日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓模擬開關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:17789 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 Vishay推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001337 `深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30A 30A P溝道 MOS管 30P03，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷30P03 參數(shù)： -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管/場效應(yīng)管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產(chǎn)品●表面安裝包。HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道MOS管
2021-03-11 11:14:52
控制器，開關(guān)頻率為 650kHz。此設(shè)計(jì)通過電阻器和 P 溝道 MOSFET 負(fù)載開關(guān)來限制啟動電流。脈沖負(fù)載表征在 30A 下進(jìn)行 2.5ms。主要特色27W 連續(xù)輸出功率30A 2.5ms 峰值輸出電流通過負(fù)載開關(guān)來限制啟動電流2 層電路板可與外部時(shí)鐘同步
2018-10-26 10:29:50
MOSFET提供高電流時(shí)，它就會變熱。散熱不良也會因極端溫度而損壞MOSFET。電池故障雪崩失敗dV/dt故障電機(jī)阻塞或卡住快速加速或減速功耗過大過電流負(fù)載短路卡有異物主要特點(diǎn)P溝道MOSFET的主要特點(diǎn)包括
2022-09-27 08:00:00
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
并聯(lián)一個(gè)高阻支路，對初級線圈進(jìn)行采樣，同時(shí)提供TOFF期間初級線圈的回路。 -考慮到檢測電壓必須為正，因此有兩種基本形式，如下圖： 檢查輸出信息的方法 ●原邊反饋不能得到所有的輸出信息，但可以得到較多
2018-11-21 16:30:10
這是我關(guān)于開關(guān)電源的斜率補(bǔ)償找的資料，供參考，大家一起研究下。
2016-04-06 10:31:56
反激式轉(zhuǎn)換器。在同步整流器應(yīng)用以及以太網(wǎng)供電（PoE）輸入整流器中，低側(cè)開關(guān)也被用來代替二極管作為整流器。P溝道MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同，N
2021-04-09 09:20:10
出線圈電流，一般再使用其信息。圖4表示使用了這種方法的斜率波形。圖4與“電壓模式”項(xiàng)的圖2相同，Vc > Vslope時(shí)導(dǎo)通高邊開關(guān)進(jìn)行控制。導(dǎo)通時(shí)，會產(chǎn)生符合線圈電流IL的DC成分和Rs積的偏置
2018-12-03 14:32:13
開關(guān)在電流模式控制情況下，占空比大于50%需要增加斜率補(bǔ)償。
2013-06-14 13:36:21
概述：FPF1006是一款負(fù)載管理產(chǎn)品它內(nèi)部采用低導(dǎo)通闡值電壓-Vgs(th)及低導(dǎo)通電阻Rds(on)的P溝道功率MOSFET，并采用導(dǎo)通斜率上升控制，可減小沖擊電流，F(xiàn)PF1006內(nèi)部有75-120Ω下拉電
2021-04-06 09:56:02
輸入電壓和最大負(fù)載電流。負(fù)載開關(guān)的導(dǎo)通電阻是導(dǎo)通FET 的特性，將用于計(jì)算負(fù)載開關(guān)的功耗。導(dǎo)通FET 既可以是N 溝道FET，也可以是P 溝道FET，這將決定負(fù)載開關(guān)的架構(gòu)。2. 柵極驅(qū)動器以控制方式
2016-01-11 16:39:00
微處理器μP）以告知故障的存在。另外還有輸入欠壓鎖存保護(hù)功能。 ②在負(fù)載開關(guān)中增加限流電路。負(fù)載開關(guān)中沒電流檢測及限流輸出電路。它有兩種結(jié)構(gòu)：限制電流值是工廠設(shè)定的；限制電流可由用戶外設(shè)一個(gè)電阻設(shè)定
2011-07-11 11:52:48
采用TOPSwitch的TNY268p控制芯片,當(dāng)負(fù)載加大時(shí)，開關(guān)電源處于工作和不工作的狀態(tài)，反饋5V一會是穩(wěn)住的，一會就直接為0，變壓器原邊繞組和其他路負(fù)載輸出也一樣，而且副邊加的負(fù)載也并不大
2014-01-07 12:55:51
監(jiān)測器原理。圖 2. 高邊電流監(jiān)測器示例。然而，不要因?yàn)榈?b class="flag-6" style="color: red">邊測量電路的簡單性而忽略高邊測量方法的優(yōu)勢。多種故障會避開低邊監(jiān)測器，從而使負(fù)載面臨危險(xiǎn)和未檢測到的情形(圖 3)。注意，能夠檢測通過路徑 A
