IRF-1 15 10% R36
2024-03-14 22:46:43
IRF-3 15 10% B08
2024-03-14 22:46:43
為確保EtherCAT主站控制器在工業(yè)自動(dòng)化中的可靠和穩(wěn)定應(yīng)用，EMC測(cè)試至關(guān)重要。本文以ZMC900E電源傳導(dǎo)騷擾整改為例，深入解析EMC原理，助您精準(zhǔn)定位問(wèn)題，避免無(wú)效整改。圖1ZMC900E
2024-03-07 08:23:45
279 
Jk觸發(fā)器的故事
2024-02-23 04:32:43134 電流: 8A- RDS(ON) (導(dǎo)通電阻): 15mΩ @ VGS=10V, VGS=12V- 閾值電壓: 0.9V**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**IRF7301TRPBF-
2024-02-20 09:59:07
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**- 型號(hào)：IRF7307TRPBF-VB- 絲印：VBA5325- 品牌：VBsemi- 封裝：SOP8- 類(lèi)型：N+P-Channel溝道- 額定電壓：±30V- 額定電流
2024-02-20 09:56:10
**IRF9520NPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：**- **參數(shù)：** - 絲印：VBM2102M - 品牌：VBsemi - 封裝：TO220
2024-02-19 17:32:02
VBsemi IRF9953TRPBF-VB P—Channel MOSFET 參數(shù)：- 封裝：SOP8- 溝道類(lèi)型：P—Channel- 最大電壓：-30V- 最大電流：-7A- RDS
2024-02-19 10:28:44
VBsemi IRF9310TRPBF&5 P—Channel MOSFET 參數(shù)：- 封裝：SOP8- 溝道類(lèi)型：P—Channel- 最大電壓：-30V- 最大電流：-15A- RDS
2024-02-19 10:06:13
如何用JK觸發(fā)器構(gòu)成T觸發(fā)器 JK觸發(fā)器是一種基本的觸發(fā)器電路，由兩個(gè)輸入端J和K控制，以及兩個(gè)輸出端Q和Q'組成。JK觸發(fā)器的輸出可以持續(xù)性地保持其前一狀態(tài)或由輸入信號(hào)而改變。T觸發(fā)器是一種特殊
2024-02-06 14:11:11422 傳導(dǎo)騷擾的共模電流與差模電流? 傳導(dǎo)騷擾是一種普遍存在于電子設(shè)備中的問(wèn)題，會(huì)對(duì)設(shè)備的性能和可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。其中，共模電流和差模電流是兩個(gè)重要參數(shù)，對(duì)于分析和解決傳導(dǎo)騷擾問(wèn)題至關(guān)重要。本文將詳細(xì)
2024-02-05 13:45:37206 jk觸發(fā)器是一種常見(jiàn)的時(shí)序電路元件，常用于計(jì)數(shù)器、寄存器以及存儲(chǔ)器等電子電路中。本文將介紹jk觸發(fā)器的特征方程以及推導(dǎo)過(guò)程。 jk觸發(fā)器的基本結(jié)構(gòu)及原理 jk觸發(fā)器由兩個(gè)交叉耦合的反饋環(huán)組成，它具有
2024-01-17 10:00:22312 JK觸發(fā)器是一種常用的數(shù)字電路元件，其中的J和K分別代表輸入端。當(dāng)觸發(fā)器被觸發(fā)時(shí)，它會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)狀態(tài)的變化。對(duì)于JK觸發(fā)器而言，觸發(fā)方式取決于J和K的輸入狀態(tài)。當(dāng)輸入上升沿或下降沿到來(lái)時(shí)，JK
2024-01-15 13:35:53446 IRF540的驅(qū)動(dòng)電流以及與其相關(guān)的一些重要知識(shí)。 首先，我們需要了解IRF540的基本特性。IRF540是一款耐壓為100V的功率MOSFET晶體管，能夠承受較高的功率和電流。它的柵極電壓范圍為-20V至+20V，柵極電流為25A。它采用了N溝道結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)低阻抗和高開(kāi)關(guān)速度。 MOSFET晶體管的驅(qū)
