這次把 EFT/B 的內容寫完，介紹一下其針對 BMS 的測試方案。低壓端測試前文也說過，在 GB/T 38661-2020 里面是有提過 EFT/B 測試，但是這里其實寫的不清楚，沒有寫具體的測試
2021-02-04 11:49:00
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雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:581784 曲線追蹤儀是一種基礎電子測試設備，通過分析半導體器件（如二極管、晶體管、晶閘管等）的特點，用來執行I-V曲線追蹤。它們通常用于器件可靠性應用中，如故障分析和參數表征。
2021-09-14 10:51:521786 
雙脈沖測試就是給被測器件兩個脈沖作為驅動控制信號，如圖1所示。第一個脈沖相對較寬，以獲得一定的電流。
2021-09-23 14:43:318250 
1. I-V放大器的放大倍數是如何計算的，倍數就等于Rf的值嗎？等同這里的10M？
2. 如果是這樣，那么設計的帶寬范圍很窄了，一般OP的單位增益帶寬是10M的很大了，這樣帶寬幾乎就1HZ了
2023-11-28 06:45:13
150K左右，所以反饋電阻兩端不能并聯較大電容來限制帶寬。嘗試在Rf兩端并聯5pF電容后，整體噪聲是降低了，但是諧波還是比較明顯。I-V轉換電路中，當反饋電阻取值較大(>1Mohm)時，為什么輸出
2018-11-08 09:34:58
電阻兩端不能并聯較大電容來限制帶寬。嘗試在Rf兩端并聯5pF電容后，整體噪聲是降低了，但是諧波還是比較明顯。I-V轉換電路中，當反饋電阻取值較大(>1Mohm)時，為什么輸出電壓中會出現明顯的諧波？該如何消除這些諧波？是不是器件AD8512的電流噪聲引起的？希望高手解答！
2023-11-27 06:10:09
I-V通過249R電阻轉電壓1-5V 的問題？ 將4--20ma電流，通過電阻249歐姆，轉換為1--5V電壓。本案的接法，將249R接在ADG1409模擬切換通道的輸入端，當給通道一
2018-09-10 11:13:57
應變會沿導線產生壓電勢，基板的反復彎曲就會形成脈沖輸出電壓。平行使用大量納米線（如20000根），可以增大功率。此外，還可在基板上縱向整齊排列ZnO納米線或ZnO纖維制造柔性壓電納米發電機。 圖9
2020-08-25 10:59:35
特點在電路應用中尤為突出。與類似的宏觀器件相比，其開關速度更快、功率損耗更低。然而，這也意味著測量此類器件I-V曲線的測試儀器在跟蹤較短反應時間的同時必須對小電流進行測量。 因為納米級測試應用中激勵
2009-10-14 15:58:21
解到我們可以做多種類儀器的自動化測試軟件，便找到納米，希望納米能夠對數字萬用表進行軟件控制并將測試數據進行保存。項目需求1、 軟件實現與泰克數字萬用表進行通信:2、 在0.05s的采樣時間精度下讀取
2020-11-27 19:08:39
顯示、自動保存本地，并可以在系統上實時可視化顯示；3.希望測量數據可通過改變X軸和Y軸內容繪制不同形式的趨勢圖；4.希望可以自動保存測試報告到本地；三、納米解決方案：1、系統名稱：陶瓷材料自動化測試
2019-12-06 11:38:57
`項目背景西安某研究所高功率微波信號由于其脈沖持續時間短，重復頻率較高，且為分析實驗數據，需要對重復頻率信號的波形與數據進行實時采集；為更好的分析實驗現象指導器件調試，需要各個測量通路的時延可以獨立
2020-05-30 11:11:35
的脈沖騎士邊沿時間小于70ps，幅度最高5Vpp，對于半導體測試是不錯的選擇。 圖4：PG-1000脈沖發生器軟件界面截圖SimpleRider PG 設置，窄脈沖10ns @ 3.3V(Reset
2017-09-06 17:43:21
為PASS 或 FAIL，無法提供電特性，以進行更有效的設計變更。TLP裝置則以 PULSE方式量測ESD保護電路，可提供該電路I-V特性曲線；再搭配傳統ESD測試結果，可迅速查知電路的設計弱點，減少
2018-09-04 16:38:04
綜合了如下功能：精密電壓源、高精度 電流源、數字多用表、任意波形發生器、電壓或電流脈沖發生器、電子負載以及觸發控制器 代碼后向兼容2600 系列數字源表，便于更換 TSP Express軟件工具實現快速、便捷的I-V測試 精密定時和信道同步(
2021-12-11 12:39:35
，其次為pFA。eFA通常為非破壞性的，包括I-V Curve測試，Bitmap，失效定位(Thermal/EMMI/OBIRCH)。pFA通常為破壞性的，包括wire cutting