2020-09-23 09:37:52
本帖最后由 daxinba 于 2021-11-24 22:14 編輯
我設(shè)計(jì)了一個(gè)測試電路，其中有一個(gè)用來驅(qū)動MOS開關(guān)的芯片UCC21530（用于高邊驅(qū)動），兩路輸出都用來作高邊驅(qū)動，接上
2021-11-16 16:06:40
在工業(yè)控制及汽車電子行業(yè)中電磁閥、功率繼電器等帶電感線圈的負(fù)載大量使用。為了安全及便于維修，這類負(fù)載往往一端通過開關(guān)接在電源正極上，一端接在電源負(fù)極上，這種開關(guān)接在負(fù)載高側(cè)，稱之為高側(cè)開關(guān)，如
2022-03-01 22:23:42
導(dǎo)讀：全球第三大可穿戴廠商Fitbit發(fā)布了新款手環(huán)Charge 3，起步價(jià)150美元（約合1025元），加入NFC支付功能的特別版售價(jià)170美元（約合1162元）。
按照Canalys
2018-08-30 09:23:16
MOSFET 晶體管是可以電壓驅(qū)動電流。常用的是N溝道MOSFET，P溝道的制作成本高。簡單功率MOSFET電機(jī)控制器。這是一個(gè)典型的 MOSFET開關(guān)電路。由于電動機(jī)負(fù)載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
鎖定保護(hù)（UVLO）和帶自動重啟功能的過溫保護(hù)（OTP）。
特性
? 無需副邊反饋電路的實(shí)時(shí)電流控制
? 線性和負(fù)載調(diào)整率<2%
? 通用輸入電壓上的高功率因數(shù)(=0.9)
? 臨界導(dǎo)
2023-10-20 15:46:09
最近使用MSP430F2272做一款產(chǎn)品，使用3V紐扣電池供電。里面有一個(gè)P溝道的CMOS管作為開關(guān)，使用IO直接驅(qū)動。但在測試的時(shí)候發(fā)現(xiàn)，CPU會重啟。經(jīng)過排查發(fā)現(xiàn)是IO驅(qū)動COMS管這里
2015-09-14 17:55:23
下運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了高功率因數(shù)并減少功率MOS管開關(guān)損耗。利用美芯晟科技特有的控制技術(shù) ，無需光耦及副邊感應(yīng)器件就可以精確地調(diào)制LED電流。 MT7933 同時(shí)實(shí)現(xiàn)了各種保護(hù)功能，包括過流保護(hù)
2019-08-20 11:46:33
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
的兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導(dǎo)通電阻，這意味著導(dǎo)通功耗會更大。這是選擇時(shí)需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開關(guān)應(yīng)用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
PMOS高邊開關(guān)控制電路如下圖：
輸入側(cè)使用15KW整流模塊，輸出側(cè)固定8歐姆負(fù)載電阻。
整流模塊設(shè)置為40V/5A，模塊空載情況下輸出為100V/0A。此時(shí)PMOS可以正常開關(guān)，波形紅色為VGS
2024-02-05 15:54:27
：2970598138，歡迎索取資料，全程技術(shù)支持。 SM7503P 5V500mA適配器電源管理芯片方案，SM7503P芯片是應(yīng)用于離線式小功率AC/DC開關(guān)電源的高性能原邊反饋控制功率開關(guān)芯片，在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3℅，并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和TL431等元件，降低成本。
2020-01-07 12:12:45
（ON）<6.9mΩ@ VGS =10V這個(gè)裝置是適合用作負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用。◆高功率和電流處理能力[td=372]◆可提供無鉛產(chǎn)品應(yīng)用：PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等◆TO220封裝`
2019-03-13 16:06:37
請問通過u***使labview和電子負(fù)載通訊，能夠?qū)崿F(xiàn)用labview控制電子負(fù)載開關(guān)機(jī)嗎？如果可以，怎樣實(shí)現(xiàn)呢？謝謝！
2013-11-04 10:36:11
不同的應(yīng)用，包括但不限于： ●配電 ●上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換 ●減小待機(jī)模式下的漏電流 ●浪涌電流控制 ●斷電控制 1什么是負(fù)載開關(guān)? 集成負(fù)載開關(guān)是可用于開啟和關(guān)閉...
