結合實際工藝對器件進行參數優化，得到了
2009-12-14 09:48:51
35 飛思卡爾為L波段雷達應用推出LDMOS
一直致力于突破高功率射頻（RF）技術的飛思卡爾半導體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應用的
2008-06-07 23:56:39807 本內容詳細介紹了 LDMOS 功放溫度特性及溫補電路設計
2011-08-18 17:29:2762 LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電話技術開發的
2011-12-01 10:50:569026 
與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB
2011-12-01 11:21:093662 場板是高壓LDMOS中普遍使用的一種結終端技術，對單階梯LDMOS場板的長度、其下方氧化 厚度以及場氧侵蝕厚度等參數進行了模擬和分析， 在此基礎上設計了一種新型體硅雙階梯場板LDM
2011-12-01 14:08:1039 提出了具有n 埋層PSOI(部分SOI) 結構的射頻功率LDMOS 器件. 射頻功率LDMOS 的寄生電容直接影響器件的輸出特性. 具有n 埋層結構的PSOI 射頻LDMOS ,其Ⅰ層下的耗盡層寬度增大,輸出電容減小,漏
2011-12-01 14:13:4336 分析了LDMOS(lateral DMOS) 在一次雪崩擊穿后的局部電熱效應. 提出并證明了等溫分析和電熱分析分別得到的LDMOS 的觸發點是不同的;分析了局部晶格溫度在空間上的分布特點;并提出晶格溫度
2011-12-01 14:15:0222 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。
2013-06-21 11:09:261535 一種超低比導通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:034 LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，橫向擴散金屬氧化物半導體）以其高功率增益、高效率及低成本等優點，被廣泛應用
2017-10-13 10:59:179 LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電話技術開發的，蜂窩通信市場的不斷增長保證
2017-12-08 20:01:0963322 
如果把靜電當做突如其來的洪水，那ESD整改的基本思路可以概括為三字“堵”“防”“疏”。?“堵”顧名思義就是把ESD堵在產品的外面，使之不能進入到產品的PCB上，例如：將金屬外殼的地與PCB的地完全
2019-01-26 16:18:36884 提出了一種具有深阱結構的RF LDMOS，該結構改善了表面電場分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過silvaco器件模擬軟件對該結構進行驗證，并對器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長進行優化，結果表明
2020-09-25 10:44:000 采用吉時利直流參數測試系統并配合高壓測試探針對制備的LDMOS器件進行在片測試。利用光學顯微鏡觀察器件的具體結構，并用探針給相應的電極加電，只使用探針向器件柵、漏極加電，而源極直接通過襯底與金屬吸盤接地。
2021-06-07 11:15:42174 目前主流的ESD-NMOS有兩大設計思路：GGNMOS（Gate Ground NMOS），GCNMOS（Gate Couple NMOS）。
2023-05-16 16:44:468941 
好像任何一個行業的EMC都離不開ESD測試， ESD問題排查中，最重要最難的無疑是靜電路徑問題了。 本次就和大伙稍微探討下ESD電流路徑的分析，哪怕在為大家排查靜電問題的時候提供一絲絲有益的思路，我就覺得沒有白寫。
2023-10-17 15:55:47669 
ESD靜電整改有什么基本思路？|深圳比創達電子EMC
2023-11-02 10:08:46323
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