2016-07-22 12:49:00
labview measure I-V是自帶的嗎？為什么我在文件夾里找不到？
2015-12-14 10:18:24
電納米發電機。一般被應用在生物醫學，軍事，無線通信，無線傳感。【測試難點】由于納米發電自身的技術特點，在研究過程中需要測試單位面積機械能產生的電能，測試產生的電壓，微小的電流及功率信號，電壓基本在幾伏甚至幾十伏，而電流一般都是uA甚至nA級別，功率在mW甚至uW級別。如何精確的測試微小電流及功率
2021-06-30 07:24:20
如何進行超快I-V測量？下一代超快I-V測試系統關鍵的技術挑戰有哪些?
2021-04-15 06:33:03
儀器 全國上門回收售出儀器均可免費保修3個月-12個月不等Keithley 2635A 數字源表提供高速的源--測量能力，加上先進的自動控制特性和省時的軟件工具，使其成為對多數器件進行I-V測試的理想
2021-11-19 11:58:20
-------------------------------------√2600A系列數字源表是吉時利新的I-V源測量儀器，可用作臺式I-V特征分析工具或√者構成多通道I-V測試系統的組成模塊。作為臺式儀器使用時，2600A系列儀器提供了√一個嵌入式
2018-11-09 11:30:30
光電測試技術分析有源的光電器件是一個基本的半導體結，為了更全面的測試，不僅要求對其做正向的I-V特性測試，也要求監測反向的I-V特性。傳統的激光二極管電流驅動在實驗室級別是合適的，但是對于開發半導體
2009-12-09 10:47:38
負反饋I-V轉換電路如下圖，運放的輸出要0-3.3V（單片機的輸入電壓），請問我該如何選擇運放？另外就是我這個圖在實際中可行嗎？要不要加什么電阻？反饋電阻和電容又要如何選擇呢？如何實現0-3.3V的輸出呢？新手上路 求詳細一點的解答 太感謝了！！！！
2023-11-20 06:23:44
前言雷達的微波射頻系統主要包括混頻器、濾波器、放大器、天線等部分。其中放大器、混頻器、T/R組件為脈沖器件測試的主要對象。這些關鍵部件會對雷達的脈沖調制信號造成影響，典型的信號惡化包含：信號過沖、定
2019-06-04 07:26:29
我的程序是基于labview的I-V測試系統，利用串口接收數據，怎么將數據中的電流、電壓用I-V曲線波形 顯示出來？？求高手給個例程。
2012-05-31 12:37:48
請各位幫忙編一個基于keithley2400和2700的測I-V程序和利用2400控制直流輸出的程序，謝謝
2016-05-13 23:20:32
設備： DMM7510，Series 2600B SMU太陽能電池測試在有機太陽能電池的表征與測試技術中，I-V測試是最基本、最重要、最直接的測試方式。I-V測試系統，能夠得到器件以下參數：能量轉化效率
2020-05-09 15:22:12
半導體二極管的I-V特性
2019-10-16 17:32:16
曲線比較。C-V 曲線 (準靜態) 詳細說明吉時利KEITHLEY2600B系列源表研究領域：各種器件的I-V功能測試和特征分析，包括：離散和無源元件 –兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅動器頭、金屬
2021-11-20 10:56:56
電阻測量、脈沖式測量、以及微分電導的測量等。 應用納米技術微分電導脈沖式信號源與電阻光電應用脈沖式I-V交流電阻橋的替代器件（與2182A聯合使用）低功率電阻測量鎖定放大器的替代器件（與2182A聯合使用）低噪聲電阻測量`
2019-05-25 10:09:03
，例如霍爾測量、Delta模式電阻測量、脈沖式測量、以及微分電導的測量等。 應用納米技術微分電導脈沖式信號源與電阻光電應用脈沖式I-V交流電阻橋的替代器件（與2182A聯合使用）低功率電阻測量鎖定放大器的替代器件（與2182A聯合使用）低噪聲電阻測量 `
2019-04-29 15:30:22
`吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案半導體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等，是組成集成電路的基礎。 直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
信息和測試數據可選擇 CSV 格式或者 txt 格式導出。 ◆系統可以實現I-V、I-P、I-R、V-P、V-R、R-P、R-t、V/A-t、P-t的圖像。NS-SourceMeter雙通道源表程控軟件
2023-03-10 17:37:05