2021-10-29 08:35:39
低邊和高邊電流監(jiān)測器的架構(gòu)和應(yīng)用是什么
2021-03-11 07:39:28
二極管的方向判斷：它的判斷規(guī)則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。4、簡單的判斷方法上面方法不太好記，一個(gè)簡單的識別方法是：（想像DS邊的三節(jié)斷續(xù)線是連通的）不論N溝道還是P溝道
2019-09-11 07:30:00
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
ZCC2451是一款內(nèi)部集成有高邊高壓功率MOSFET管的高頻率(2 MHz)降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。提供單路最大0.6A高效率輸出，以電流模式控制方式達(dá)到快速環(huán)路響應(yīng)。寬范圍輸入電壓（3.3 V至36
2020-10-30 16:33:45
各位好，有沒有2個(gè)N溝道和2個(gè)P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
如何利用一顆N溝道MOS管來實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓？
2022-02-15 06:03:40
高可靠MCU負(fù)載開關(guān)電路設(shè)計(jì)過程
2021-11-16 09:02:00
今天，我們來聊聊怎樣設(shè)計(jì)一個(gè)高可靠的負(fù)載開關(guān)電路。從需求分析到原理實(shí)現(xiàn)，再到設(shè)計(jì)驗(yàn)證，stepbystep。采用MCU來控制一個(gè)外部功率開關(guān)是一個(gè)非常常見的需求。比如MCU用ADC檢測電源輸出電壓
2021-11-01 06:16:21
電壓也很低，所以它可以用在低電壓電路中而不需要電平轉(zhuǎn)換器（圖5）。圖5：來自Vishay Siliconix的SiP32408和類似SiP32409負(fù)載開關(guān)的控制使能信號低和高邏輯電平閾值與輸入電壓之間
2019-04-15 08:00:00
?+高邊電源開關(guān)的設(shè)計(jì)者提供一些有用信息。從設(shè)計(jì)的角度出發(fā)，本應(yīng)用筆記介紹了應(yīng)用要求，最后從器件層面做出結(jié)論。 表1 使用的術(shù)語 縮略語含義 A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器 AWG美國線規(guī) BCM車身控制模塊 CP
2018-12-05 09:50:55
MIC94161的典型應(yīng)用是一系列高端負(fù)載開關(guān)，設(shè)計(jì)用于1.7V至5.5V輸入電壓。負(fù)載開關(guān)傳輸元件是一個(gè)內(nèi)部14.5m RDSON N溝道MOSFET，使器件能夠支持高達(dá)3A的連續(xù)電流。此外，負(fù)載開關(guān)支持1.5V邏輯電平控制和關(guān)斷功能，采用纖巧的1.5mm x 1mm 6引腳WLCSP封裝
2020-06-04 06:57:06
功率MOS管來進(jìn)行驅(qū)動，而不是使用晶體管，當(dāng)然也存在使用晶體管來進(jìn)行驅(qū)動的集成IC。 如上圖所示，由于P溝道的MOS管品種少，價(jià)格高，并且其導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度的性能都不如N溝道的MOS管
2020-12-25 15:05:16
首先什么是高低邊開關(guān)？關(guān)于高低邊開關(guān)在汽車中應(yīng)用非常廣泛，例如車燈控制、氣囊驅(qū)動、繼電器控制等，代表性的廠家有ST、英飛凌等，高低邊開關(guān)即高低邊驅(qū)動，其中高邊或者低邊均相對于負(fù)載來說，如圖1負(fù)載在
2022-12-22 18:48:54
本文介紹一款單片高速(fSW高達(dá)100kHz)四通道低邊開關(guān)。該產(chǎn)品能夠驅(qū)動任何類型的負(fù)載(阻性負(fù)載、感性負(fù)載和容性負(fù)載)，開關(guān)一側(cè)連接電源電壓(Vcc)。
2019-08-01 08:13:02
費(fèi)率和負(fù)載控制時(shí)間開關(guān) Time switch for tariff and load control
2009-01-13 22:18:58
44 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay發(fā)布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴(kuò)
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足
2010-04-29 14:55:52542 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 Vishay 宣布推出針對3D快門式眼鏡進(jìn)行優(yōu)化的新款小尺寸三端SPDT(三端 2:1)開關(guān)--- DG9454
