引言

　　隨著技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)電子設(shè)備已成為我們生活和文化的重要組成部分。平板電腦和智能手機(jī)觸摸技術(shù)的應(yīng)用，讓我們能夠與這些設(shè)備進(jìn)行更多的互動(dòng)。它構(gòu)成了一個(gè)完整的靜電放電 （ESD） 危險(xiǎn)環(huán)境，即人體皮膚對(duì)設(shè)備產(chǎn)生的靜電放電。例如，在使用消費(fèi)類電子設(shè)備時(shí)，在用戶手指和平板電腦 USB 或者 HDMI 接口之間會(huì)發(fā)生 ESD，從而對(duì)平板電腦產(chǎn)生不可逆的損壞，例如：峰值待機(jī)電流或者永久性系統(tǒng)失效。

　　本文將為您解釋系統(tǒng)級(jí) ESD 現(xiàn)象和器件級(jí) ESD 現(xiàn)象之間的差異，并向您介紹一些提供 ESD 事件保護(hù)的系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)方法。

　　系統(tǒng)級(jí)ESD保護(hù)與器件級(jí)ESD保護(hù)的對(duì)比

　　IC 的 ESD 損壞可發(fā)生在任何時(shí)候，從裝配到板級(jí)焊接，再到終端用戶人機(jī)互動(dòng)。ESD 相關(guān)損壞最早可追溯到半導(dǎo)體發(fā)展之初，但在 20 世紀(jì) 70 年代微芯片和薄柵氧化 FET 應(yīng)用于高集成 IC 以后，它才成為一個(gè)普遍的問(wèn)題。所有 IC 都有一些嵌入式器件級(jí) ESD 結(jié)構(gòu)，用于在制造階段保護(hù) IC 免受 ESD 事件的損壞。這些事件可由三個(gè)不同的器件級(jí)模型進(jìn)行模擬：人體模型 （HBM）、機(jī)器模型 （MM） 和帶電器件模型 （CDM）。HBM 用于模擬用戶操作引起的 ESD 事件，MM 用于模擬自動(dòng)操作引起的 ESD 事件，而 CDM 則模擬產(chǎn)品充電/放電所引起的 ESD 事件。這些模型都用于制造環(huán)境下的測(cè)試。在這種環(huán)境下，裝配、最終測(cè)試和板級(jí)焊接工作均在受控 ESD 環(huán)境下完成，從而減小暴露器件所承受的 ESD 應(yīng)力。在制造環(huán)境下，IC 一般僅能承受 2-kV HBM 的 ESD 電擊，而最近出臺(tái)的小型器件靜電規(guī)定更是低至 500V。

　　盡管在廠房受控 ESD 環(huán)境下器件級(jí)模型通常已足夠，但在系統(tǒng)級(jí)測(cè)試中它們卻差得很遠(yuǎn)。在終端用戶環(huán)境下，電壓和電流的ESD電擊強(qiáng)度要高得多。因此，工業(yè)環(huán)境使用另一種方法進(jìn)行系統(tǒng)級(jí) ESD 測(cè)試，其由 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)定義。器件級(jí) HBM、MM和CDM 測(cè)試的目的都是保證 IC 在制造過(guò)程中不受損壞；IEC 61000-4-2規(guī)定的系統(tǒng)級(jí)測(cè)試用于模擬現(xiàn)實(shí)世界中的終端用戶ESD事件。

　　IEC 規(guī)定了兩種系統(tǒng)級(jí)測(cè)試：接觸放電和非接觸放電。使用接觸放電方法時(shí)，測(cè)試模擬器電極與受測(cè)器件 （DUT） 保持接觸。非接觸放電時(shí)，模擬器的帶電電極靠近 DUT，同 DUT 之間產(chǎn)生的火花促使放電。

　　表 1 列出了 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的每種方法的測(cè)試級(jí)別范圍。請(qǐng)注意，兩種方法的每種測(cè)試級(jí)別的放電強(qiáng)度并不相同。我們通常在4級(jí)（每種方法的最高官方標(biāo)稱級(jí)別）以上對(duì)應(yīng)力水平進(jìn)行逐級(jí)測(cè)試，直到發(fā)生故障點(diǎn)為止。