工廠閑置/倒閉電子儀器，個人處理儀器，歡迎來電. Keithley 2651A與2657A大電流源表單元主要用于對高功率半導體器件進行I-V參數測試和特性分析，應用領域包括高功率器件的研發，可靠性測試
2016-07-20 14:19:44
來電.回收工廠閑置/倒閉電子儀器，個人處理儀器，歡迎來電. Keithley 2651A與2657A大電流源表單元主要用于對高功率半導體器件進行I-V參數測試和特性分析，應用領域包括高功率器件的研發，可靠性
2016-07-27 16:28:56
系列一個緊湊的單元中綜合了如下功能：精密電壓源、高精度 電流源、數字多用表、任意波形發生器、電壓或電流脈沖發生器、電子負載以及觸發控制器 代碼后向兼容2600 系列數字源表，便于更換 TSP Express軟件工具實現快速、便捷的I-V測試 精密定時和信道同步(
2016-07-27 18:35:30
%（Keithley 2611A回收）基本精度V 0.015% 0.015%（Keithley 2611A回收）典型應用 I-V功能測試和特性分析，（Keithley 2611A回收）晶圓級可靠性測試
2022-02-26 11:07:00
-------------------------------------√2600A系列數字源表是吉時利新的I-V源測量儀器，可用作臺式I-V特征分析工具或√者構成多通道I-V測試系統的組成模塊。作為臺式儀器使用時，2600A系列儀器提供了√一個嵌入式
2018-11-18 10:38:08
I-V Curve 電特性量測原理是 ，利用自動曲線追縱儀電特性量測的方式，快速計算阻值，藉此確認各腳位(Pin)關系并實時篩檢出異常(Open / Short)，另可產出曲線圖文件。 提供DC組件
2018-08-24 09:02:36
GaN PA 設計？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個很好的起點。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設計？
2019-07-31 06:44:26
過程都需要進行正確的RF和脈沖測試，包括確定柵介質可靠性、高頻電容值、銅過孔可靠性和RF性能等測試。各種測試方法正在改變I-V特性、RF電容-電壓測試、s參數、NBTI、TDDB、HCI、SILC
2011-09-06 15:51:36
DC 和脈沖電流電壓、電容電壓、電容頻率、驅動電平電容曲線 (DLCP) 和 4 探頭電阻系數。圖 10 顯示了一塊太陽能電池連接到4200-SMU上進行 I-V 測量。四線連接消除了測量電路中的引線
2017-10-11 09:48:34
大家好：我正在使用E5270B儀器對MOS器件進行基本的I-V測量（改變漏極電壓和監測一個柵極電壓下的漏極電流）。與設定合規性不同，我想知道一旦測量的漏極電流值達到特定點，是否有任何方法可以停止測量
2019-08-21 06:06:43
如何利用2420型高電流源表去測量光電池I-V特性？有哪些步驟？
2021-05-11 06:12:00
打算測量1nA~100nA的電流，求I-V轉換電路，以及和電流傳感器的接法，
2015-03-15 22:04:00
脈沖CH基本精度I 0.02% 0.02%基本精度V 0.015% 0.015%典型應用 I-V功能測試和特性分析，晶圓級可靠性測試，測試集成電路如RFIC、ASIC、SOC，測試光電器件如LED
2020-04-08 15:17:52
精確的光伏 I-V 特性分析用于 PV 電池板模塊的 I-V 掃描測試電路
2021-01-21 07:26:08
電子元器件涂層的耐磨性測試是很重要的檢測試驗，Taber5750線性磨耗儀是目前應用非常廣泛的耐磨測試儀，本文講述采用Taber5750線性磨耗儀對高耐磨親水親油易清潔納米涂層的耐磨性進行測試
2017-10-13 16:53:27
源、電壓/電流表、掃描分析儀、函數發生器，為這類測試提供了完美的解決方案。源表還包括可編程負載，可以測量元器件上的I-V特點，從幾μV到3KV，從幾fA到100A。一個很好的插件是IVy應用，可以從
2016-08-18 16:23:38
前者理論是清楚的，但從器件發展到電路，所需的技術仍處于發展之中，要進入到比較普遍的應用估計仍需一二十年的時間。至于納米器件，目前多以原子和分子自組裝技術與微電子超深亞微米加工技術相結合的方法進行
2018-08-24 16:30:27
上的納米FET I-V測量、電容器泄漏測量。實例1：平板顯示器上的OLED像素器件測試在測量平板顯示器上的OLED像素器件的I-V曲線時，通常會通過開關矩陣把SMU連接到LCD探測站上，這時會采用非常長
