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SRAM存儲芯片即是靜態隨機存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內部存儲的所有數據。 SRAM存儲芯片主要應用于需要緩存比較小或對功耗有要求的系統。例如很多8 BIT 單片機，由于能支持的RAM存儲比較小，內部緩存又不夠；或者16 BIT MCU，支持的RAM比較大，但對低功耗有要求而無法用DRAM的系統。那么如何設計SRAM存儲主板呢?下面由英尚微電子介紹SRAM存儲器主板基本設計的五大步驟。
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1.地址緩沖器在提供給存儲器的sa0～sa15地址中加人緩沖器。緩沖器利用74ls244也可以，但因為741ls245布線比較簡單，所以才通過74ls245可單向使用。
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2.數據緩沖器因為數據需要雙向進行，所以才要利用74ls245來進行接收。會將柵極一直打開，通過對存儲器芯片的讀信號來進行方向控制。本次我們采用將pld上存儲器的讀信號設置為只在cs1有效時才輸出的方法。
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3.pld（memdec）ld應用于生成對存儲器的片選、de以及we信號中。片選信號是在刷新周期以外、當地址高位（sa16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設置在sram主板空間）、且bale為低電平時被選擇的。將存儲器芯片的讀/寫信號設置為當片選和smemr/smemw有效時輸出。
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4.各份電源的切換，電池各份的重點將會在于電源切換和片選信號的控制。本次為了簡單起見，只單純獲取vcc和電池（為cn2提供3.6v的電池）的二極管or，但需要注意二極管正向電壓降。如果電源電壓比所提供的電壓低很多的話，則可能會發生超出操作電壓或者輸入引腳的電壓高于電源電壓的情況。
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5.片選控制，為了電池備份，必須使存儲器的片選信號無效。本次我們雖然只利用ce1進行控制，但為了保持較低的損耗電流，必須使ce1可保持與電源電壓相近的值（cy62l28為vcc-0.2v以上）。為了進行片選控制，將會利用作為電源監視ic的adm708（模擬器件）和74hc系列的cmos門組成電路。
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靜態隨機存取存儲器(SRAM)多年來被廣泛應用于各種場合。凡是需要快速存取數據方面的應用，特別會要求初始存取等待時間比較短的情況下，都會考慮使用SRAM，這已經成為一個常識。歷史上SRAM存儲器芯片市場曾經幾度起伏，大多數時候整個存儲器芯片市場需求量會因為一個新的SRAM應用而暴漲。lw
SRAM存儲器主板基本設計
- sram(113777)
- ISSI(22317)
- SRAM存儲器(13126)
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系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
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dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎
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回顧易失性存儲器發展史
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874處理器基礎抱佛腳-存儲器部分
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半導體存儲器簡介
靜態隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
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RA6快速設計指南 [9] 存儲器 (1)
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如何保存數據在SRAM存儲器中通過SW?
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* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數據在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
SOC設計之外部存儲器
主存儲器的主要技術指標
* **存儲容量**
存儲器可以容納的二進制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實際存儲容量：** 在計算機系統中具體配置了多少內存。
* **存取速度：** 存取時間是指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10822
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什么是外部存儲器
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統稱為記錄介質。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061409
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2023-05-19 17:04:36766
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單板硬件設計：存儲器（ NAND FLASH)
，并把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。
3.產品應用
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國產512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
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2023-04-04 08:16:50
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2023-03-30 10:32:16624
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2023-03-29 08:09:01
工商網監
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