2023-12-25 10:38:53364 型號(hào)：IRF5851TRPBF-VB絲印：VB5222品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類(lèi)型：N+P溝道- 額定電壓：±20V- 最大持續(xù)電流：7A（正向） / -4.5A（反向）- 靜態(tài)導(dǎo)通電
2023-12-21 11:09:31
型號(hào)：IRF9317TRPBF-VB絲印：VBA2305品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-15A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻：5mΩ @ 10V, 8mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:25:28
電磁騷擾傳播或耦合，通常分為兩大類(lèi)：即傳導(dǎo)騷擾傳播和輻射騷擾傳播。通過(guò)導(dǎo)體傳播的電磁騷擾，叫傳導(dǎo)騷擾；通過(guò)空間傳播的電磁騷擾，叫輻射騷擾。
2023-12-20 10:58:59470 
型號(hào)：IRF4435TRPBF-VB絲印：VBA2317品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道- 額定電壓：-30V- 最大漏電流：-7A- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：23mΩ @ 10V
2023-12-20 10:30:51
型號(hào): IRF9530NS-VB絲印: VBL2102M品牌: VBsemi參數(shù):- P溝道- 額定電壓：-100V- 最大電流：-10A- 開(kāi)通電阻：200mΩ @ 10V, 240m
2023-12-19 16:40:38
型號(hào)：IRF7306TRPBF-VB絲印：VBA4338品牌：VBsemi參數(shù)：- 溝道類(lèi)型：2個(gè)P溝道- 額定電壓：-30V- 額定電流：-7A- 開(kāi)通電阻（RDS(ON)）：35mΩ @ 10V
2023-12-19 11:39:58
型號(hào)：IRF7324TRPBF-VB絲印：VBA4216品牌：VBsemi參數(shù)：- 2個(gè)P溝道- 最大耐壓：-20V- 最大電流：-9A- 開(kāi)通態(tài)電阻：16mΩ @ 10V, 18mΩ @ 4.5V
2023-12-19 10:51:57
型號(hào)：IRF9Z24NSTRLPBF-VB絲印：VBL2658品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道- 最大耐壓：-60V- 最大電流：-30A- 開(kāi)通態(tài)電阻：58mΩ @ 10V, 70m
2023-12-19 10:38:29
型號(hào)：IRF9310TRPBF-VB絲印：VBA2309品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-11A- 開(kāi)通態(tài)電阻：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
2023-12-18 10:55:29
型號(hào)：IRF5305STRPBF-VB絲印：VBL2658品牌：VBsemi參數(shù)說(shuō)明：- MOSFET類(lèi)型：P溝道- 額定電壓：-60V- 最大電流：-30A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：58m
2023-12-15 11:29:11
型號(hào)：IRF9328TRPBF-VB絲印：VBA2311品牌：VBsemi參數(shù)說(shuō)明：- MOSFET類(lèi)型：P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-11A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：10m
2023-12-15 09:37:38
型號(hào)：IRF7328TRPBF-VB絲印：VBA4317品牌：VBsemi參數(shù)：- 2個(gè)P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-8.5A- 開(kāi)態(tài)電阻 (RDS(ON))：21mΩ @ 10V
2023-12-14 16:22:22
型號(hào)：IRF7105TRPBF-VB絲印：VBA5325品牌：VBsemi參數(shù)說(shuō)明：- 極性：N+P溝道（既包含N溝道又包含P溝道）- 額定電壓：±30V（既可以在正電壓下工作也可以在負(fù)電