2020-02-13 10:01:33
的電流(使用安培計)。為了了解太陽能電池向電路提供電流的程度，我們用負載切換法測量了器件的 I-V 特性。一條典型的曲線如圖1所示。圖1。太陽能電池固定照明的 I-V 測量電路示意圖(上圖)和太陽能電池
2022-04-09 13:40:50
、DUT的故障通常通過DC漏電流來判斷 E、通常讀取脈沖時間70%到90%的時間。 使用TLP測試出來的I-V曲線 動態阻抗是ESD保護器件的一個非常重要的參數，動態阻抗越低，表明更多的ESD電流
2023-03-29 10:44:47
1. I-V放大器的放大倍數是如何計算的，倍數就等于Rf的值嗎？等同這里的10M？2. 如果是這樣，那么設計的帶寬范圍很窄了，一般OP的單位增益帶寬是10M的很大了，這樣帶寬幾乎就1HZ了<
2018-11-26 10:02:42
請問一下納米器件有幾安（A）、伏（V）？
2021-05-17 06:33:41
對一大電阻器件施加1V直流電，將通過的電流（大約2mA）經過I-V轉換和放大，采集后用發現信號是這樣對稱的，按道理我的電流是正的信號至少應該恒為正，不知道為什么產生了這樣的結果，求指導。 [img=110,0][/img] 圖1 測試系統圖[img=110,0][/img]圖2 信號圖
2020-05-16 08:52:05
負反饋I-V轉換電路如下圖，運放的輸出要0-3.3V（單片機的輸入電壓），請問我該如何選擇運放？另外就是我這個圖在實際中可行嗎？要不要加什么電阻？反饋電阻和電容又要如何選擇呢？如何實現0-3.3V的輸出呢？新手上路 求詳細一點的解答 太感謝了！！！！
2018-08-18 07:45:11
先進的自動化特性及軟件工具使得吉時利2600系列數字源表系列成為廣泛用于多種器件I-V測試的理想方案。長期回收 吉時利2611A 二手數字源表-二手吉時利2611A吉時利2611型單通道系統源表
2021-06-01 15:32:52
數字源表用于光電I-V測試使用手冊
吉時利數字源表系列是專為緊密結合精密電壓源和電流源以及同時測量（包括源回讀）的測試應用要求開發的。在特性分析過
2010-03-13 09:21:57
19 吉時利宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測試模塊
吉時利儀器公司今日宣布推出了最新的4225-PMU超快I-V測試模塊，進一步豐富了4200-SCS半導體特征分析系統的可選儀器系
2010-02-24 10:12:24809 Ultra-fast I-V tests (pulsed I-V, transient I-V, and pulsed sourcing ) have become increasingly
2011-03-28 17:15:140 脈沖式電測試是一種能夠減少器件總能耗的測量技術。它通過減少焦耳熱效應（例如I2R和V2/R），免對小型納米器件可能造成的損壞。脈沖測試采用足夠高的電源對待測器件（DUT）施加間
2011-04-09 16:05:5044 脈沖式電測試是一種能夠減少器件總能耗的測量技術。它通過減少焦耳熱效應(例如I2R和V2/R)，避免對小型納米器件可能造成的損壞
2011-05-04 09:45:221040 脈沖測試為人們和研究納米材料、納米電子和目前的半導體器件提供了一種重要手段。在加電壓脈沖的同時測量直流電流是電荷泵的基本原理
2011-05-11 11:49:241334 
開發了基于虛擬儀器技術,采用大功率脈沖勵磁電源、高速數據采集卡的納米晶磁環動態參數測試系統。由于脈沖勵磁與標準正弦波勵磁的測試結果存在差異,為得到相當于正弦勵磁下的
2011-05-25 15:12:4637 本文詳細介紹了用4225-PRM遠程放大器_開關模型實現對DC I-V、C-V、脈沖I-V測量的自動轉換。
2017-11-15 15:29:0515 ， LED 照明和顯示 ，半導體器件特性，過載保護測試等等。PL系列脈沖電流源內置18 位高速模數轉換器，使它可以同時獲得高速脈沖電壓和脈沖光功率波形，而不需要額外使用單獨的儀器。PL系列脈沖電流源是一套強大的測試解決方案，可以顯著提高生產力，應用范圍從臺式表測試到高度自動化的脈沖I-V生產測試
