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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMTH6016LSD 60V 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMTH6016LSD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMTH6016LSD
  • 名稱 60V 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH6016LSD 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH6016LSD 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS(ON) ) 并保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    DMTH6016LSD
名稱                    60V 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SO-8


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 7.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.9 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 19.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 864 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快


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DMTH8028LFVWQ
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