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深度解析IGBT功率半導體框架
- IGBT(242707)
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功率半導體井噴：IGBT模塊主流廠商與產(chǎn)品
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8757IGBT在大功率斬波中問題的應用
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導體器件，它是由MOSFET（場效應晶體管）與GTR（大功率達林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔任驅(qū)動，因此具有
2018-10-17 10:05:39
IGBT絕緣柵雙極晶體管
半導體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
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IGBT絕緣柵雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)與特點
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功率半導體器件應用手冊
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功率半導體應用手冊SEMIKRON
`本書主要針對的是半導體使用客戶，并把基礎理論作了簡單的闡述歸納總結(jié)。本手冊站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細介紹了它們的基本數(shù)
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所在各類半導體功率器件中，未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導體市場仍由歐美日企業(yè)主導，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導體前十名供應商
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半導體功率器件的分類
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
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半導體制冷片的工作原理是什么？
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半導體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導體電阻率測試方案解析
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功率半導體的熱管理對于元件運行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設計實例介紹的愛普科斯(EPCOS)負溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測半導體元件的溫度。
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半導體是什么？芯片又是什么？半導體芯片是什么？半導體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
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GaN基微波半導體器件材料的特性
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ON安森美高功率應用TO247封裝IGBT單管
，究竟它是如何辦到的？讓我們來進一步深入了解。 通過TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導體器件，正如其開發(fā)的目的，結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能，它在
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PPF框架在半導體工業(yè)中的應用
半導體工業(yè)應用中的優(yōu)勢和特點。【關(guān)鍵詞】：RoHS指令;;PPF框架;;綠色封裝;;半導體工業(yè)【DOI】：CNKI:SUN:DYFZ.0.2010-03-016【正文快照】：1引言2003年1月27日
2010-05-04 08:10:38
【原創(chuàng)分享】深度剖析！MOS和IGBT究竟區(qū)別在哪？（二）
)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣
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【基礎知識】功率半導體器件的簡介
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主流的射頻半導體制造工藝介紹
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
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什么是基于SiC和GaN的功率半導體器件？
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低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性和應用優(yōu)勢？
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些應用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
全球功率半導體市場格局：MOSFET與IGBT模塊
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2022-11-11 11:50:23
全球功率半導體市場格局：前十名供應商全是海外企業(yè)？
所在各類半導體功率器件中，未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導體市場仍由歐美日企業(yè)主導，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:46:29
國內(nèi)功率半導體需求將持續(xù)快速增長
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預計2021年我國半導體分立器件市場規(guī)模將達到3,229億元。就國內(nèi)市場而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
國內(nèi)最大車規(guī)IGBT廠商 比亞迪半導體將分拆至創(chuàng)業(yè)板
公司的主要從事新能源汽車及傳統(tǒng)燃油汽車在內(nèi)的汽車業(yè)務、手機部件及組裝業(yè)務、二次充電電池及光伏業(yè)務，并積極拓展城市軌道交通業(yè)務領(lǐng)域；而比亞迪半導體主營功率半導體、智能控制 IC、智能傳感器及光電半導體
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在低功率壓縮機驅(qū)動電路內(nèi)，意法半導體超結(jié)MOSFET與IGBT技術(shù)比較
電機驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET。 本文在實際
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大功率半導體激光電源的作用有哪些
大功率半導體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導體直接輸出激光器介紹直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下
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如何用半導體制冷片制作小冰箱？
想用半導體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點的意見，能盡量提高點效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
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安森美半導體宣布收購Fairchild半導體
去年九月，安森美半導體宣布收購Fairchild半導體。上周，我們完成了前Fairchild半導體產(chǎn)品信息向安森美半導體網(wǎng)站的轉(zhuǎn)移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴展
2018-10-31 09:17:40
安森美半導體智能功率模塊(IPM)及易于采用的工具和仿真支持
最新的電源模塊，結(jié)合高能效與強固的物理和電氣設計，用于要求嚴苛的工業(yè)應用。展出的電動工具演示將向觀眾演示安森美半導體的電源模塊如何幫助實現(xiàn)緊湊、高能效的設計，以支持較長的電池使用壽命。功率模塊是電源轉(zhuǎn)換
2018-10-30 09:06:50
常用的功率半導體器件你都認識嗎？
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。可以分為半控型器件
2019-03-03 07:00:00
招聘半導體設備人員若干名
,3700，7200， 以及HnK 鋁線機；Tester, Handler: 熟悉IGBT Module或者大功率器件測試機。要求：半導體設備維修維護經(jīng)驗3年以上；大專學歷；理工科，機械、電子、自動化專業(yè)為佳
2014-04-04 14:20:56
未來5年，GaN功率半導體市場會發(fā)生哪些變化？
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
高效能IGBT助力高功率應用
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應用中相當常見的器件，可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體（ON Semiconductor）所推出
2019-07-18 06:12:00
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三菱電機株式會社推出新一代功率半導體模塊：第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅(qū)動一般工業(yè)變頻
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1137賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導體模塊
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓撲結(jié)構(gòu)。與競爭對手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
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870IGBT場效應半導體功率器件導論免費下載
《IGBT場效應半導體功率器件導論》以新一代半導體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場效應半導體功率器件的基礎理論和工藝制作方面的知識，內(nèi)容包括器件的原理、模型、設計、制
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0安森美半導體的全系列IGBT滿足汽車、太陽能逆變器、不間斷電源、白家電等各類應用需求
安森美半導體是領(lǐng)先的功率器件半導體供應商，提供全面的功率器件，包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙（WBG）等分立器件及智能功率模塊（IPM）等功率模塊，尤其在收購Fairchild半導體