2023-12-14 15:50:22
型號(hào)：IRF7241TRPBF-VB絲印：VBA2412品牌：VBsemi參數(shù)說(shuō)明：- MOSFET類(lèi)型：P溝道- 額定電壓：-40V- 最大電流：-11A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：13m
2023-12-14 14:37:30
型號(hào)：IRF9335TRPBF-VB絲印：VBA2333品牌：VBsemi參數(shù)：- P溝道- 額定電壓：-30V- 最大電流：-6A- 開(kāi)態(tài)電阻 (RDS(ON))：40mΩ @ 10V, 54m
2023-12-14 14:06:39
型號(hào): IRF7309TRPBF-VB絲印: VBA5325品牌: VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:- 溝道類(lèi)型: N+P溝道- 額定電壓: ±30V- 最大電流: 9A (正向), -6A (反向
2023-12-14 11:00:47
型號(hào): IRF7404TRPBF-VB絲印: VBA2216品牌: VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:- 溝道類(lèi)型: P溝道- 額定電壓: -20V- 最大電流: -8A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS
2023-12-14 10:45:59
型號(hào)：RFD15P05-VB絲印：VBFB2610N品牌：VBsemi**參數(shù)說(shuō)明：**- 極性：P溝道- 額定電壓（Vds）：-60V- 額定電流（Id）：-25A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS
2023-12-14 09:57:00
某汽車(chē)零部件產(chǎn)品是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，在進(jìn)行傳導(dǎo)騷擾測(cè)試時(shí)，發(fā)現(xiàn)沒(méi)有通過(guò)，下圖是該電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的傳導(dǎo)騷擾測(cè)試結(jié)果：
2023-12-14 09:12:28670 
【電磁兼容技術(shù)案例分享】結(jié)構(gòu)縫隙引起的傳導(dǎo)發(fā)射（CE）問(wèn)題整改案例
2023-12-14 08:17:11227 
型號(hào): IRF4905PBF-VB絲印: VBM2625品牌: VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:- 溝道類(lèi)型: P溝道- 額定電壓: -60V- 最大電流: -50A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS
2023-12-13 17:01:30
型號(hào)：IRF7425TRPBF-VB絲印：VBA2309品牌：VBsemi**參數(shù)說(shuō)明：**- 極性：P溝道- 額定電壓（Vds）：-30V- 額定電流（Id）：-11A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS
2023-12-13 15:56:34
型號(hào)：IRF7205TRPBF-VB 絲印：VBA2333 品牌：VBsemi 參數(shù)：P溝道，-30V，-6A，RDS(ON)，40mΩ@10V，54m
2023-12-13 14:46:36
不知道大家有沒(méi)有一個(gè)疑問(wèn)，RE和CE都是騷擾發(fā)射，但是，何為輻射發(fā)射？何為傳導(dǎo)發(fā)射？EMC不僅本身有點(diǎn)玄學(xué)，命名也都很玄。
按照電磁干擾的原理，電磁干擾的作用途徑主要可以分為兩大類(lèi)，既輻射干擾和傳導(dǎo)性干擾。
2023-12-13 09:13:56758 
EMI騷擾源有啥特征呢？為何du/dt和di/dt是產(chǎn)生騷擾的條件？ EMI（Electromagnetic Interference，電磁干擾）是指電磁場(chǎng)中的電荷、電流和場(chǎng)的變化引起的一系列電磁波
2023-11-17 15:00:59589 如圖
靜態(tài)工作時(shí)，PIN8 的SENSE+電壓20MA，Rsense+為0.33歐，上管IRF530電流是0.061A，下管IRF9630電流是0.061A.當(dāng)Vin輸入為直流+5V時(shí)。