　　表 1 接觸放電和非接觸放電方法的測(cè)試電平

??????? 器件級(jí)模型和系統(tǒng)級(jí)模型有一些明顯的區(qū)別，表 2 列出了這些區(qū)別。表 2 中最后三個(gè)參數(shù)（電流、上升時(shí)間和電擊次數(shù)）需特別注意：

　　l 電流差對(duì)于 ESD 敏感型器件是否能夠承受一次 ESD 事件至關(guān)重要。由于強(qiáng)電流可引起結(jié)點(diǎn)損壞和柵氧化損壞，8-kV HBM 保護(hù)芯片（峰值電流5.33A）可能會(huì)因 2-kV IEC 模型電擊（峰值電流 7.5A）而損壞。因此，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員不能把 HBM 額定值同 IEC 模型額定值混淆，這一點(diǎn)極為重要。

　　l 另一個(gè)差異存在于電壓尖峰上升時(shí)間。HBM 的規(guī)定上升時(shí)間為 25ns。IEC 模型脈沖上升時(shí)間小于 1ns，其在最初 3ns 消耗掉大部分能量。如果 HBM 額定的器件需 25ns 來(lái)做出響應(yīng)，則在其保護(hù)電路激活以前器件就已被損壞。

　　l 兩種模型在測(cè)試期間所用的電擊次數(shù)不同。HBM僅要求測(cè)試一次正電擊和一次負(fù)電擊，而 IEC 模型卻要求 10 次正電擊和 10 次負(fù)電擊。可能出現(xiàn)的情況是，器件能夠承受第一次電擊，但由于初次電擊帶來(lái)的損壞仍然存在，其會(huì)在后續(xù)電擊中失效。圖 1 顯示了 CDM、HBM 和 IEC 模型的 ESD 波形舉例。很明顯，相比所有器件級(jí)模型的脈沖，IEC 模型的脈沖攜帶了更多的能量。

　　表 2 器件級(jí)模型與 IEC 系統(tǒng)級(jí)模型比較

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　　圖 1 器件級(jí)和 IEC 模型的 ESD 波形

　　TVS 如何保護(hù)系統(tǒng)免受 ESD 事件的損害

　　與 ESD 保護(hù)集成結(jié)構(gòu)不同，IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模型通常會(huì)使用離散式獨(dú)立瞬態(tài)電壓抑制二極管，也即瞬態(tài)電壓抑制器 （TVS）。相比電源管理或者微控制器單元中集成的 ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)，獨(dú)立 TVS 成本更低，并且可以靠近系統(tǒng) I/O 連接器放置，如圖 2 所示。

　　圖 2 系統(tǒng)級(jí) TVS 布局

　　共有兩種 TVS：雙向和單向（參見(jiàn)圖 3）。TI TPD1E10B06 便是一個(gè)雙向 TVS例子，它可以放置在一條通用數(shù)據(jù)線路上，用于系統(tǒng)級(jí) ESD 保護(hù)。正常工作狀態(tài)下，雙向和單向 TVS 都為一個(gè)開(kāi)路，并在 ESD 事件發(fā)生時(shí)接地。在雙向 TVS 情況下，只要 D1 和 D2 都不進(jìn)入其擊穿區(qū)域，I/O 線路電壓信號(hào)會(huì)在接地電壓上下擺動(dòng)。當(dāng) ESD 電擊（正或者負(fù)）擊中 I/O 線路時(shí)，一個(gè)二極管變?yōu)檎蚱茫硪粋€(gè)擊穿，從而形成一條通路，ESD 能量立即沿這條通路接地。在單向 TVS 情況下，只要 D2 和 Z1 都不進(jìn)入其擊穿區(qū)域，則電壓信號(hào)會(huì)在接地電壓以上擺動(dòng)。當(dāng)正ESD電擊擊中I/O線路時(shí)，D1變?yōu)檎蚱茫鳽1 先于 D2 進(jìn)入其擊穿區(qū)域；通過(guò) D1 和 Z1 形成一條接地通路，從而讓 ESD 能量得到耗散。當(dāng)發(fā)生負(fù) ESD 事件時(shí)，D2 變?yōu)檎蚱茫珽SD能量通過(guò) D2接地通路得到耗散。由于 D1 和 D2 尺寸可以更小、寄生電容更少，單向二極管可用于許多高速應(yīng)用；D1 和 D2 可以“隱藏”更大的齊納二極管 Z1（大尺寸的原因是處理?yè)舸﹨^(qū)域更多的電流）。

　　圖 3 雙向和單向 TVS