2020-10-16 09:45:361193 通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性我們開設了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復特性，并確認 MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0023 半導體分立器件是組成集成電路的基礎，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等。 直流 I-V 測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V
2021-01-14 16:47:24538 納米技術研究與在分子水平上的物質，一個原子一個原子，建立具有根本性的新結構特性。 特別是，納米電子領域正在迅速發展具有廣泛的潛在影響行業。 當今的納米電子學研究包括利用碳納米管，半導體納米線，分子有機電子產品和單電設備。
2021-03-18 15:45:169 電子發燒友網為你提供納米器件的測試工具資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-24 08:44:426 近期有很多用戶在網上咨詢I-V特性測試， I-V特性測試是很多研發型企業和高校研究的對象，分立器件I-V特性測試可以幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數，并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣
2021-05-19 10:50:252042 
I-V測試是二級管測試必不可少的項目。二極管I-V特性分析通常需要高靈敏電流表、電壓表、電壓源和電流源。吉時利源表2450是二極管特性分析的理想選擇，提供四象限精密電壓和電流源/負載，可精確地發起電壓或電流以及同時測量電壓和/或電流，其電壓和電流測量分辨率分別達到10 nV和10 fA。
2021-08-27 15:14:50632 
雙脈沖是分析功率開關器件動態特性的基礎實驗方法，貫穿器件的研發，應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統設計中從容的調試驅動電路，優化動態過程，驗證短路保護。
雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。
2022-08-01 09:08:1110881 
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關器件動態特性的常用測試，通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能，獲得穩態和動態過程中的主要參數，更好的評估器件性能，優化驅動設計等等。
2022-11-04 14:06:272763 器件的I-V功能測試和特征分析是實驗過程中經常需要測試的參數之一，一般我們用到源表進行IV參數的測試，如果需要對測試的數據進行實時IV曲線圖顯示及保存，可以用到源表測試軟件
2023-02-02 10:50:591313 
參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器
件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯以自主研發為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經驗，先后推出了直流源表，脈沖源
2023-02-15 16:11:141 開通特性測試采用雙脈沖測試法。由計算機設定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGS到測試要求值，計算機控制接通開關S1,并控制輸出
2023-02-22 14:43:331 IV曲線測試是一種常用的電源表測試方法，它可以測量電源表的輸出電壓和電流之間的關系，以及電源表的負載特性。在測試測量實驗中，可以借助源表測試軟件來測試I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出等。下面納米軟件Namisoft小編給大家分享一下：用源表測試軟件如何輸出I-V曲線、I-P曲線、恒定輸出。
2023-03-28 16:28:081261 
雙脈沖測試的基本原理是什么？雙脈沖測試可以獲得器件哪些真實參數？ 雙脈沖測試是一種常用的測試方法，用于測量和評估各種器件的性能和特性。它基于一種簡單而有效的原理，通過發送兩個脈沖信號并分析其響應
2024-02-18 09:29:23234
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