上管將1歐
2023-11-15 08:23:32
輻射騷擾整改思路及方法：對(duì)差模電流的影響？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC
2023-11-13 10:50:43278 
輻射騷擾整改思路及方法：對(duì)共模電流的影響？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC
2023-11-10 10:06:39291 
基頻的諧波信號(hào)產(chǎn)品的諧波電平幅度隨頻率的關(guān)系如下圖所示，這些諧波電平會(huì)傳遞到電源線上形成傳導(dǎo)騷擾，從前面測(cè)試超標(biāo)的頻譜圖也正好驗(yàn)證了超標(biāo)的頻點(diǎn)來(lái)自于開(kāi)關(guān)電源。
2023-11-03 09:31:06287 
傳導(dǎo)CE整改？CE傳導(dǎo)發(fā)射整改？|深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC
2023-11-01 10:29:32430 IRF5803TRPBF詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 4.8A 導(dǎo)通電阻 49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V
2023-10-31 10:32:19
JK 觸發(fā)器的 Verilog 代碼實(shí)現(xiàn)和 RTL 電路實(shí)現(xiàn)
2023-10-09 17:29:342002 
耦合路徑分為傳導(dǎo)耦合路徑和空間耦合路徑。 最容易判斷的是電磁騷擾的敏感源，實(shí)際上大部分的電磁兼容的問(wèn)題都是先從發(fā)現(xiàn)干擾的現(xiàn)象起因的，因此，最先關(guān)注的應(yīng)該是敏感源。 比較容易判斷的是電磁騷擾源，我們通過(guò)實(shí)驗(yàn)和分析，可以確定導(dǎo)致電磁兼容問(wèn)題的騷擾源是在哪里。
2023-10-08 15:54:07199 
PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基本原則。對(duì)開(kāi)關(guān)電源EMI預(yù)測(cè)過(guò)程中需要注意的問(wèn)題以及降低開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)EMI的方法策略進(jìn)行了分析和總結(jié)。
2023-09-22 07:18:09
Proteus軟件是英國(guó)LCE公司研制的EDA工具軟件，可實(shí)現(xiàn)電路原理設(shè)計(jì)，電路分析與仿真。Proteus由ISIS（智能電路原理圖輸入系統(tǒng)）和ARES（高級(jí)布線編輯）兩個(gè)軟件組成。用Proteus
2023-09-22 07:06:23
種情況下，設(shè)計(jì)和制造抗電磁騷擾能力高的電子設(shè)備成為了每個(gè)工程師都需要解決的問(wèn)題。 本文將從設(shè)計(jì)和制造兩個(gè)方面詳細(xì)分析如何提高電子設(shè)備的抗電磁騷擾能力，幫助讀者更好地了解和掌握這一重要技術(shù)。 一、 設(shè)計(jì)方面的提高電子
2023-09-12 17:07:05469 怎樣控制直流電源模塊輸入端的差模電磁傳導(dǎo)騷擾？? 直流電源模塊是現(xiàn)代電工行業(yè)中使用較廣的一種電源供應(yīng)器件。不過(guò)，當(dāng)直流電源模塊使用的時(shí)候，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)它的輸入端可能會(huì)產(chǎn)生頗為嚴(yán)重的差模電磁傳導(dǎo)騷擾
2023-09-12 17:06:56498 為了控制電源直流模塊的共模騷擾，我們先看看DC模塊共模騷擾模型。
2023-09-12 16:36:05165 
電磁騷擾源為什么要盡量遠(yuǎn)離孔洞開(kāi)口呢？? 電磁騷擾源指的是任何能夠生成電磁場(chǎng)或電磁波的設(shè)備或設(shè)施，這些電磁波可以干擾無(wú)線信號(hào)、危害人體健康或者破壞電子設(shè)備等。在現(xiàn)代社會(huì)中，電磁騷擾已經(jīng)成為
2023-09-12 14:52:10312 有消息稱(chēng)，蘋(píng)果iPhone15 Pro Max或?qū)⒉捎萌旅绞剑还谝浴癠ltra”名稱(chēng)。然而，據(jù)最新消息，iPhone 15 Pro Max將保留其“Pro Max”的名字，不會(huì)被Ultra替代。