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功率半導體器件發(fā)展趨勢
目前國際功率半導體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及，且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。
2017-09-20 17:46:5944
44功率半導體器件的直接均流技術(shù)的解析
）等，還是新型功率半導體器件，如：門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、門極換流晶閘管（GCT）、集成門極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（IGBT），都屬于雙極注入器件，所以它們的通態(tài)特性最后都可以歸結(jié)到PiN功率二極管的通態(tài)特性上。 在實際應用中，往往有多個器件的并
2017-10-31 10:19:4112
12比亞迪推出IGBT4.0引領(lǐng)車規(guī)級功率半導體發(fā)展
經(jīng)過10余年的技術(shù)積累，比亞迪IGBT不斷迭代更新。活動現(xiàn)場，中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會秘書長蔚紅旗表示：“比亞迪在電動車功率半導體領(lǐng)域布局較早，而且真抓實干，在電動車功率半導體領(lǐng)域創(chuàng)造了領(lǐng)先，中國的電動車發(fā)展不用擔心被‘卡脖子’了。”
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IGBT功率半導體項目落戶嘉善經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)
7月16日，浙江省嘉善縣數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展再傳捷報，IGBT功率半導體項目正式簽約落戶嘉善經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)。
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3280什么是IGBT？功率半導體元器件的特點
除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:0013964
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功率半導體是什么，igbt產(chǎn)品又是如何分類的
關(guān)于IGBT，小編已經(jīng)寫過很多篇文章了。今天主要來講講什么是功率半導體？IGBT產(chǎn)品又是如何分類的？與芯片又有哪些不同呢？
2022-03-11 11:22:0414181
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賽晶半導體自主研發(fā)的IGBT模塊有新突破
這是賽晶半導體自主技術(shù)IGBT模塊的首個批量訂單，標志公司IGBT模塊取得客戶認可并開始批量銷售和應用
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新能源汽車中功率半導體的解析
隨著汽車電動化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展，汽車電子迎來結(jié)構(gòu)性變革大機會。在傳統(tǒng)燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統(tǒng)、車身、安全、娛樂等子系統(tǒng)中。按照功能劃分，汽車半導體可大致分為功率半導體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。
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2486車規(guī)級功率半導體：IGBT和MOSFET是主要產(chǎn)品
功率半導體發(fā)展過程在半導體功率器件中，MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，相比于功率二極管、功率三級管和晶閘管等電流控制型開關(guān)器件，具有易于驅(qū)動、開關(guān)速度快、損耗低等特點，應用前景十分廣闊。
2022-11-28 16:18:583933
3933BJT，MOSFET和IGBT的智能功率模塊解析
智能功率模塊（IPM）是一種功率半導體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需的驅(qū)動電路和保護功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
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IGBT功率半導體的主要引用領(lǐng)域有哪些
功率半導體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計算機、通信、消費電子、新能源、汽車、工業(yè)制造、等領(lǐng)域有著廣泛的應用。今天SPEA和大家重點介紹下功率器件中的明星IGBT模塊。
2023-02-02 15:07:35560
560什么是功率半導體？有哪些類型？
功率半導體有功率器件和功率IC，功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管，其中晶體管又可根據(jù)應用領(lǐng)域和制程可劃分為絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT）、MOSFET和雙極型晶體管等；功率IC是一種模擬IC，主要有電源管理IC、驅(qū)動IC、AC/DC 和 DC/DC等。
2023-02-03 10:03:319467
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什么是功率半導體？
功率半導體包括兩部分：功率器件和功率IC，功率器件是功率半導體分立器件的分支，而功率IC則是將功率半導體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來。
2023-02-06 14:27:212492
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IGBT功率半導體器件
IGBT在MOSFET基礎上升級，市場空間增速快。IGBT作為半導體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應
管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件
2023-02-15 16:26:3234
34功率半導體類型及特點
功率半導體的類型有多種，其中最常用的是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（可控硅晶體管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一種可以控制電流的半導體元件，它可以在非常短的時間內(nèi)控制電流的流動，從而控制電力的輸出。
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900功率半導體的工作原理是什么
、IGBT、MOSFET、GTO等。 功率半導體的工作原理可以分為三個階段：導通、截止和反向恢復。 在導通狀態(tài)下，當控制信號輸入時，功率半導體器件的導通電阻將迅速降低，電流可以從其正極流向負極。在導通狀態(tài)下，功率半導體器件將消耗
2023-02-18 11:17:031149
1149貞光科技：功率半導體行業(yè)研究框架
貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號處理芯片、存儲芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應解決方案！功率半導體是必選消費品，人需要吃“柴米油鹽
2023-03-10 17:55:26380
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半導體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設計探討
）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432105
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功率半導體的知識總結(jié)（MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導體分立器件）
功率半導體包括功率半導體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
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功率器件igbt工藝流程圖解
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當然功率半導體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關(guān)，今天單說IGBT的工藝流程。
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功率半導體器件：IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別
IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設備中的半導體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
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功率半導體類型有哪些
功率半導體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導體幾乎廣泛應用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導體，電動汽車包括功率半導體，飛機和宇宙飛船包括功率半導體。
2023-11-07 10:54:05459
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深度解析電動汽車核心器件——IGBT
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。
2023-11-24 10:11:53487
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析(上)
這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
2023-12-06 11:54:3924
24IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（下）
這篇文章是英飛凌工業(yè)半導體微信公眾號系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（下）
2023-12-06 11:56:4317
17意法半導體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578
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半導體IGBT模塊的詳解
半導體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET 驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度
2024-03-22 08:37:2554
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工商網(wǎng)監(jiān)
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