2011-03-24 10:43:591839 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301388 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology宣布推出采用一個(gè)集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)——VJ CDC。
2011-11-18 09:22:09838 微處理器通過控制電源的工作來實(shí)現(xiàn)負(fù)載管理，負(fù)載管理也可以由微處理器與多個(gè)負(fù)載開關(guān)組成。負(fù)載開關(guān)是一種功率電子開關(guān)
2011-12-29 17:32:223543 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，發(fā)布新款通過MIL-PRF-83401認(rèn)證（標(biāo)準(zhǔn)碼57489）的通孔、單片在線路薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)。M83401具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，5ppm/℃的TCR跟蹤和±0.05%的嚴(yán)格比例容
2012-02-17 11:57:08934 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay發(fā)布6款綠色光耦器件
2012-05-24 16:28:25416 
Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的新款通過AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝透射式光傳感器---單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01。
2013-06-26 11:39:171047 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR只有0.025Ω，在市場上類似器件當(dāng)中容量最高。
2013-07-26 14:41:241122 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結(jié)實(shí)耐用的塑料外殼，可用于助聽器和工業(yè)高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25721 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 2014 年 12 月16 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款汽車級的超薄、大電流電感器---IHLE-4040DC-5A，該電感器采用可減少EMI的整體e屏蔽層和緊湊的4040外形尺寸。
2014-12-16 17:27:58663 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布3顆采用超小尺寸WCSP
2015-02-02 14:07:262091 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴(kuò)充其microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節(jié)省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙路單刀雙擲/四路單刀雙擲模擬開關(guān)---DG2788A。該開關(guān)在2.7V下的電阻
2018-08-03 11:45:00678 關(guān)鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:01380 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 不同的應(yīng)用，包括但不限于： ●配電 ●上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換 ●減小待機(jī)模式下的漏電流 ●浪涌電流控制 ●斷電控制 1什么是負(fù)載開關(guān)? 集成負(fù)載開關(guān)是可用于開啟和關(guān)閉...
2021-10-22 12:21:017 負(fù)載開關(guān)（LoadSwitch）是一種電子元器件，其主要功能是在電路中控制負(fù)載的開關(guān)狀態(tài)，可以將電路的負(fù)載連接或斷開。負(fù)載開關(guān)廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、工業(yè)自動化、汽車電子、通信設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。接下來，我們將介紹負(fù)載開關(guān)的原理以及如何判斷好壞。
2023-07-14 14:13:221258 
Littelfuse 最新發(fā)布保護(hù)集成電路產(chǎn)品系列中的五款多功能負(fù)載開關(guān)器件，是額定電流為2和4A的超高效負(fù)載開關(guān)，集成了真正反向電流阻斷(TRCB)和壓擺率控制功能。其一流的效率使其成為移動和可穿
2023-12-28 12:24:10431
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