2023-09-09 15:38:52771 與CE測(cè)試
EMC問(wèn)題三要素開(kāi)關(guān)電源及數(shù)字設(shè)備由于脈沖電流和電壓具有很豐富的高頻諧波，因此會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的輻射。電磁干擾包括輻射型(高頻) EMI、傳導(dǎo)型(低頻)EMI，即產(chǎn)生EMC問(wèn)題主要通過(guò)兩個(gè)途徑
2023-09-08 11:01:38
如何用jk觸發(fā)器組成單脈沖發(fā)生器? 單脈沖發(fā)生器是一種僅產(chǎn)生一個(gè)脈沖的電路，其在數(shù)字系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用，例如計(jì)數(shù)器中的清零信號(hào)，脈沖電路中的觸發(fā)信號(hào)等。在電路設(shè)計(jì)中，JK觸發(fā)器是一種常見(jiàn)的抗干擾性
2023-08-24 15:50:111805 某風(fēng)機(jī)產(chǎn)品CE電流法測(cè)試超標(biāo)問(wèn)題整改分析案例
2023-08-14 10:03:321063 從CE電流法測(cè)試超標(biāo)數(shù)據(jù)看，高壓線束和低壓線束的電流法超標(biāo)頻段聚焦在80~120 MHz頻段，存在許多單支超標(biāo)。對(duì)于單支超標(biāo)- -般會(huì)想到是單板。上的CAN信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)等，下面就對(duì)干擾源和耦合路徑進(jìn)行分析驗(yàn)證。
2023-08-14 09:26:021063 
\\X-NUCLEO-NFC06A1\\ap2p_proprietary與ST25NFC_Embedded_Lib_ST25R3916(B)_1.5.0\\Projects\\STM32L476RG-Nucleo
2023-08-07 07:31:04
想使用卡模擬(CE)，T4T的P2P，demoIni（）初始化接口需要如何配置？還有就是這個(gè)P2P和AP2P有什么區(qū)別？
2023-08-05 07:49:05
根據(jù)雷達(dá)波工作原理，嘉可儀表JK型雷達(dá)液位計(jì)采用了發(fā)射雷達(dá)波—反射雷達(dá)波—接收雷達(dá)波的工作模式。在工作時(shí)雷達(dá)液位計(jì)的發(fā)射端發(fā)出調(diào)頻連續(xù)波信號(hào)，雷達(dá)波信號(hào)在觸碰到液面后反射回來(lái)并被雷達(dá)波接收端接
2023-07-03 10:50:03185 JK觸發(fā)器是一種可以設(shè)置、重置和切換的人字拖。它可用于制造計(jì)數(shù)器、事件檢測(cè)器、分頻器等等。
2023-06-29 11:48:2334652 
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導(dǎo)輻射(CE)。本文重點(diǎn)討論傳導(dǎo)輻射，其可進(jìn)一步分為兩類(lèi)：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對(duì)CM噪聲有效的EMI抑制技術(shù)不一定對(duì)DM噪聲
2023-06-29 10:49:557412 
某產(chǎn)品EMC輻射騷擾測(cè)試超標(biāo)，通過(guò)近遠(yuǎn)場(chǎng)掃描配合定位分析，逐步找出騷擾源、傳播路徑，最終通過(guò)修改 PCB 走線切斷傳播路徑解決此問(wèn)題。
2023-06-25 16:54:19573 
某產(chǎn)品在入網(wǎng)測(cè)試電磁騷擾項(xiàng)目中，直流電源端口（DC端口）傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試超標(biāo)嚴(yán)重，在低頻150kHz~2MHz之間，某些頻點(diǎn)超標(biāo)10dBuV以上。經(jīng)過(guò)對(duì)電源單板現(xiàn)場(chǎng)整改，再次測(cè)試DC端口傳導(dǎo)發(fā)射順利通過(guò)，余量在5dBuV以上。
2023-06-25 16:50:591253 
芯控源AGM25T12W2T4 是一款 1200V 25A PIM IGBT模塊，對(duì)標(biāo)英飛凌 FP25R12W2T4。pin to pin的設(shè)計(jì)，可直接替代。
2023-06-21 16:33:14
