支持PD3.1與QC2.0快充充電器誘騙取電芯片在應用方面也具有廣泛性。除了可以應用于智能手機等移動設備外，還可以應用于平板電腦、筆記本電腦等其他設備。同時，由于其支持多種快充技術，因此可以適用于各種
2024-03-12 15:10:50
求助，用USB-C端口實現快充及高清音視頻傳輸
2024-01-24 06:52:48
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
一個IGBT用不同的驅動板會得到不一樣的效果嗎？為什么？ 當使用不同的驅動板驅動同一個 IGBT 時，會產生不同的效果。這是因為驅動板在控制 IGBT 的開關過程中起著重要的作用，不同的驅動板具有
2024-01-15 11:26:04
355
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導體材料，具有優異的電學和光學特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領域得到了廣泛的應用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29254 氮化鎵是一種半導體材料，由氮氣和金屬鎵反應得到。它具有優異的光電特性和熱穩定性，因此在電子器件、光電器件、化學傳感器等領域有著廣泛的應用。本文將從氮化鎵的制備方法、特性、應用等方面進行詳細介紹
2024-01-10 10:06:30194 氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結構、性質以及應用領域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:21944 氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化鎵技術的用途和應用，并從不同領域深入探討其重要性和優勢
2024-01-09 18:06:36294 CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統、衛星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20719 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302309 氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認為是下一代充電器技術的關鍵。與傳統充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優勢，比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而，有些人擔心
2023-11-21 16:15:271663 SycoTec電動自動換刀高速電主軸技術具有高可靠性、智能化、高效性，可縮短換刀時間、減少換刀失誤、提高生產效率、降低成本，且可實現無人化操作，隨著制造業的發展，將會得到更廣泛的應用。
2023-11-13 13:39:28394 
鎵技術在高溫、高壓、高頻等極端環境下具有優異的表現，被廣泛應用于電力電子器件、光電子器件、射頻器件等領域。
2023-11-07 15:48:01196 支持QC快充的設備在5v時設備會在usb主動輸出差分電壓，這個時候根據差分電壓來改變電壓嗎
2023-11-01 06:15:20
隨著科技的不斷進步，電力電子技術也在飛速發展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優點，已經開始在各個領域得到廣泛應用。本文將詳細介紹120W氮化鎵芯片的特點及其應用場景，同時探討該技術的未來發展方向。
2023-10-27 13:47:52296 隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場，氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證，同時也加速了氮化鎵技術在快充市場的普及。目前，快充源市場上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內置驅動器的GaN功率芯片以及內置控制器、驅動器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發展最快
2023-10-23 16:38:59292 直流電技術的互聯網連接系統，具有高效、穩定、安全等優點，因此在未來將會得到廣泛應用。本文將從柔直互聯系統的定義、特點、應用場景等方面進行詳細介紹，以期幫助讀者更好
2023-10-18 22:32:50
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:23476 
推出非常關鍵的同步整流控制器，解決了氮化鎵快充的全部難點。在移動電源領域，智融同樣不斷克服技術難題，推出同步升降壓控制器、協議芯片、SoC 芯片等產品，致力于為客戶提供端到端的全套解決方案。
2023-09-18 15:52:03
GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現將影響供應鏈，并可能塑造未來的電信技術。
2023-09-14 10:22:36647 
英集芯IP5356——全面掌握未來快充技術的移動電源SOC民信微在這個充滿變化與挑戰的時代，英集芯IP5356以全新視角，定義了移動電源的未來。它不僅支持高低 壓SCP、雙向PD3.0等
2023-09-12 20:50:39
集成了多種快充協議的移動電源SOC IC，讓你的充電速度提升，讓充電變得更加方便。 這款芯片支持雙向PD3.0快充等多種協議，民信微讓你的充電速度更快、更
2023-09-07 20:43:18
都可以快充
2：A1+A2（+C1）同時使用都是轉 5V 放電
