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MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應可使MRAM不需改變內存狀態，便能快速讀取數據。在MRAM存儲器中有一個富含創造性的設計，這也是EVERSPIN的專利。
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在MRAM的誕生過程中，設計的難點和關鍵節點，在于一個小電流通過“自由層”，并使之翻轉，與固定層的極化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特別小，即使很小的電流擾動也會造成錯誤。為此MARM的產品化道路一度陷入低迷。
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在2004初一個俄裔的工程師公布他提出的新的MRAM結構和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才重新燃起了對MRAM的希望。SONY 和 MOTORALA 馬上拿出了第一手的實驗數據. 實驗證明TOGGLE MRAM具有相當大的操作窗口。另一個重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同時宣布拿到了300%的MTJ信號。2004年在業界是非常激動人心的時刻，這一系列的突破暗示著MRAM的曙光就在眼前。
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現在MRAM有很多優異的指標，但是并非完美。它的存儲密度和容量決定了它尚不能更大范圍的替代其他存儲器產品。但是根據摩爾定律，芯片尺寸會越來越小，這也是為什么很多人都認為DRAM快走到了它生命周期的盡頭。PCM存儲器的存儲密度遠遠高于MRAM和DRAM。在未來的五年里，它將是MRAM有力的競爭對手。MRAM想在未來新存儲的世界里稱王稱霸，還是需要一番突圍的。
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非易失性MRAM誕生過程
- MRAM(31550)
- everspin(11622)
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Netsol SPI MRAM芯片S3A1604
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執行)性能和基于硬件/軟件的數據保護系統。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。
2023-04-27 17:33:44420
420一文了解新型存儲器MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542
2542如何使用SEMC將iMX RT1024連接到MRAM？
我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數據表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數據表和 iMX RT1024 參考手冊
2023-04-17 07:52:33
IMX6UL如何從安全非易失性存儲 (SNVS) 讀取或寫入？
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
兆易創新全系列車規級存儲產品累計出貨1億顆
中，車載電子系統設計的復雜度顯著提升，對于存儲產品而言，大容量、實時響應、高可靠性和安全性必不可少，兆易創新車規級GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富
2023-04-13 15:18:46
求助，如何使用非易失性密鑰生成CMAC？
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
NETSOL串行MRAM產品介紹
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執行）功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758
758MRAM實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優勢？
據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
關于CH573的存儲映射結構
在CH573存儲中，分為用戶應用程序存儲區CodeFlash，用戶非易失數據存儲區DataFlash,系統引導程序存儲區Bootloader，系統非易失配置信息存儲區InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
MRAM芯片應用于PLC產品上的特性
在PLC(可編程邏輯控制器)產品中，MRAM芯片的應用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169
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如何通過與隨機非持久處理器寄存器進行異或來保護瞬態對稱密鑰？
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
工商網監
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