0 數(shù)據(jù)線CE認(rèn)證辦理流程？數(shù)據(jù)線CE認(rèn)證周期，數(shù)據(jù)線CE認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)線CE認(rèn)證流程，數(shù)據(jù)線CE認(rèn)證資料，數(shù)據(jù)線CE認(rèn)證如何辦理，深圳CE認(rèn)證，數(shù)據(jù)線CE檢測(cè)，數(shù)據(jù)線CE認(rèn)證報(bào)告，數(shù)據(jù)線CE認(rèn)證證書(shū)
2023-06-20 10:52:07560 
能，包括以下三方面的含義。
（1）EMI（Electro Magnetic Interference，電磁干擾），即處在一定環(huán)境中的設(shè)備或系統(tǒng)，在正常運(yùn)行時(shí)，不應(yīng)產(chǎn)生超過(guò)相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)所要求的電磁能量，相對(duì)應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)目有：電源線傳導(dǎo)騷擾（CE）；信號(hào)、控制線傳導(dǎo)騷擾(CE)；輻射騷擾（RE）；諧波電流測(cè)量(Ha
2023-06-19 16:46:5022 原邊6W開(kāi)關(guān)電源芯片U6215是一款高性能、低成本的原邊控制功率開(kāi)關(guān)，內(nèi)置高壓功率三極管，可提供高精度恒壓和恒流輸出性能，尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用。
2023-06-13 16:02:34617 Emission －輻射騷擾測(cè)試
Conducted Emission－傳導(dǎo)騷擾測(cè)試
Harmonic－諧波電流騷擾測(cè)試
Flicker－電壓變化和閃爍測(cè)試
2. EMS（Electro-Magnetic
2023-06-13 09:45:16
EMC中電磁騷擾通常用分貝來(lái)表示, 分貝的原始定義為兩個(gè)功率的比。
2023-06-08 14:30:381245 
傳導(dǎo)騷擾測(cè)試系統(tǒng)主要測(cè)量受試設(shè)備（EUT）在正常工作狀態(tài)下通過(guò)電源線、信號(hào)端口、控制端口對(duì)周?chē)h(huán)境所產(chǎn)生的騷擾，測(cè)試頻率范圍主要為9kHz~30MHz。不同產(chǎn)品的騷擾限值由不同標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，但基本方法
2023-06-05 10:43:07426 
設(shè)備開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)回路：騷擾源主頻幾十kHz到百余kHz，高次諧波可延伸到數(shù)十MHz。
2023-05-24 15:57:081336 傳導(dǎo)發(fā)射通常也會(huì)被成為騷擾電壓測(cè)試，只要有電源線的產(chǎn)品都會(huì)涉及到傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)試，包括許多直流供電產(chǎn)品，另外，信號(hào)/控制線在不少標(biāo)準(zhǔn)中也有傳導(dǎo)發(fā)射的要求，通常用騷擾電壓或騷擾電流的限值（兩者有相互轉(zhuǎn)換關(guān)系）來(lái)表示，燈具中的插入損耗測(cè)試（直接用dB表示）也屬于傳導(dǎo)測(cè)試范疇。
2023-05-17 11:32:42856 了解商業(yè)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的讀者可能奇怪，為什么CE102的上限頻率僅到10MHz，而商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的傳導(dǎo)發(fā)射到30MHz。難道商業(yè)設(shè)備的傳導(dǎo)發(fā)射更加嚴(yán)格嗎？
實(shí)際上，軍用設(shè)備的CE102試驗(yàn)雖然
2023-05-17 11:31:195803 
首先，傳導(dǎo)發(fā)射是電磁兼容的發(fā)射測(cè)試項(xiàng)目中的一個(gè)，其目的是為了衡量設(shè)備從電源端口向電網(wǎng)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">騷擾。由于電網(wǎng)存在于建筑物墻體內(nèi)的電線縱橫交錯(cuò)構(gòu)成了陣列，如同無(wú)比巨大的天線，當(dāng)高頻的騷擾電流流過(guò)，傳導(dǎo)
