圖 4 顯示了 TVS 二極管電流與電壓特性的對比情況。盡管 TVS 是一種簡單的結構，但是在系統級 ESD 保護設計過程中仍然需要注意幾個重要的參數。這些參數包括擊穿電壓 VBR、動態電阻 RDYN、鉗位電壓 VCL 和電容。

　　圖 4 TVS 二極管電流與電壓的關系

　　擊穿電壓

　　正確選擇 TVS 的第一步是研究擊穿電壓 （VBR）。例如，如果受保護 I/O 線路的最大工作電壓 VRWM 為 5V，則在達到該最大電壓以前 TVS 不應進入其擊穿區域。通常，TVS 產品說明書會包括具體漏電流的 VRWM，它讓我們能夠更加容易地選擇正確的 TVS。否則，我們可以選擇一個 VBR（min） 大于受保護 I/O 線路 VRWM 幾伏的 TVS。

　　動態電阻

　　ESD 是一種極速事件，也就是幾納秒的事情。在如此短的時間內，TVS 傳導接地通路不會立即建立起來，并且在通路中存在一定的電阻。這種電阻被稱作動態電阻 （RDYN），如圖 5 所示。

　　圖 5 ESD 電流放電通路

　　理想情況下，RDYN 應為零，這樣 I/O 線路電壓才能盡可能地接近 VBR；但是，這是不可能的事情。RDYN 的最新工業標準值為 1 ? 或者 1 ? 以下。利用傳輸線路脈沖測量技術可以得到 RDYN。使用這種技術時，通過 TVS 釋放電壓，然后測量相應的電流。在得到不同電壓的許多數據點以后，便可以繪制出如圖6一樣的 IV 曲線，而斜線便為 RDYN。圖 6 顯示了 TPD1E10B06 的 RDYN，其典型值為 ~0.3 ?。

　　圖 6 TPD1E10B06 的 IV 特性

　　鉗位電壓

　　由于ESD是一種極速瞬態事件，I/O 線路的電壓不能立即得到箝制。如圖 7 所示，根據 IEC 61000-4-2 標準，數千伏電壓被箝制為數十伏。如方程式 1 所示，RDYN 越小，鉗位性能也就越好：

　　其中，IPP 為 ESD 事件期間的峰值脈沖電流，而 Iparasitic 為通過 TVS 接地來自連接器的線路寄生電感。

　　圖 7 8Kv 接觸放電的 ESD 事件鉗位

　　把鉗位電壓波形下面的區域想像成能量。鉗位性能越好，受保護ESD敏感型器件在ESD事件中受到損壞的機率也就越小。由于鉗位電壓很小，一些TVS可承受IEC模型的8kV接觸式放電，但是“受保護”器件卻被損壞了。

　　電容

　　在正常工作狀態下，TVS為一個開路，并具有寄生電容分流接地。設計人員應在信號鏈帶寬預算中考慮到這種電容。

　　結論

　　由于 IC 工藝技術節點變得越來越小，它也越來越容易受到 ESD 損壞的影響，不管是在制造過程還是在終端用戶使用環境下。器件級 ESD 保護并不足以在系統層面為 IC 提供保護。我們應在系統級設計中使用獨立 TVS。在選擇某個 TVS 時，設計人員應注意一些重要參數，例如：VBR、RDYN、VCL 和電容等。

　　參考文獻

　　《系統級ESD/EMI保護設計指南》 www.ti.com/lit/SSZB130B

　　相關網站

　　ESD解決方案：http://www.ti.com.cn/product/cn/TPD1E10B06