二：SW7201+MCU（帶協議），A1C1C2 單路，四串電池（16.8V）
1: A1（22.5W）C1（100W）C2（100W
2023-09-07 15:26:56
固態電池作為一種新興的能源存儲技術，具有廣闊的產業化前景。隨著科技的不斷進步，固態電池將會得到更廣泛的市場化推廣與應用，并成為未來能源存儲領域的重要力量。
2023-09-05 11:24:121851 工業LCD生產看板也在不斷升級和完善。未來，工業LCD生產看板將會更加智能化、集成化和個性化。 首先，工業LCD生產看板將會更加智能化。未來的工業LCD生產看板將具備更強的計算能力和智能化分析能力，能夠實時收集、分析和處理生產數據，為生產管理提供更加精準的數據支持
2023-08-25 16:49:11225 
生長氮化鎵薄膜，形成GaN基礎器件的結構。由于氮化鎵材料的性質優良，GaN技術被廣泛應用于LED、高頻功率放大器、射頻器件等領域。
2023-08-22 15:17:312375 降低了產品成本。搭載GaN的充電器具有元件數量少、調試方便、高頻工作實現高轉換效率等優點，可以簡化設計，降低GaN快充的開發難度，有助于實現小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種
2023-08-21 17:06:18
。未來，XR虛擬制作技術將在以下幾個方面實現進一步的發展： 更高的視覺質量 隨著顯示技術和光效技術的不斷進步，XR虛擬拍攝的視覺質量將得到進一步提升。未來的LED顯示屏將具備更高的分辨率、更高的刷新率和更低的延遲，提供更加逼真、流暢的虛擬背景。
2023-08-15 17:51:00298 表情識別技術將會更加智能化和自適應化，能夠處理更加復雜的場景和數據，從而提高識別準確率和可靠性。 其次，面部表情識別的應用將會不斷拓展。未來，面部表情識別技術將會應用于更多領域，如安全、教育、醫療、社交媒體等
2023-08-09 16:16:10307 充電10分鐘，續航400公里，新能源汽車高壓快充時代來了！
2023-07-31 11:11:26
26寸透明屏具有透明度高、色彩鮮艷、清晰度高等特點，可以廣泛應用于商業展示、戶外廣告、智能家居等領域。隨著科技的不斷進步，透明屏技術將會得到更廣泛的應用和發展。
2023-07-25 14:02:32226 
深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC，原裝現貨 型號：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 ,SOIC-9
2023-07-11 11:31:20
深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片，原裝，庫存現貨熱銷 NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片特性集成高壓啟動電路，帶停電檢測集成X2電容放電
2023-07-05 15:38:22
尊敬的讀者，今天我將向大家介紹一款專為高效能PD/快充應用而設計的多模式PWM控制器——MK2687。該控制器具備多項特性，可為功率傳遞和快速充電提供卓越的性能。
MK2687的突出特點之一是其
2023-06-25 14:50:18
器件，因為其產量不斷在增加、可靠性得到認證和價格持續下降。
此時，氮化鎵技術不再是一個“科學項目”，而是在15 V~650 V的應用中廣泛替代硅MOSFET器件。
結論
當今的氮化鎵技術在性能、可靠性
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
最新的移動充電:拓撲、技術和性能
2023-06-21 08:53:04
做了一塊sw3518s100W全協議快充開始很好沒問題，現在觸發快充十幾秒就保護重啟 普通充電沒問題，重啟時安全插座燈亮跟短路樣。大神們幫看下哪里的問題。謝謝了！
附上圖紙，圖紙4個mos管用的都是swt40n45d3n溝道mosfet管。
2023-06-19 14:55:43
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
支持65W快充，并可支持三臺設備同時充電，相當實用。下面就帶來這款充電器的拆解，看看內部的用料和做工。
橙果65W氮化鎵充電器外觀
這款充電器采用時下主流長方體造型，機身主體外殼磨砂抗指紋，整體簡潔
2023-06-16 14:05:50
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的電壓，其漏極漂移區為10-20μm，或大約40-80V/μm。這大大高于硅20V/μm的理論極限。然而，氮化鎵器件目前仍然遠遠低于約300V/μm的禁帶寬度極限，這為未來的優化和改進，留下了巨大的空間
2023-06-15 15:53:16
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
SW6206 15W 無線充+快充移動電源方案
這是一款快充移動電源+15W 無線充電的解決方案，采用智融科技 SW6206 雙向快充芯片搭配 14PIN MCU 組成，并使用賽芯微 XB8886
2023-06-08 16:16:25
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導體材料，具有優良的電學和光學性質，因此廣泛用于以下領域： 1. 發光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應用于照明
2023-06-02 15:34:467176 1.概述
XSP16 是一款集成 USB Power Delivery PD3.1 快充協議、PD2.0/3.0 快充協議、QC2.0/3.0 快充協議、華為 FCP 協議和三星 AFC 協議
2023-06-01 22:14:22