2023-05-17 11:29:532410 
描述ME6215系列是高精度、低功耗消耗、高壓、正電壓使用CMOS和激光制造的穩(wěn)壓器修邊技術(shù),該系列提供壓差極低的電流。限流器的折返電路也運(yùn)行作為輸出電流限制器的短路保護(hù)，以及輸出引腳。CE功能允許
2023-05-15 17:07:58
摘要 : 此DVD播放器需要做CCC認(rèn)證，需要滿足GB13837-2012《聲音和電視廣播接收機(jī)及有關(guān)設(shè)備 無(wú)線電騷擾特性 限值和測(cè)量方法》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。 關(guān)鍵詞：DVD播放器;CCC認(rèn)證;騷擾功率整改
2023-05-12 09:24:50
如何進(jìn)行JK觸發(fā)器電路輸出的初始狀態(tài)調(diào)節(jié)呢？
2023-05-10 14:40:08
IRF3205是一種N溝道功率MOS管，采用 TO-220AB 封裝，工作電壓為 55V 和 110A。特點(diǎn)是其導(dǎo)通電阻極低，僅為 8.0mΩ，適用于逆變器、電機(jī)速度控制器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器
2023-04-20 09:12:546907 
騷擾功率測(cè)試是絕大多數(shù)AV類(lèi)產(chǎn)品，家電以及電動(dòng)工具產(chǎn)品在認(rèn)證時(shí)常見(jiàn)的EMC測(cè)試之一。本文從騷擾功率的測(cè)試原理說(shuō)起，論述測(cè)試要點(diǎn)，以及出現(xiàn)測(cè)試不合格的原因分析，和可以采取的對(duì)策。后給出一個(gè)實(shí)際的整改案例加以說(shuō)明。
2023-04-18 10:45:191646 
在電磁兼容（EMC）領(lǐng)域，EMC可以分為“電磁干擾（EMI）”和“電磁敏感度（EMS）”，其實(shí)電磁干擾EMI可以大致分為“傳導(dǎo)騷擾”和“輻射騷擾”兩個(gè)部分，今天講一下傳導(dǎo)騷擾中的“差模噪聲”和“共模噪聲”。
2023-04-11 14:06:50675 什么樣的產(chǎn)品才能被稱(chēng)作為好產(chǎn)品，從電磁兼容角度看，產(chǎn)品能夠在電磁環(huán)境中正常工作，通俗講，不受其它設(shè)備影響，不影響其它設(shè)備。怎樣才能保證不影響其它設(shè)備呢？ ?? 認(rèn)識(shí)輻射騷擾 電磁兼容領(lǐng)域圍繞著兩個(gè)
2023-04-07 12:20:08672 T6215X15X0.13MM
2023-04-06 19:06:30
DH25CE=RELAY
2023-03-30 17:30:41
JK0-0136NL
2023-03-29 22:00:09
EP4CE15F17C8
2023-03-29 21:53:29
U6215A
2023-03-29 21:35:41
E3JK-DS30M1WITH5MCABLE
2023-03-28 18:36:12
E3JK-5M2-NW/5MCABLE
2023-03-28 18:35:51
JK-SMD100L
2023-03-28 18:10:04
EP4CE15M8I7N
2023-03-28 14:51:07
摘要 : 某藍(lán)牙音響需要賣(mài)到美國(guó)與歐洲，現(xiàn)在客戶需要做CE與FCC認(rèn)證，那么需要做哪些標(biāo)準(zhǔn)呢？ 1、歐洲CE部分 （1）CE EMC EN IEC 61000-3-2:2019- 諧波測(cè)試EN
2023-03-28 09:11:52
XC6215B332MR-G 編帶
2023-03-24 14:02:39
EUT概述：咖啡機(jī)有加熱煮咖啡、電動(dòng)抽水、S3F9488 MCU控制屏顯、定時(shí)等控制功能，電源部分采用VIPer12芯片負(fù)電源架構(gòu)給電。結(jié)合電路分析，此產(chǎn)品在EMI部分主要有VIPer12電源芯片
2023-03-24 09:40:511073 
4> 程序設(shè)計(jì) 1> 電機(jī)15BY25:15: 指電機(jī)外經(jīng)；B： 步進(jìn)電機(jī)“步”字漢語(yǔ)拼音首字母；Y：永磁式， “Yong”；25： 2相， 5齒; 1.1> 旋轉(zhuǎn)原理電生磁 安培定則(右手螺旋定則);步進(jìn)電機(jī)
2023-03-23 10:47:340
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