EMC問題常常是制約中國電子產(chǎn)品出口的一個原因，本文主要論述EMI的來源及一些非常具體的抑制方法。

　　電磁兼容性（EMC）是指“一種器件、設備或系統(tǒng)的性能，它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時不會對此環(huán)境中任何其他設備產(chǎn)生強烈電磁干擾 （IEEE C63.12-1987）。”對于無線收發(fā)設備來說，采用非連續(xù)頻譜可部分實現(xiàn)EMC性能，但是很多有關的例子也表明EMC并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測試設備之間、打印機和臺式電腦之間以及蜂窩電話和醫(yī)療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱為電磁干擾（EMI）。

　　EMC問題來源

　　所有電器和電子設備工作時都會有間歇或連續(xù)性電壓電流變化，有時變化速率還相當快，這樣會導致在不同頻率內(nèi)或一個頻帶間產(chǎn)生電磁能量，而相應的電路則會將這種能量發(fā)射到周圍的環(huán)境中。

　　EMI有兩條途徑離開或進入一個電路：輻射和傳導。信號輻射是通過外殼的縫、槽、開孔或其他缺口泄漏出去；而信號傳導則通過耦合到電源、信號和控制線上離開外殼，在開放的空間中自由輻射，從而產(chǎn)生干擾。

　　很多EMI抑制都采用外殼屏蔽和縫隙屏蔽結合的方式來實現(xiàn)，大多數(shù)時候下面這些簡單原則可以有助于實現(xiàn)EMI屏蔽：從源頭處降低干擾；通過屏蔽、過濾或接地將干擾產(chǎn)生電路隔離以及增強敏感電路的抗干擾能力等。EMI抑制性、隔離性和低敏感性應該作為所有電路設計人員的目標，這些性能在設計階段的早期就應完成。

　　對設計工程師而言，采用屏蔽材料是一種有效降低EMI的方法。如今已有多種外殼屏蔽材料得到廣泛使用，從金屬罐、薄金屬片和箔帶到在導電織物或卷帶上噴射涂層及鍍層（如導電漆及鋅線噴涂等）。無論是金屬還是涂有導電層的塑料，一旦設計人員確定作為外殼材料之后，就可著手開始選擇襯墊。

　　金屬屏蔽效率

　　可用屏蔽效率（SE）對屏蔽罩的適用性進行評估，其單位是分貝，計算公式為：

　　SEdB=A+R+B

　　其中 A：吸收損耗（dB） R：反射損耗（dB） B：校正因子（dB）（適用于薄屏蔽罩內(nèi)存在多個反射的情況）

　　一個簡單的屏蔽罩會使所產(chǎn)生的電磁場強度降至最初的十分之一，即SE等于20dB；而有些場合可能會要求將場強降至為最初的十萬分之一，即SE要等于100dB。

　　吸收損耗是指電磁波穿過屏蔽罩時能量損耗的數(shù)量，吸收損耗計算式為：

　　AdB=1.314（f×σ×μ）1/2×t

　　其中 f：頻率（MHz） μ：銅的導磁率 σ：銅的導電率 t：屏蔽罩厚度

　　反射損耗（近場）的大小取決于電磁波產(chǎn)生源的性質(zhì)以及與波源的距離。對于桿狀或直線形發(fā)射天線而言，離波源越近波阻越高，然后隨著與波源距離的增加而下降，但平面波阻則無變化（恒為377）。

　　相反，如果波源是一個小型線圈，則此時將以磁場為主，離波源越近波阻越低。波阻隨著與波源距離的增加而增加，但當距離超過波長的六分之一時，波阻不再變化，恒定在377處。

　　反射損耗隨波阻與屏蔽阻抗的比率變化，因此它不僅取決于波的類型，而且取決于屏蔽罩與波源之間的距離。這種情況適用于小型帶屏蔽的設備。

　　近場反射損耗可按下式計算：

　　R（電）dB=321.8-（20×lg r）-（30×lg f）-［10×lg（μ/σ）］

　　R（磁）dB=14.6+（20×lg r）+（10×lg f）+［10×lg（μ/σ）］

　　其中 r：波源與屏蔽之間的距離。

　　SE算式最后一項是校正因子B，其計算公式為：

　　B=20lg［-exp（-2t/σ）］

　　此式僅適用于近磁場環(huán)境并且吸收損耗小于10dB的情況。由于屏蔽物吸收效率不高，其內(nèi)部的再反射會使穿過屏蔽層另一面的能量增加，所以校正因子是個負數(shù)，表示屏蔽效率的下降情況。