今年3月底魅族的新品發布會發布了PANDAER 67W GaN變速箱潮充，其采用與上一代相同的透明變速箱設計語言，最大輸出功率則由65W提升至67W，USB-A口也升級支持UFCS融合快充。效果
2023-05-30 11:27:26
供應XPD319BP36 36W和36W以內vooc快充協議芯片-支持OPPO VOOC2.0快充，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 14:36:56
供應XPD319BP25 25w快充協議芯片無VBUS MOS-華為FCP/SCP 快充協議 ，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 13:49:55
供應XPD319BP18 三星18w快充協議芯片支持三星afc快充協議-一級代理富滿，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:37:36
供應XPD319B 20w快充協議芯片支持三星afc快充協議-單C口快充方案，廣泛應用于AC-DC適配器、車載充電器等設備提供高性價比的 USB Type-C 端口充電解決方案，更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 11:13:51
供應XPD318A 20w快充協議芯片支持蘋果20w 快充方案，廣泛應用于AC-DC 適配器、USB 充電設備等領域， 更多產品手冊、應用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-26 11:20:39
供應1XPD318B18 18w快充協議芯片支持 PD/PPS/QC/FCP/SCP/AFC/VOOC/BC1.2等快充協議，，XPD318 是一款集成 USB Type-C、USB
2023-05-26 11:00:25
SW2327是-款高集成度的Type-C口/Type-A口快充協議芯片，支持VOOC4.0/PD3.1、QC5.0、FCP、高低壓SCP、AFC、SFCP以及PE等主流快充協議，支持光耦反饋和FB
2023-05-25 14:38:50
SW3562了支持140W快充輸出的協議芯片，分別是支持1A+1C接口，兩款芯片均支持私有快充協議，滿足20V7A，140W輸出功率。
SW3562支持非常廣泛的快充協議，并支持VOOC4.0私有快
2023-05-25 14:26:23
iMX8M Plus USB口快充/快充嗎？
2023-05-19 06:37:37
工業RFID電子紙標簽是一種可靠的解決方案，可以提高制造和物流的可視化程度和管理效率。在未來，隨著科技的不斷進步，電子標簽技術將會得到更加廣泛的應用和發展。
2023-05-17 13:44:01244 萬能拉力試驗機是一種極為重要的實驗設備，為各個工業領域的材料測試和質量控制提供了關鍵性的支持。它的發展使得產品設計和制造更加科學化和精準化。隨著時代的進步和科技的不斷創新，萬能拉力試驗機將會得到更加廣泛和深入的應用，為工業生產帶來更多的變革和突破。
2023-05-11 16:31:49293 
1.概述
XSP06 是一款集成 USB Power Delivery（PD2.0/3.0）快充協議，QC3.0/2.0 快充協議，和三星 AFC 快充協議（兼容 BC1.2）的 USB 多功能
2023-05-11 15:40:45
在推動更多應用的開發和使用方面發揮積極作用。
與物聯網的結合：5G網絡和物聯網的結合，將會使物聯網網速變得更加快捷和穩定，這會促進物聯網應用的創新和推廣，未來還可能有更多的物聯網設備被廣泛應用。
2023-05-08 16:08:3911946 隨著科學技術的飛速發展，Mini Fakra連接器作為一種關鍵的電子元器件，已經得到了廣泛的應用。Mini Fakra連接器可以將不同的電子元器件進行有效的連接，實現電子信號的傳輸和處理
2023-04-28 18:08:48331 
本帖最后由 haiwen1314526 于 2023-5-5 10:00 編輯
XSQ10 是一款集成 USB-A 或 Type-C 的 QC2.0/3.0 快充協議、華為 FCP 協議快充
2023-04-28 11:39:15
PL84052，在對其深度優化后，再度簡化降壓轉換器的Demo外圍電路后，使快充產品的工程師更加容易調教和應用的降壓轉換器PL84052，方便其設計新的快充產品，加快廠商開發出新的快充產品上市，以取得PD快充
2023-04-14 09:21:22
產品特色： 本產品是低成本、已量產的65W多口氮化鎵PD快充頭，可以與市場上18~65W的產品需求兼容，由于極優的價格，本產品與市場上的低功率充電器成本沒有顯著的價格差距，可以拿下
2023-04-12 17:34:59
氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應用前景和市場需求，正因為如此斯利通現正全力研發氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401363 
IP6520 具有過流點自動調節功能，當高壓 SCP,快充協議握手成功后，最大支持 10V/2.25A輸出 。當 IP6520的 Type-C接口連的設備支持高壓 SCP 時， 優先輸出高壓 SCP
2023-04-07 20:48:19
智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內置多快充協議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨立限流。內置的同步降壓轉換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開關管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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